- 根据 ZDNet 在 25 日的报道，引用行业消息人士称，全球领先的半导体后端设备制造商预计将在 2025 年下半年扩大其 HBM 混合键合业务。BESI 预计 2025 年下半年混合键合订单将增长7 月 24 日，荷兰设备制造商 BESI 在其 2025 年第二季度财报中表示，预计第三季度将表现强劲，先进封装设备订单（包括混合键合系统）将增加。该公司指出，混合键合工具的需求预计在 2025 年下半年将显著增长——与上半年相比，也与 2024 年同期相比——因为客户
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HBM 三星 存储
- 根据 TrendForce 最新内存现货价格趋势报告，关于 DDR4，由于两家主要韩国供应商对消费级 DRAM 芯片实施了显著的月度价格上调，之前的价格下跌趋势有所缓解。至于 NAND 闪存，高容量产品受到买方和卖方预期价格差异的限制，实际交易中变得稀缺。详情如下：DRAM 现货价格：关于 DDR4 产品的现货价格，由于两家主要韩国供应商对消费级 DRAM 芯片实施了大幅度的月度涨价，之前的价格下跌趋势有所缓和。目前，DDR4 市场显示现货价格已停止下跌，交易量有明显增加。转向 DDR5 产品，随着合约价
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存储 DRAM DDR4
- 随着 JEDEC 于 7 月 9 日发布 LPDDR6 标准，内存巨头正竞相满足来自移动和 AI 设备的激增需求。值得注意的是，据行业消息人士援引 商业时报 的报道，DDR6 预计将于 2027 年进入大规模应用。领先的 DRAM 制造商，包括三星、美光和 SK 海力士，已经启动了 DDR6 开发，重点关注芯片设计、控制器验证和封装模块集成。正如商业时报所述，三大主要 DRAM 制造商已完成 DDR6 原型芯片设计，现在正与内存控制器和平台参与者如英特尔和 AMD 合作进行接口测试。在
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- 据称，英伟达今年计划采购高达 80 万个 SOCAMM 单位，三大内存巨头之间一个新的战场正在形成。美国美光似乎正在领先，据报道，美光已开始为英伟达生产 SOCAMM 模块。与此同时，三星和 SK 海力士正积极加入竞争。以下是他们最新的进展。什么是 SOCAMM？如 Hansbiz 所述，SOCAMM（小型轮廓压缩附加内存模块）是一种新型服务器内存模块，使用低功耗 DRAM（LPDDR），并针对现有 HBM 无法完全支持的负载。韩国 Herald 解释说，SOCAMM 垂直堆
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英伟达 存储 三星 海力士 SOCAMM
- 随着内存制造商逐步淘汰 DDR4，预计出货将在 2026 年初结束，合同价格持续上涨。据中国的 华尔街见闻 报道，SK 海力士已将 DDR4 和 LPDDR4X 内存的合同价格上调约 20%，标志着新一轮价格上涨。这种趋势与 TrendForce 的发现相呼应，该机构指出，三大主要 DRAM 供应商正在将产能重新分配给高端产品，并逐步淘汰 PC、服务器级 DDR4 和移动 LPDDR4X。因此，据 TrendForce 预测，2025 年第三季度主流 DRAM 的平
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DDR4 DRAM 存储
- 随着主要内存制造商将产能转向 DDR5 和 HBM，他们的 DDR4 淘汰时间表逐渐清晰。根据商业时报的报道，三星、SK 海力士和美光计划在 2025 年末至 2026 年初停止 DDR4 出货。TrendForce 的最新调查也显示，三大 DRAM 供应商正在将产能转向高端产品，并已开始宣布 PC 和服务器级 DDR4 以及移动 LPDDR4X 的停产计划。因此，预计 2025 年第三季度的传统 DRAM 合同价格将上涨 10%至 15%。包括 HBM 在内，整体 DRAM 价格预计将上涨 15%至 2
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- 人工智能 （AI） 基础设施的主导地位将 Micron Technology （MU） 推到了聚光灯下。该公司 2025 年第三季度的销售额达到创纪录的 93 亿美元，同比增长 37%，凸显了其在为 AI 系统供应高带宽内存 （HBM） 芯片方面的关键作用。分析师认为，美光在 AI 内存热潮中的战略地位，加上被低估的倍数，使其成为一个引人注目的游戏。但与所有半导体股一样，周期性风险和估值障碍也迫在眉睫。以下是投资者应该注意的原因，以及为什么谨慎仍然很重要。AI Memory 淘金热美光
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- （图片来源：Getty / Comezora）科学家们工程化的一种突破性新型分子，可能为存储技术开启100倍于当前容量的新大门，这得益于一种能在所需低温下用常见冷却剂保持的单分子磁体，这是单分子磁体技术上的重大突破。曼彻斯特大学和澳大利亚国立大学（ANU）的化学家在《 自然 》上发表了研究结果。正如 Phys 所解释的那样，现代硬盘通过磁化由许多原子共同组成的小区域来存储数据，而单分子磁体可以单独存储数据，无需邻近分子的帮助，为超高密度数据存储铺平了道路。技术挑战在
