英特尔18A节点SRAM密度与台积电持平 背面功率传输是一大优势

英特尔在国际固态电路会议 (ISSCC) 上公布了半导体制造领域的一些有趣进展，展示了备受期待的英特尔 18A 工艺技术的功能。演示重点介绍了 SRAM 位单元密度的显著改进。PowerVia 系统与 RibbonFET (GAA) 晶体管相结合，是英特尔节点的核心。

该公司展示了其高性能 SRAM 单元的坚实进展，实现了从英特尔 3 的 0.03 µm² 减小到英特尔 18A 的 0.023 µm²。高密度单元也显示出类似的改进，缩小到 0.021 µm²。这些进步分别代表了 0.77 和 0.88 的缩放因子，这是 SRAM 技术的重大成就，曾被认为是通过缩放优势实现的。

实施 PowerVia 技术是英特尔解决处理器逻辑区域电压下降和干扰的首选方法。英特尔采用“环绕阵列”方案，战略性地将 PowerVias 应用于 I/O、控制和解码器元件，同时优化了无正面电源的位单元设计。

英特尔 18A 实现的 38.1 MBit/mm² 宏位密度使该公司处于强大的竞争地位。虽然台积电报告的数字与 N2 工艺相当，但英特尔采用 18A 的综合方案（结合 PowerVia 和 GAA 晶体管）可能会挑战三星和台积电，其长期目标是争夺台积电目前服务的优质客户，包括 NVIDIA、Apple 和 AMD 等巨头。