最新消息，由超过6.6万名韩国三星电子工会成员参与表决的投票结果显示，93.1%的工会成员赞成罢工。若无重大变化，三星电子工会成员将于5月21日至6月7日全面罢工。据悉，本次罢工将是三星史上最大规模的罢工计划。关键诉求：取消绩效奖金上限三星劳资双方此前就2026年薪资问题进行了多轮谈判，但双方就部分议题的分歧持续扩大，谈判最终破裂。如果此次罢工得以实施，这将是三星自1969年成立以来遭遇的第二次大罢工，距离上一次2024年7月的25天总罢工仅不到两年。三星工会要求提高绩效奖金计算标准的透明度，取消绩效奖金
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三星 存储 DRAM NAND HBM
据韩媒Chosun Biz、韩联社等援引市调机构Counterpoint Research数据显示，2026年第一季度，64GB服务器级DRAM模块（RDIMM）DDR5价格较2025年第四季度上涨150%，移动终端用12GB LPDDR5X上涨130%。即使是前代的8GB SO-DIMM DDR4，价格也暴涨180%。不仅是DRAM价格出现130%~180%的大幅上涨，NAND产品线也上涨约130%~150%，涨幅远超此前预期的季度增长100%。业界预测，存储供应短缺状况预计将持续至2027年下半年。A
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DRAM NAND
SK 海力士宣布，已成功开发基于第六代 10 奈米级（1c）制程技术的 16Gb LPDDR6 DRAM。公司表示，该产品已完成全球首度 1c LPDDR6 验证，预计今年上半年完成量产准备，并于下半年开始供货。LPDDR（Low Power Double Data Rate）是一种主要应用于智能手机与平板等行动装置的低功耗 DRAM 标准，通过低电压运作降低能源消耗。SK 海力士表示，新一代 LPDDR6 主要锁定 On-device AI 应用，例如智能手机、平板电脑等终端设备。与
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SK 海力士 LPDDR6 DRAM
随着人工智能热潮推动存储需求增长，半导体设备制造商在收获红利的同时，也在加深与头部存储厂商的合作。据路透社报道，应用材料（Applied Materials）已与美光科技（Micron）、SK 海力士达成合作，共同开发对人工智能与高性能计算至关重要的下一代芯片。3 月 10 日，应用材料发布新闻稿称，已与 SK 海力士签署长期合作协议，加速 DRAM 与 HBM 技术研发。双方将在应用材料新建的研发中心 ——设备与工艺创新与商业化中心（EPIC Center），聚焦存储材料、工艺整合及 3D 先进封装技术
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应用材料 美光 SK海力士 半导体 DRAM HBM NAND
应用材料公司今日宣布，正与美光科技展开合作，研发新一代动态随机存取存储器、高带宽内存及闪存解决方案，以提升人工智能系统的高能效表现。双方整合了应用材料位于硅谷的 EPIC 创新中心的先进研发能力，以及美光位于爱达荷州博伊西的顶尖创新中心资源，助力巩固美国半导体领域的创新研发体系。应用材料总裁兼首席执行官加里・迪克森表示：“应用材料与美光长期保持合作关系，始终致力于通过突破材料工程与制造创新的边界，打造性能更优、能效更高的先进存储芯片。下一代存储技术在人工智能系统的未来发展中愈发关键，我们十分欣喜能以 EP
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应用材料 美光 HBM 闪存 DRAM
此前，国家发改委价格监测中心发文称，2025 年 9 月至今，受需求「爆发式」增长、产能「断崖式」紧缺等因素影响，全球存储器市场缺口扩大，存储芯片价格持续上涨，近 1 个月多以来，涨幅呈现扩大态势，建议关注存储芯片对下游价格的影响。那么下游哪些产业会受到影响呢？全品类存储价格全线冲高，涨价潮持续加码硬件存储价格的暴涨已持续半年，上行趋势仍在持续强化。本轮涨价覆盖了 DRAM、NAND Flash 两大主流存储品类，以及 Nor Flash、车规级存储等细分赛道，呈现出「全品类普涨、涨幅
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DRAM Flash
DRAM 平均现货价格（2 月 25 日 - 3 月 3 日）DDR5 16Gb 4800/5600（2G×8）：77.36→79.14，涨幅 2.25%DDR5 16Gb（2G×8）eTT 版 3200：38.67→39.17，涨幅 1.29%DDR4 16Gb（2G×8）eTT 版：32.34→33.02，涨幅 2.48%DDR4 16Gb（1G×8）3200：20.20→20.70，涨幅 2.10%DDR4 8Gb：13.53→13.66，涨幅 1.02%最新更新时间：2026 年 3 月 4 日
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存储器 DRAM 现货价 合约价 集邦咨询
人工智能引发内存供应危机，DRAM 市场被迫启用 “小时级定价” 模式 —— 数万家中小企业为生存展开激烈争夺逾 19 万家中小型电子企业正被人工智能浪潮挤出内存市场。据《电子时报》今日发布的报道，受人工智能需求激增引发的内存短缺问题持续加剧影响，内存价格开始以小时为单位波动。半导体行业内部人士提醒，若中小厂商无法预付货款并立即下单，短短数分钟内报价就可能大幅上涨。报道指出，当前内存市场已明显分化：约 100 家头部采购商凭借议价能力牢牢掌握货源，而超过 19 万家中小企业只能争抢剩余的少量库存。人工智能
