随着静态随机存取存储器（SRAM）在先进工艺节点下难以持续微缩，整个半导体行业必须评估其对各类计算场景的冲击，而短期内暂无简易解决方案。核心要点每一代工艺节点微缩时，同等容量的 SRAM 所占芯片面积比例持续上升。该问题不仅局限于前沿 AI 芯片，最终将影响所有计算设备，甚至小型微控制器（MCU）与微处理器（MPU）。行业可能需要进行架构变革；在逻辑芯片上堆叠 SRAM 小芯片可行，但成本高昂。SRAM 是所有计算系统的核心组件，但其缩放进度已无法跟上逻辑电路的迭代速度，过去五年这一矛盾急剧恶化。早在 1
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内存墙
SRAM
据印度报业托拉斯报道，为大力推动电动汽车（EV）电池制造发展，特斯拉集团与SRAM & MRAM集团日前达成一项价值10亿美元的里程碑式合作协议。此次合作不仅计划在印度建设5座先进的电动汽车电池超级工厂，还将在包括美国、马来西亚、阿曼、巴西、阿联酋（UAE）和柬埔寨等另外15个国家部署生产网络。SRAM & MRAM集团董事长Sailesh L Hiranandani强调了此次合作的重大意义，他表示，双方将打造全球规模最大的电动汽车电池制造与储能供应链之一。这一举措体现了各方对可持续能源解
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特斯拉
SRAM & MRAM
电动汽车电池
超级工厂
SRAM 广泛用于高性能处理器芯片的缓存。如果芯片无需访问外部存储器，其速度甚至可以更快。
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SRAM
在可编程逻辑器件领域，基于SRAM的FPGA经常被误解。这些FPGA具有极高的灵活性和可重新配置特性，是从消费电子到航空航天等各类应用的理想选择。此外，基于SRAM的FPGA还能带来高性能和低延迟，非常适合实时数据处理和高速通信等要求苛刻的任务。一个常见的误解是，基于SRAM的FPGA会因启动时间较长而不堪负荷。通常的说法是，由于其配置数据存储在片外，特别是在加密和需要验证的情况下，将这些信息加载到FPGA的过程就成了瓶颈。然而，对于许多基于SRAM的现代FPGA来说，这种观点并不成立，莱迪思Avant™
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SRAM
FPGA
安全启动机制
莱迪思
Lattice
上周在 IEEE 国际固态电路会议 （ISSCC） 上，先进芯片制造领域最大的两个竞争对手 Intel 和 TSMC 详细介绍了使用其最新技术 Intel 18a 和 TSMC N2 构建的关键内存电路 SRAM 的功能.多年来，芯片制造商不断缩小电路规模的能力有所放缓，但缩小 SRAM 尤其困难，因为 SRAM 由大型存储单元阵列和支持电路组成。两家公司最密集封装的 SRAM 模块使用 0.02
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纳米晶体管
SRAM
英特尔
Synopsys
TSMC
内存密度
英特尔在国际固态电路会议 (ISSCC) 上公布了半导体制造领域的一些有趣进展，展示了备受期待的英特尔 18A
工艺技术的功能。演示重点介绍了 SRAM 位单元密度的显著改进。PowerVia 系统与 RibbonFET (GAA)
晶体管相结合，是英特尔节点的核心。该公司展示了其高性能 SRAM 单元的坚实进展，实现了从英特尔 3 的
0.03 µm² 减小到英特尔 18A 的 0.023 µm²。高密度单元也显示出类似的改进，缩小到 0.021 µm²。这些进步分别代表了
0.77 和
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英特尔
18A
SRAM
台积电
01 问题的描述某客户使用 STM32G071 芯片从 standby 模式下唤醒，想要 SRAM 的数据在退出 standby模式后得以保持。根据手册的描述，配置了相应的比特位，但是发现数据仍然保持不了。02 问题的复现根据客户的描述，以及 STM32G071 的最新版参考手册 RM0444 发现，在 standby 模式下，可以通过设置 PWR_CR3 的 RRS 比特位去控制 SRAM 的保持能力，相应的 API 接口函数为HAL_PWREx_EnableSRAMRetention()、HAL_PW
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STM32G071
