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美光后里厂火灾 公司声明营运未受任何影响

  • 中国台湾美光内存后里厂20日下午5点34分发生火警,火势快速扑灭,无人伤亡,美光昨深夜发出声明指出,台中厂火警厂区营运未受任何影响。 台中市消防局昨日傍晚5时34分获报,中国台湾美光位在后里区三丰路的厂房发生火灾,消防局抵达时厂区人员已将火势扑灭,无人受伤,原因有待厘清。根据经济日报报导,美光针对台中厂火警一事发出声明,经查证所有员工与承包商安全无虞,且厂区营运未受任何影响。美光是国际三大DRAM厂商,市占约19.2%,与前两大三星及SK海力士合计市占达96%。美光高达65%的DRAM产品在中国台湾生产,
  • 关键字: 美光  DRAM  

通用 DRAM 内存仍供大于求,消息称三星、SK 海力士相关产线开工率维持 80~90%

  • IT之家 6 月 19 日消息,韩媒 ETNews 援引业内人士的话称,韩国两大存储巨头三星电子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 内存产能利用率维持在 80~90% 水平。韩媒宣称,这一情况同主要企业已实现生产正常化的 NAND 闪存产业形成鲜明对比:除铠侠外,三星电子和 SK 海力士也已于本季度实现 NAND 产线满负荷运行。报道指出,目前通用 DRAM (IT之家注:即常规 DDR、LPDDR)需求整体萎靡,市场仍呈现供大于求的局面,是下游传统服务器、智能手机和 PC 产业复苏缓慢导致的
  • 关键字: DRAM  闪存  三星  海力士  

合约价劲涨护身 DRAM不怕淡季 Q1营收季增

  • 2024年第一季DRAM产业,受到主流产品合约价走扬、且涨幅较2023年第四季扩大,带动营收较前一季度成长5.1%,达183.5亿美元,推动多数业者营收呈季增趋势。TrendForce指出,第一季三大原厂出货皆季减,反映产业淡季效应,加上下游业者的库存水平垫高,采购量明显衰退。三大原厂延续着2023年第四季合约价上涨氛围,再加上库存仍处于健康水位,涨价意图强烈。其中,中系手机销售畅旺,带动mobile DRAM的价格涨幅领先所有应用,而consumer DRAM的原厂库存仍待去化,拖累价格涨幅居所有应用之
  • 关键字: 存储器  DRAM  TrendForce  

合约价上涨抵消淡季效应,推升DRAM第一季营收季增5.1%

  • 根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示,2024年第一季DRAM产业主流产品合约价走扬、且涨幅较2023年第四季扩大,带动营收较前一季度成长5.1%,达183.5亿美元,推动多数业者营收延续季增趋势。出货表现上,第一季三大原厂皆出现季减,反映产业淡季效应,加上下游业者的库存水平已垫高,采购量明显减弱。平均销售单价方面,三大原厂延续着2023年第四季合约价上涨氛围,再加上库存仍处于健康水位,故涨价意愿强烈。其中,中系手机销售畅旺,带动Mobile DRAM的价格涨幅领先所有应用,而Co
  • 关键字: 淡季效应  DRAM  TrendForce  集邦咨询  

南亚科技:首款 1C nm 制程 DRAM 内存产品 16Gb DDR5 明年初试产

  • IT之家 5 月 30 日消息,综合台媒《工商时报》《经济日报》报道,南亚科技在昨日的年度股东常会上表示,其首款 1C nm 制程 DRAM 内存产品 16Gb DDR5 颗粒将于明年初进入试产阶段。南亚科技目前已在进行 1B nm 制程的 DRAM 试产,涵盖 8/4Gb DDR4 内存和 16Gb DDR5 内存。南亚科技表示其首批 DDR5 内存将在下半年少量试产,明年进一步提升产量。此外南亚科技还在 1B nm 节点规划了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 内存、16
  • 关键字: 南亚科技  内存  DRAM  

美光计划投资约300亿元在日本新建DRAM厂

  • 据日媒报道,美光科技计划投入6000亿-8000亿日圆(约合人民币277-369亿元)在日本广岛县兴建新厂,用于生产DRAM芯片。这座新厂房将于2026年初动工,并安装极紫外光刻(EUV)设备。消息称最快2027年底便可投入营运。报道称,此前,日本政府已批准多达1920亿日圆补贴,支持美光在广岛建厂并生产新一代芯片。去年,日本经济产业省曾表示,将利用这笔经费协助美光科技生产芯片,这些芯片将是推动生成式AI、数据中心和自动驾驶技术发展的关键。
  • 关键字: 美光  DRAM  日本  EUV  

HBM火热效应 DRAM下半年 可望供不应求

  • 三星、SK海力士及美光等国际内存巨擘,皆积极投入高带宽内存(HBM)制程,法人表示,在产能排挤效应下,下半年DRAM产品恐供不应求,预期南亚科、威刚及十铨等业者受惠。据TrendForce研究,DRAM原厂提高先进制程投片,产能提升将集中今年下半年,预期1alpha nm(含)以上投片,至年底将占DRAM总投片比重约40%。由于HBM获利表现佳,加上需求续增,生产排序最优先。以HBM最新发展进度来看,2024年HBM3e将是市场主流,集中在2024年下半年出货。SK海力士依旧是主要供货商,与美光均采1be
  • 关键字: HBM  DRAM  TrendForce  

