- 据报道，当地时间4月16日，JEDEC固态技术协会宣布，正式推出HBM4内存规范JESD270-4，该规范为HBM的最新版本设定了更高的带宽性能标准。据介绍，与此前的版本相比，HBM4标准在带宽、通道数、功耗、容量等多方面进行了改进。其中，HBM4采用2048位接口，传输速度高达8Gb/s，HBM4可将总带宽提高至2TB/s。 还支持 4 / 8 / 12 / 18 层 DRAM 堆栈和 24Gb / 32Gb 的芯片密度，单堆栈容量可达 64GB。此外，HBM4将每个堆叠的独立通道数加倍，从16个通道（
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- 4 月 8 日消息，德国铁电存储器公司（FMC）宣布与半导体企业 Neumonda 达成战略合作，将在德国德累斯顿建立新型非易失性存储芯片（FeRAM）生产线。这是继 2009 年英飞凌、奇梦达德国DRAM 工厂破产关停后，欧洲首次尝试重启存储芯片本土化生产。▲ 图源：Neumonda双方此次合作的核心是
FMC 研发的 "DRAM+" 技术。该技术采用 10nm 以下制程兼容的铪氧化物（HfO₂）作为铁电层，替代传统锆钛酸铅 PZT
材料，存储容量从传统 FeRAM 的 4-
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- 今日，存储芯片正式开始涨价浪潮。自此，存储市场长达多半年的低迷态势，终于迎来转折。存储芯片的两大主力产品 NAND 与 DRAM，在新一季度的市场表现也各不相同。NAND，开始涨价打响涨价第一枪的是 NAND 存储大厂闪迪，其表示将于4月1日开始实施涨价，涨幅将超10%，该举措适用于所有面向渠道和消费类产品。紧接着美光也告知将针对新订单提高价格，平均涨幅约 11%。3 月 25 日，美光直接发布涨价函，预计此次涨价幅度将在10%~15%。之后，SK 海力士、三星相继宣布将于4月同步上调NAND闪存价格。根
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- 3月3日消息，据报道，中微公司宣布拟在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。据披露，中微公司将在2025年至2030年期间投资约30.5亿元，用于该公司在成都市高新区建设研发中心、生产制造基地、办公用房及附属配套设施，配备先进的自动化生产线和高精度检测设备，满足量产需求。此外，该公司将积极推动公司上下游供应链企业落户成都高新区，推动形成半导体高端装备产业链集群。2月21日，中微公司与成都高新区签订合作协议，将在成都高新区落地研发及生产基地暨西南总部
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- 华为Mate 70系列旗舰手机12月4日正式开卖，研究公司TechInsights拆解后发现，该款手机采用南韩SK海力士制造内存芯片，主因在于美国禁止对中国大陆出口先进芯片制造设备，而大陆制造的内存芯片选择受限。《南华早报》报导，根据TechInsights的分析，华为Mate 70 Pro手机搭载SK海力士12GB低功耗行动DRAM及512GB NAND，高阶款Mate 70 Pro Plus也采用相同的NAND及SK海力士的16GB DRAM。TechInsights分析师崔贞东（Jeongdong
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- 当前，半导体已然成为国家科技发展的关键。尤其是随着国产化浪潮进一步推进，国内A股市场半导体领域兼并重组案例时有发生，跨界并购亦是屡见不鲜。前有TCL、海尔、格力、创维等传统家电入局造芯，后有百度、阿里、腾讯等互联网企业跑步进场，此外百货零售企业友阿股份、医药厂商双成药业、工业杀菌剂原药剂企业百傲化学、房地产商皇庭国际等都也都在筹划或正在布局半导体领域。近日，半导体领域又见跨界并购，而这次发起收购的企业是有“温州鞋王”之称的浙江奥康鞋业股份有限公司（以下简称“奥康股份”），其瞄准的是存储芯片领域。“温州鞋王
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- 12 月 20 日消息，据 TheElec 报道，韩国存储芯片巨头 SK 海力士赢得了一份向博通供应 HBM 芯片的大单，但具体额度未知。消息人士称，博通计划从 SK 海力士采购存储芯片，并将其应用到一家大型科技公司的 AI 计算芯片上。SK 海力士预计将在明年下半年供应该芯片。由于需要同时向英伟达和博通供应 HBM，SK 海力士肯定会调整其 DRAM 产能预测。这家公司计划明年将其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 产能扩大到 14~15 万片（IT之家注：单位是 300mm 直径的 12 英寸晶