standby
SRAM
SRAM正在通过与芝加哥Generative Design Field Lab的Autodesk软件，开始制造真正可用的3D打印原型曲柄。基于这种人工智能设计流程，我们可能会看到完全重新构想的SRAM曲柄投放市场。不容置疑的是，SRAM在这种新的设计方法中投入了大量精力，并且他们已经在真实的道路上，用这款电脑设计的山地车曲柄进行了的多次迭代测试……使用Autodesk，SRAM能够从空白开始，让人工智能根据曲柄组中的作用力和各种自动化制造过程，为原型曲柄组筛选出最佳的设计形式。到目前为止，似乎SRAM已经
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SRAM
3D打印
像Nvidia这样的芯片巨头可以负担得起7nm技术，但初创公司和其他规模较小的公司却因为复杂的设计规则和高昂的流片成本而挣扎不已——所有这些都是为了在晶体管速度和成本方面取得适度的改善。格芯的新型12LP+技术提供了一条替代途径，通过减小电压而不是晶体管尺寸来降低功耗。格芯还开发了专门针对AI加速而优化的新型SRAM和乘法累加(MAC)电路。其结果是，典型AI运算的功耗最多可减少75%。Groq和Tenstorrent等客户已经利用初代12LP技术获得了业界领先的结果，首批采用12LP+工艺制造的产品将于
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AI
CNN
SRAM
CPU
芯片
引言自从几十年前首次推出FPGA以来，每种新架构都继续在采用按位（bit-wise）的布线结构。虽然这种方法一直是成功的，但是随着高速通信标准的兴起，总是要求不断增加片上总线位宽，以支持这些新的数据速率。这种限制的一个后果是，设计人员经常花费大量的开发时间来尝试实现时序收敛，牺牲性能来为他们的设计布局布线。传统的FPGA布线基于整个FPGA中水平和垂直方向上运行的多个独立分段互连线（segment），在水平和垂直布线的交叉点处带有开关盒（switch box）以实现通路的连接。通过这些独立段和开
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ATT
FCU
SRAM
FMAX
全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723）今日宣布扩大其备受欢迎的IP的授权范围，帮助设计师能够在瞬息万变的行业中满足广泛的客户需求。自即日起，客户将可访问诸如尖端的7nm（纳米）SRAM和TCAM，以及领先的标准以太网时间敏感网络（TSN）等IP。此外，瑞萨电子正致力于打造包括PIM（内存处理）的系统IP，该技术首次在2019年6月的会议论文中提出，作为AI（人工智能）加速器引起广泛关注。利用这些IP，客户可迅速启动其先进的半导体器件开发项目，例如为领先的5G网络开发下一代AI芯
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IP
SRAM
作者：王鑫，王烈洋，占连样，陈像，张水苹，汤凡，黄小琥，李光摘要VDSR32M32是珠海欧比特公司自主研发的一种高速、大容量的静态随机器(SRAM)用其对大
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SRAM
测试
网络路由器带有用于性能监控、流量管理、网络追踪和网络安全的统计计数器。计数器用来记录数据包到达和离开的次数以及特定事件的次数，比如当网络出现
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SRAM
网络
MRAM新创公司STT开发出一种存储器专有技术，据称可在增加数据保持的同时降低功耗，使得MRAM的自旋力矩效率提高加40%-70%。这种新式的“岁差自旋电流”(PSC)储存结构将在MRAM市场扮演什么角色?它能成为加速MRAM市场起飞的重要推手吗? 磁阻式随机存取存储器(Magnetic RAM;MRAM)新创公司Spin Transfer Technologies (STT)最近开发出MRAM专用技术，据称能以同步提高数据保持(retention)与降低电流
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MRAM
SRAM
RAM(Random Access Memory) 随机存储器。存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。
