在本周台积电欧洲OIP论坛上，Alchip和Ayar Labs展示了基于台积电COUPE平台的全集成、封装内光I/O引擎，实现了下一代AI加速器的光学连接。该方案结合了Ayar的硅光子TeraPHY IC与Alchip的电气接口芯片及可拆卸光纤连接器，每台加速器可提供高达100 Tb/s的带宽，并通过业界标准的UCIe接口与其他芯片连接。该解决方案面向需要光连接但无法从零构建自身光子系统的硬件开发者。当台积电于2024年推出紧凑通用光子引擎（COUPE）框架时，公司主要瞄准了像AMD或英伟达这样能够自行制
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TSMC COUPE 光互联方案 硅光子学 AI 芯片互联
关于网红半导体工艺公司Substrate，Semianalysis给出了基于所谓内部资料的分析报告，我们一起来看看他们的工艺是否能颠覆ASML和台积电？
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Substrate ASML TSMC
叶俊显代表国发基金加入台积电董事会。 他17日以TSMC+1五个要素的模型，解析台积电的成功关键，将该公司与中国台湾经济发展体系紧扣，并强调在政策配合下，台积电的企业优势可继续维持至少五至十年。叶俊显以TSMC+1五要素，进一步加以解释。 他说，T是信任（trust），台积电受到客户的信任，最大原因是不做自己的品牌，所有的品牌都是客户，而且可以定制化; S是系统（system），一个是教育系统，一个是生态系统; M就是人，中国台湾人才，还包括台积电创办人张忠谋，他也为台积电立定了一个「只做制程」的明确方向
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台积电 TSMC+1
据悉，英特尔下一代客户端 CPU 旗舰产品 Nova Lake-S 已在台积电位于台湾的晶圆厂流片。我们之前根据传闻推测，英特尔将采用自家内部的 18A 工艺，并依靠台积电的 2nm 量产技术。但根据 SemiAccurate 的报道，英特尔已经在台积电的 N2 工艺上流片了一个计算模块，这意味着 Nova Lake-S 的计算模块很可能会同时使用 18A 和台积电的 N2 工艺。英特尔做出这一决定的一个可能原因是，如果 18A 工艺无法交付，或者如果预计需求过高而无法满足内部生产能力，英特尔正在构建可靠
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全球人工智能革命正在推动对先进半导体的空前需求，没有哪家公司比台积电更有能力利用这一趋势。作为全球最大的专营代工厂，台积电在用于 AI 系统、云基础设施和自动驾驶技术的尖端芯片生产方面占据主导地位。与 NVIDIA 或 AMD 等直接在软件和硬件生态系统中竞争的芯片设计商不同，台积电作为硅片的中立制造商，使其与竞争动态隔绝，使其成为 AI 领域所有主要参与者的关键供应商。这一战略优势，加上其行业领先的制造能力和有吸引力的估值，使台积电成为一项引人注目的长期投资。代工
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台湾积体电路制造有限公司TSM（也称为 TSMC）正在积极扩大其全球制造足迹。2025 年 3 月，它宣布在美国进行 1000 亿美元的新投资，将其在美国的计划总支出提高到 1650 亿美元。这包括五个晶圆厂，两个先进的封装工厂和一个主要的研发中心。这是芯片历史上最雄心勃勃的扩张之一。美国第一家晶圆厂的建设已经完成，并且正在加快批量生产，以满足飙升的 AI 需求。今年晚些时候还有两家晶圆厂正在筹备中，正在等待许可，其余设施将根据客户需求采用先进节点。除了在美国扩张外，台积电还在日本和德国扩大了其晶圆厂。它
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TSMC
先进封装被广泛认为是扩展和超越摩尔定律的关键技术途径。面对芯片扩展的物理限制和工艺节点小型化步伐的放缓，先进封装通过系统级封装 （SiP）、异构集成和高密度互连实现计算性能和能效的持续改进。台积电的技术论坛即将举行，据外媒报道，预计台积电将在活动中讨论 CoPoS 的技术概念。这将与 2025 Touch Taiwan 技术论坛同时进行，产生协同效应。SemiVision Research 将对 CoPoS 技术进行深入讨论，并分析台湾和全球供应链格局。由于这种封装技术与基于面板的工艺密切相关，台湾面板制
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先进封装 TSMC FOPLP CoPoS
TSMC 展示了用于 AI 的集成稳压器 （IVR），其垂直功率密度是分立设计的五倍。最新的 AI 数据中心芯片需要 1000A 的电流，下一代芯片需要 2000A 或千瓦的功率。提供此类电流的一种关键方法是使用垂直功率传输，并将功率馈送到 AI 芯片的背面。TSMC 开发的 IVR 使用基于 16nm 工艺技术的电源管理 IC （PMIC），该 ICS 集成了 2.5nH 或 5nH 的“超薄”电感器与硅通孔 （TSV）。该 PMIC 将具有陶瓷层来构建电感器，PMIC 将位于衬底上，与使用 TSMC
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TSMC AI kW 集成稳压器