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内存 DRAM NAND
据报道，全球前两大DRAM芯片大厂三星和SK海力士已向客户发出通知，今年第二季度将继续大幅提高DRAM价格。而具体的涨价幅度则因客户而异，但中小型客户可能将不得不接受大幅涨价以确保DRAM供应。这一波DRAM价格的持续上涨，是因为自去年下半年起因AI基础设施建设热潮刺激 —— 这也彻底改变了交易惯例，大客户与中小企业之间的购买力差距也在扩大。有业内人士观察到，有些客户必须接受价格上涨超过之前合同价格的两倍以上，才能获得DRAM的批量供应。近期有消息显示，三星在与苹果就LPDDR5X供应价格进行谈判时，三星
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三星 SK海力士 DRAM
据中国台湾媒体报道，SK海力士和三星两大内存巨头接连传出涨价消息，DDR5内存颗粒价格拟上调40%，第二季度DRAM价格或将翻倍。 内存模组厂商已暂停对外报价，等待成本重新核算。据中国台湾《PCDIY！》资深记者Rose Lee透露，新一波内存涨价将呈现“一浪接一浪”的迅猛态势，传导速度极快。其中，DDR5主流32GB规格产品价格预计将从目前约新台币1万元飙升至2万元，突破历史新高。目前，全球渠道商和代理商仍有部分低价库存，但随着成本上涨，这些库存将逐步被消化，市场将全面进入高价时代。
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DDR5 DRAM
据市场研究公司DRAMeXchange于2月27日发布的数据显示，DRAM和NAND闪存芯片的价格继续同步上涨，其中DRAM价格再次创下历史新高，达到13美元，而NAND闪存价格涨幅超过33%。自去年4月以来，通用DRAM价格已连续11个月上涨。数据显示，2月份通用PC DRAM产品（DDR4 8Gb 1Gx8）的平均固定交易价格为13.00美元，较上月的11.50美元上涨了13.04%。这一价格创下自2016年6月开始该项调查以来的最高纪录。TrendForce分析指出，PC DRAM价格较上一季度上涨
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存储芯片 DRAM NAND TrendForce
随着AI服务的进步，需求不断增长，而供应仍然有限，分析师预计今年内存价格的上涨趋势将持续。一些人认为，市场已经进入了供应商主导的阶段。目前，SK海力士的DRAM和NAND库存已降至约四周的供应量。稳健的库存管理和紧张的供需环境有利于就长期合同进行磋商，DRAM相对于需求的短缺也可能有利于2027年HBM业务的扩张。SK海力士认为，在AI客户强劲需求的推动下，当前的内存价格上涨趋势可能贯穿全年。虽然PC和移动用户可能因价格大幅上涨而降低配置（despeccing），这可能会抑制需求，但由于供应扩张能力有限，
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存储 NAND DRAM SK海力士
AI应用持续推动内存需求激增，昨日华邦电子（Winbond）在法说会上指出，DRAM供应紧张已成为当前焦点。据《经济日报》报道，公司表示DRAM短缺将持续存在，本季度内存价格预计将飙升90%–95%，而下一季度的涨幅有望与本季持平。《经济日报》进一步指出，除了本季度价格接近翻倍外，第二季度价格预计还将再上涨近一倍，这意味着到2026年6月底，DRAM价格可能达到2025年底水平的近4倍。《工商时报》也提到，华邦2025年和2026年的产能已全部售罄，产线处于满载运转状态。受此强劲涨价趋势推动，机构投资者对
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华邦 DRAM
如今科技领域似乎一切都围绕AI展开，而事实也的确如此。在计算机内存市场，这一点体现得尤为明显。为AI数据中心中GPU及其他加速芯片提供支持的DRAM需求极其旺盛、利润空间巨大，导致原本用于其他领域的内存产能被分流，价格也随之暴涨。据Counterpoint Research数据，本季度截至目前，DRAM价格已上涨80%～90%。电子行业为何会陷入这一困境？当前局面是DRAM行业周期性繁荣与衰退叠加前所未有的AI硬件基础设施建设浪潮共同导致的结果。供需剧烈波动的核心要理解这一事件的来龙去脉，就必须认识到造成
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DRAM GPU
2 月 2 日，英特尔宣布与软银子公司 SAIMEMORY 达成合作，共同研发 Z-Angle 内存（ZAM），其内存领域的野心再度引发关注。根据双方发布的新闻稿，该项目将于 2026 年第一季度启动，预计 2027 年推出原型产品，2030 年实现全面量产。在此次合作中，英特尔将提供技术与创新支持，SAIMEMORY 则主导产品研发与商业化进程。《日本电子工程时报》援引软银发言人的表述称，“ZAM” 中的 “Z” 代表 Z 轴，研发团队正考虑采用垂直堆叠结构设计。报道还提到，软银计划在 2027 财年完
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英特尔 DRAM 软银 Z-Angle 内存项目
dram介绍
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的数据就会丢失。 它的存取速度不快，在386、486时期被普遍应用。
动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组 [
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