按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器(Static RAM,SRAM)和动态随机存储器(Dynamic RAM,DRAM)。
SRAM(Static RAM)不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
SSRAM(Synchronous SRAM)即同步静态随机存
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SRAM
DRAM
随着超大规模集成电路工艺的发展，人类已经进入了超深亚微米时代。先进的工艺使得人们能够把包括处理器、存储器、模拟电路、接口逻辑甚至射频电路集成到一个大规模的芯片上，形成所谓的SoC(片上系统)。作为SoC重要组成部分的嵌入式存储器，在SoC中所占的比重(面积)将逐渐增大。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。 近期台积电技术长孙元成在其自家技术论坛中，首次揭露台积电研发多年的eMRAM(嵌入式磁阻式随机存取存储)和eRRAM(嵌入式电阻式存储器)将分别订于明后年进行风险性试产。预计试产主要采用2
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存储器
SRAM
包括抗辐射存储器在内的先进嵌入式系统解决方案市场领导者赛普拉斯半导体公司和全球领先的半导体代工厂联华电子股份有限公司(以下简称“UMC”)今日联合宣布，赛普拉斯 65nm 和 40nm 技术平台成为业界首批荣获合格制造商名单 (QML) 认证的平台，为其未来产品铺平了道路。UMC的 Fab 12A(位于台湾台南)生产的新一代 144 Mb 四倍数据速率 (QDR) II+、
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赛普拉斯
SRAM
联华电子与抗辐射记忆体 (Radiation hardened memories) 领导厂商Cypress今 ( 15日) 共同宣布，Cypress的65和40奈米的技术平台率先业界，完成其先进产品流程合格製造商清单 (QML) 的认证。 联华电子位于台湾台南的Fab 12A所製造的下一代144-Mbit四倍资料速率 (QDR) II +，144-Mbit&nbs
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Cypress
SRAM
所谓外部SRAM是指连接在FPGA外部的静态RAM（SRAM）。外部SRAM存储器也有不少种类。对于外部SRAM的选择是由应用需求的性质决定的。使用外部SRAM存储器既有优点又有缺点。
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SRAM
存储器
RAM
FPGA
当你打开任何智能电子设备(从老式的电视遥控器到全球定位系统)，会发现几乎所有的设备都至少采用了一个微控制器(MCU)，很多设备里还会有多个微控制器。MCU往往被用于专用的终端产品或设备中，它能够很好地完成特殊任务。另一方面，PC的大脑，即微处理器被设计用于实现许多通用的功能。微控制器可用于降低成本，加固工业和自动化应用，将其嵌入FPGA中时，还可以通过重新编程迅速改变功能。这种灵活性使得单个设备可应用于接口标准不同的多个市场。
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微控制器
SRAM
FPGA
介绍一种采用单片SRAM和FPGA实现红外图像显示的新方案，并对显示系统结构、FPGA各功能模块设计、SRAM的读/写时序设计进行了详细论述。该图像显示方案可用于红外图像处理系统的硬件调试和红外图像处理效果观测。
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红外图像显示
SRAM
FPGA
一. 引言 目前，嵌入式系统已经渗透到各个领域：工业控制，军事国防，消费类电子产品，网络通信等，但大部分领域的应用都是基于国外各大厂商的嵌入式处理器。在嵌入式领域使用国产芯片，走国产化道路已经成为一个迫切需要解决的问题。目前国内的芯片主要有星光系列、汉芯系列、神威系列、青鸟嵌入式芯片、方舟系列、龙芯系列等，这些芯片各有自己的特点。 本设计采用了龙芯系列的GS32I SoC处理器，探讨并设计如何构造一个小型嵌入式硬件系统，同时兼顾科研与应用两方面的要求，在该平台的基础上可以连接各
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GS32I