在该公司的北美技术研讨会上，台积电业务发展和海外运营办公室高级副总裁兼联合首席运营官 Kevin Zhang 称其为“最后也是最好的 finfet 节点”。台积电的策略是开发 N3 工艺的多种变体，创建一个全面的、可定制的硅资源。“我们的目标是让集成芯片性能成为一个平台，”Zhang 说。 截至目前，可用或计划中 N3 变体是：N3B：基准 3nm 工艺。N3E：成本优化的版本，具有更少的 EUV 层数，并且没有 EUV 双重图形。它的逻辑密度低于 N3，但具有更好的良率。N3P：N3E 的增强版本，在相
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FINFET TSMC
Avicena 将与台积电合作，为 Avicena 革命性的基于 LightBundle microLED 的互连优化光电探测器 （PD） 阵列。LightBundle 互连支持超过 1 Tbps/mm 的海岸线密度，并以一流的 sub-pJ/bit 能效将超高密度晶粒到晶粒 （D2D） 连接扩展到 10 米以上。这将使 AI 纵向扩展网络能够支持跨多个机架的大型 GPU 集群，消除当前铜互连的覆盖范围限制，同时大幅降低功耗。日益复杂的 AI 模型推动了对计算和内存性能的需求空前激增，需要具有更高密度、更
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一位消息人士告诉《日经新闻》（Nikkei），决定生产“应该从稍小的方形开始，而不是在早期试验中从更雄心勃勃的大方形开始。用化学品均匀地涂覆整个基材尤其具有挑战性。首次生产将于 2017 年在桃园市试行。据报道，日月光科技最初表示正在建造一条使用 600 x 600 毫米基板的 PLP 生产线，但在听说台积电的决定后，决定在高雄建造另一条使用 310x310 毫米基板的试点生产线。PLP 技术由 Fraunhofer 于 2016 年推出，当时它与 17 个合作伙伴成立了面板级封装联盟 （PLC）。
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TSMC 衬底 PLP
上个月台积电（TSMC）宣布，有意增加1000亿美元投资于美国先进半导体制造，扩大投资计划包括了三座新建晶圆厂、两座先进封装设施、以及一间主要的研发团队中心。台积电在美国亚利桑那州凤凰城的晶圆厂名为Fab
21，前后花了大概五年时间才完成第一间晶圆厂。不过随着项目的推进，台积电在当地的设施建造速度变得更快。据TrendForce报道，台积电打算将FOPLP封装技术带入美国，以满足当地客户日益增长的需求。台积电正在确定FOPLP封装的最终规格，以加快大规模生产的时间表。初代产品预计采用300mm
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去年末有报道称，小米即将迎来了自己的SoC，已完成了其首款3nm自研芯片的流片工作，剩下唯一的步骤就是与代工合作伙伴确定订单，批量生产自己设计的芯片。小米曾在2017年推出了澎湃S1，搭载于小米5c，对SoC并不陌生。据Wccftech报道，虽然中国大陆的芯片设计公司或许不能采用台积电（TSMC）最新的制造工艺，但最新消息指出，相关的管制措施暂时没有影响到小米，该款SoC有望在今年晚些时候推出。不过与之前的消息有些不同，小米的自研芯片采用的并非3nm工艺，而是4nm工艺，具体来说是N4P。小米的SoC在C
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台积电（TSMC）在去年12月已经对2nm工艺进行了试产，良品率超过了60%，大大超过了预期。目前台积电有两家位于中国台湾的晶圆厂专注在2nm工艺，分别是北部的宝山工厂，还有南部的高雄工厂，已经进入小规模评估阶段，初期产能同样是月产量5000片晶圆。据Wccftech报道，最新消息称，台积电将从2025年4月1日起开始接受2nm订单，苹果大概率会是首个客户。传闻苹果计划采用2nm工艺制造A20，用于2026年下半年发布的iPhone 18系列智能手机上。除了苹果以为，AMD、英特尔、博通和AWS等都准备排
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上周在 IEEE 国际固态电路会议 （ISSCC） 上，先进芯片制造领域最大的两个竞争对手 Intel 和 TSMC 详细介绍了使用其最新技术 Intel 18a 和 TSMC N2 构建的关键内存电路 SRAM 的功能.多年来，芯片制造商不断缩小电路规模的能力有所放缓，但缩小 SRAM 尤其困难，因为 SRAM 由大型存储单元阵列和支持电路组成。两家公司最密集封装的 SRAM 模块使用 0.02
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TSMC
简介
TSMC成立于1987年，是全球最大的专业集成电路制造服务公司。身为专业集成电路制造服务业的创始者与领导者，TSMC在提供先进晶圆制程技术与最佳的制造效率上已建立声誉。自创立开始，TSMC即持续提供客户最先进的技术；2006年的总产能超过七百万片约当八吋晶圆，全年营收约占专业集成电路制造服务领域的百分之五十。
2002年，TSMC成为第一家进入全球营收前 [
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