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- 根据 TrendForce 最新的内存现货价格趋势报告，关于 DRAM，DDR4 模块的价格已经超过了 DDR5 模块的价格。展望未来，短期内一个关键的关注点是新的美国关税是否会被实施——这可能会引发又一波恐慌性购买。至于 NAND 闪存，由于国家补贴驱动的早期需求拉动，618 购物节对 NAND 闪存现货价格和交易的影响弱于预期。详情如下：DRAM 现货价格：现货市场价格显著上涨。此外，DDR4 模块价格已超过 DDR5 模块价格，从而本周需求略有放缓。然而，DDR4 产品的供应紧张程度远比 DDR5
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- 上周，台湾地区顶级 DRAM 制造商南亚科技据报道暂停了 DDR4 现货报价，因为价格飙升。现在，随着 DDR4 16Gb 芯片的价格几乎是同等 DDR5 的两倍——这是 DRAM 历史上的第一次——该公司有望从其大量库存中获利，根据经济日报的最新数据，引用了 DRAMeXchange 的数据，DRAMeXchange 是一个趋势力旗下的 DRAM 定价平台。随着三星、美光和中国芯片制造商缩减 DDR4 生产，南亚科技已成为该行业的主要供应商。据报告称，南亚科技第一季度库存飙升至创纪录的 37.59 亿新
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DDR4 DRAM 存储
- 随着将 HBM4 时代的希望寄托在其 1c DRAM 的进展上，据报道三星在良率方面取得了重大突破。据 sedaily 报道，该公司最近在其第六代 10nm 级 DRAM（1c DRAM）晶圆测试中实现了 50-70%的良率——这一数字较去年的 30%以下水平有了显著提升。值得注意的是，与 SK 海力士和美光等坚持使用更成熟的 1b DRAM 生产 HBM4 不同，三星正大胆押注下一代 1c DRAM。随着良率稳步提高，该公司计划在其华城和平泽工厂加大 1c DRAM 的生产规模，根据
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- 随着三星和美光等主要内存制造商减少 DDR4 生产并价格上涨，据报道，台湾地区的主要供应商南亚科技已暂停报价，这表明供应紧张和需求增长，据经济日报报道。行业消息人士进一步解释说，报价暂停主要发生在现货市场，而在合同市场，供应商正在囤积库存并稳步推高价格。TrendForce 的最新调查发现，由于两大主要 DRAM 供应商减少 DDR4 生产以及买家在美国关税变化前加速采购，服务器和 PC 的 DDR4 合同价格预计将在 2025 年第二季度大幅上涨。因此，服务器 DDR4 合同价格预计环比将上涨
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DRAM 存储 市场分析
- 当AI的浪潮席卷而来，存力与算力密切“配合”，为充分释放AI潜能提供强大支撑。在今日开幕的2025中国智算中心全栈技术大会上，Solidigm（思得）亚太区应用工程部总监翁昀以《加速存储创新，拥抱AI时代》为主题的演讲，向与会者介绍了以Solidigm大容量、高性能SSD为核心的存储系统，如何在AI时代不断提升效率、降低能耗，成为支撑人工智能发展支柱的实践经验。随着AI对存力需求的不断提升，传统存储往往会制约数据处理速度的提升，其高能耗也给数据中心的资源带来压力。Solidigm大容量SSD能够在更小的空
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- 1. 定义DDR：Double Date Rate 双倍速率同步动态随机存储器。DDR、DDR2、DDR3常用规格：2. 阻抗控制要求单端走线控制 50 欧姆，差分走线控制 100 欧姆3. DDR 布局要求通常，根据器件的摆放方式不同而选择相应的拓扑结构。A、DDR*1 片，一般采用点对点的布局方式，靠近主控，相对飞线 Bank 对称。间距可以按照是实际要求进行调整，推荐间距为 500-800mil。B、DDR*2 片，布局相对主控飞线 Bank 对称，常采用 T 型拓扑结构， 推荐间距如下：等长要求
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- 快科技5月4日消息，Cerabyte表示，其新型玻璃存储器的使用寿命可达5000年。据TH报道，近日，存储初创公司Cerabyte分享了一段视频，对其玻璃存储介质进行了严苛测试。该公司取下其玻璃存储介质的薄片，放入装满盐水的水壶中煮沸（100°C）。然后，为了进一步测试，又将其放入披萨烤箱中烤制（250°C）。这段耐久性演示就是为了证明，在极端环境下，Cerabyte玻璃存储器上的数据依然“100%完好无损”。Cerabyte成立于2022年，总部位于德国，致力于通过将一种“像象形文字一样耐用”的数据存储
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存储介绍
存储
cún chǔ （存存储储） 1.把钱或物等积存起来。《清会典事例·户部·库藏》：“户部奏部库空虚，应行存储款项。”《清会典·户部仓场衙门·侍郎职掌》：“每年新漕进仓，仓场酌量旧存各色米多寡匀派分储，将某仓存储某年米色数目，造册先期咨部存案。” 鲁迅 《书信集·致李小峰》：“《旧时代之死》之作者之家族，现颇窘，几个友人为之集款存储，作孩子读书之用。” 2.指积存的钱或物等 [
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