SRAM
在“2017慕尼黑上海电子展”前夕的“汽车技术日”上，ISSI技术市场经理田步严介绍了车用存储器市场，包括：信息娱乐、ADAS、仪表总成、connectivity telematics四大类。
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汽车
SRAM
DRAM
SDRAM
e.MMC
201704
在本系列第二部分，我们探讨了总线转换、总线翻转、地址奇偶校验等重要的总线问题。在第三也是最后一部分，我们将探讨校正问题，其中包括矫正训练、控制/地址信号校正和读写校正，以及纠错码(ECC)和QDR-IV存储器控制器的设计建议。 校正训练序列 存储器控制器和QDR IV较高的工作频率意味着数据有效窗口很窄。QDR-IV器件支持“校正训练序列”，它可通过减少字节通道之间的偏差扩大这个窗口，从而在控制器读取存储器的数据时，增加时序余量。校正训练序列是赛普拉斯的QDR-IV SRAM的
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QDR-IV
SRAM
总线转换的注意事项 总线转换时间非常重要，其决定了读和写指令间是否需要额外的间隔来避免在同一个I/O 端口上发生总线冲突。 想象下QDR-IV HP SRAM 中端口A 先后收到写指令和读指令。从CK 信号的上升沿(与初始化写指令周期相对应)算起，在整整三个时钟周期后向DQA 引脚提供写数据。读数据则将在下一个周期发送，因为 DQ从CK 信号的上升沿(与初始化读指令的周期相应)算起五个时钟周期后才能获得数据。
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QDR-IV
SRAM
流媒体视频、云服务和移动数据推动了全球网络流量的持续增长。为了支持这种增长，网络系统必须提供更快的线路速率和每秒处理数百万个数据包的性能。在网络系统中，数据包的到达顺序是随机的，且每个数据包的处理需要好几个存储动作。数据包流量需要每秒钟访问数亿万次存储器，才能在转发表中找到路径或完成数据统计。 数据包速率与随机存储器访问速率成正比。如今的网络设备需要具有很高的随机访问速率(RTR)性能和高带宽才能跟上如今高速增长的网络流量。其中，RTR是衡量存储器可以执行的完全随机存储(读或写)的次数，即随机存储速
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QDR-IV
SRAM
在过去40年里，随着制造工艺的进步，各种专用存储设备不断推向市场，满足着不同系统的存储需求。众多的选择，意味着系统架构师和设计者可以同时考虑多种方案，根据应用选择合适的存储子系统。尤其是在网络应用方面，架构师面临着不断增加的网络流量所带来的挑战。 据估计，2015年到2020年期间，网络流量的年均复合增长率(CAGR)将达到22%，这一增长主要来自于无线设备的爆炸式增长以及不断增加的视频用量。由于数据包处理的随机性，网络传输的关键—路由器和交换机的性能将和所使用的存储子系统的随机存取性能(以随机存取
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MAC
SRAM
STM32的基本系统主要涉及下面几个部分： 一、电源 1)、无论是否使用模拟部分和AD部分，MCU外围出去VCC和GND，VDDA、VSSA、Vref(如果封装有该引脚)都必需要连接，不可悬空; 2)、对于每组对应的VDD和GND都应至少放置一个104的陶瓷电容用于滤波，并接该电容应放置尽量靠近MCU; 3)、用万用表测试供电电压是否正确。调试时最好用数字电源供电，以便过压或过流烧坏板子。电压最好一步一步从进线端测试到芯片供电端。 二、复位、启动选择 1)、Boot引脚与JTAG无
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STM32
SRAM
针对嵌入式系统的低功耗要求，采用位线分割结构和存储阵列分块译码结构，完成了64 kb低功耗SRAM模块的设计。
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SRAM
DBL
64
kb
sram介绍
SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路，每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一 [
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