三星和SK海力士计划今年下半年将停产DDR3

  • 近两年,DRAM市场已经开始从DDR4内存向DDR5内存过渡,此外在存储器市场经历低迷后,供应商普遍减少了DDR3内存的生产并降低了库存水平。DDR3内存的市场需求量进一步减少,更多地被DDR4和DDR5内存所取代。据市场消息称,全球头部DRAM供货商三星、SK海力士将在下半年停止供应DDR3内存,全力冲刺高带宽内存(HBM)与主流DDR5规格内存。随着三星和SK海力士停产DDR3内存,很可能带动DDR3内存的价格上涨,预计涨幅最高可达20%。三星已经通知客户将在本季度末停产DDR3;而SK海力士则在去年
  • 关键字: 三星  SK海力士  内存  DRAM  HBM  

SK 海力士、三星电子:整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存

  • IT之家 5 月 14 日消息,据韩媒 Hankyung 报道,两大存储巨头 SK 海力士、三星电子在出席本月早前举行的投资者活动时表示,整体 DRAM 生产线中已有两成用于 HBM 内存的生产。相较于通用 DRAM,HBM 内存坐拥更高单价,不过由于 TSV 工艺良率不佳等原因,对晶圆的消耗量是传统内存的两倍乃至三倍。内存企业唯有提升产线占比才能满足不断成长的 HBM 需求。正是在这种“产能占用”的背景下,三星电子代表预计,不仅 HBM 内存,通用 DRAM(如标准 DDR5)的价格年内也不会
  • 关键字: 海力士  三星  DRAM  

第二季DRAM合约价涨幅上修至13~18%;NAND Flash约15~20%

  • 据TrendForce集邦咨询最新预估,第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%;NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%,全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小,约10%。403地震发生前,TrendForce集邦咨询原先预估,第二季DRAM合约价季涨幅约3~8%;NAND Flash为13~18%,相较第一季涨幅明显收敛,当时从合约价先行指标的现货价格就可看出,现货价已出现连续走弱,上涨动能低落、交易量降低等情况。究其原因,主要是除了AI以外的终端需求不振,尤其笔电、智能手机
  • 关键字: DRAM  NAND Flash  TrendForce  

2025年HBM价格调涨约5~10%,占DRAM总产值预估将逾三成

  • 根据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示,受惠于HBM销售单价较传统型DRAM(Conventional DRAM)高出数倍,相较DDR5价差大约五倍,加上AI芯片相关产品迭代也促使HBM单机搭载容量扩大,推动2023~2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上。产能方面,2023~2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%,至2025年占比预估将超过10%。产值方面,2024年起HBM之于DRAM总产值预估可逾20%,至2025年占比有机会逾三成。2024年HBM
  • 关键字: HBM  DRAM  TrendForce  

SK海力士计划在清州M15X工厂新建DRAM生产基地

  • 自SK海力士官网获悉,4月24日,SK海力士宣布,为应对AI半导体需求的急剧增长,计划扩大AI基础设施核心组件HBM等下一代DRAM的生产能力。SK海力士表示,若理事会批准该计划,三星电子将在忠北清州M15X工厂建立新的DRAM生产基地,并投资5.3万亿韩元用于建设新工厂。该工厂计划于4月底开始建设,目标是在2025年11月完工,并进行早期批量生产。随着设备投资的逐步增加,新生产基地的长期总投资将超过20万亿韩元。(图源:SK海力士官网)SK海力士总经理郭鲁正(Kwak Noh-Jung)称,M15X将成
  • 关键字: SK海力士  AI  DRAM  

存储大厂技术之争愈演愈烈

  • AI、大数据等应用催生海量存储数据需求,也对存储技术提出了更高要求,这一背景下,存储大厂技术竞争愈演愈烈。闪存方面,大厂聚焦层数突破。近期,韩媒报道,三星电子预计将于本月晚些时候量产第九代V-NAND闪存,该公司已于2022年量产了236层第八代V-NAND闪存,即将量产的第九代V-NAND闪存将继续使用双闪存堆栈的结构,层数将达到290层。另据业界预测,三星未来第十代V-NAND层数有望达到430层,届时三星将换用三堆栈结构。而更遥远的未来,三星、铠侠两家厂商透露将发力1000层闪存。三星计划2030年
  • 关键字: 存储器  DRAM  TrendForce  

美光:预计台湾地区地震对本季度 DRAM 内存供应造成中等个位数百分比影响

  • IT之家 4 月 12 日消息,美光于 10 日向美国证券交易委员会 SEC 递交 8-K 重大事项公告,预计本月初的台湾地区地震对其二季度 DRAM 内存供应造成“中等个位数百分比”的影响。美光在台湾地区设有桃园和台中两座生产据点。根据 TrendForce 集邦咨询此前报告,地震导致当时桃园产线上超六成的晶圆报废。美光在公告中表示美光全体员工安然无恙,设施、基建和生产工具未遭受永久性损害,长期 DRAM 内存供应能力也没有遇到影响。直至公告发稿时,美光尚未在震后全面恢复 DRAM 生产,但得
  • 关键字: DRAM  闪存  美光  

3D DRAM进入量产倒计时

  • 在 AI 服务器中,内存带宽问题越来越凸出,已经明显阻碍了系统计算效率的提升。眼下,HBM 内存很火,它相对于传统 DRAM,数据传输速度有了明显提升,但是,随着 AI 应用需求的发展,HBM 的带宽也有限制,而理论上的存算一体可以彻底解决「存储墙」问题,但该技术产品的成熟和量产还遥遥无期。在这样的情况下,3D DRAM 成为了一个 HBM 之后的不错选择。目前,各大内存芯片厂商,以及全球知名半导体科研机构都在进行 3D DRAM 的研发工作,并且取得了不错的进展,距离成熟产品量产不远了。据首尔半导体行业
  • 关键字: 3D DRAM  
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dram介绍

DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以 必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的数据就会丢失。 它的存取速度不快,在386、486时期被普遍应用。 动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组 [ 查看详细 ]

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