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- 12 月 11 日消息，美国商务部周二表示，作为2022 年《芯片和科学法案》的一部分，美光科技已获得高达 61.65 亿美元（当前约 448.07 亿元人民币）的拨款，用于在美国制造半导体。该机构表示，这笔资金将支持美光的“二十年愿景”，即在纽约投资约 1000 亿美元、在爱达荷州投资 250 亿美元用于新工厂，并创造约 20,000 个新工作岗位。美国商务部还表示，美光将根据某些里程碑的完成情况逐步获得上述资金。此外，美国商务部还宣布已与美光科技达成初步协议，将额外提供 2.75 亿美元资金，用于扩建
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- 近日，存储市场多点开花，喜报频传。铠侠正式开启首次公开募股，计划10月上市；行业消息显示西部数据已开始剥离NAND和SSD业务；SK海力士子公司Solidigm二季度首度实现盈利，并积极推进IPO进度；此外据行业消息，继台积电以后，存储大厂美光计划买下友达两座大厂以扩产HBM产能；另外佰维存储、兆易创新等多家存储企业纷纷披露最新财报。01铠侠正式开启首次公开募股，计划10月上市据日媒报道，得益于人工智能（AI）市场对半导体需求的不断飙升，日本存储大厂铠侠已于8月23日向东京证券交易所提交了上市申请，目标在
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- 在这半年的时间里，存储芯片市场经历了多次价格波动。从年初的平稳开局，到随后的快速上涨，再到近期的波动调整，每一次价格变动都牵动着业界的神经。那么，这半年来存储芯片究竟涨价几何呢？机构预测和各原厂的涨价计划根据集邦咨询数据显示，2024 年第一季度，DRAM 芯片合约价格上涨多达 20%，NAND 闪存则是上涨多达 23%—28%。近日，TrendForce 还对第二季度存储产品价格作了最新预测，TrendForce 表示存储芯片价格或将持续上涨，第二季度 DRAM 合约价季涨幅将上修至 13~18%；NA
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- 据韩联社报道，韩国科技信息通信部7月15日发布的数据显示，今年上半年韩国信息通信技术（ICT）产业出口额同比增长28.2%，达1088.5亿美元，创下历年同期第二高纪录。在AI人工智能、IT信息技术和通信设备市场需求支撑下，韩国主力出口产品之一的半导体出口额同比猛增49.9%，达658.3亿美元。从半导体产业细分领域来看，由于高带宽存储器（HBM）等产品出口增加，上半年韩国存储芯片出口增势迅猛，同比骤增88.7%。此外，得益于服务器和数据中心投资增加以及个人电脑等设备需求增加，计算机和周边设备出口同比增长
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- 在2024年慕尼黑上海电子展的璀璨舞台上，华邦电子以其卓越的产品、领先的技术和广泛的应用解决方案吸引了众多业界目光。作为存储芯片领域的佼佼者，华邦电子不仅展示了其在DRAM、闪存及安全闪存等方面的最新成果，还带来了极具性价比和差异化价值的存储产品CUBE，以满足边缘 AI不断增长的需求。本次采访，我们有幸邀请到了华邦电子产品总监朱迪先生，深入探讨了华邦电子的产品、技术及应用领域的最新动态。“大家好，我是华邦电子产品总监朱迪。”在慕尼黑上海电子展的华邦电子展台E4馆-4110，朱迪先生以饱满的热情开启了本次
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- 自ChatGPT发布以来，人工智能AI迅速席卷全球，引发了新一轮的科技革命。与此同时，随着HBM市场需求持续火爆，以SK海力士、三星、美光等为代表的半导体存储芯片厂商亦抓住机会转变赛道，开启了新一轮的市场争夺战。投资约748亿美元存储芯片厂商SK海力士押注AI近日，据彭博社及路透社等外媒报道，半导体存储芯片厂商SK海力士计划投资103万亿韩元（约748亿美元）发展芯片业务，重点关注人工智能和半导体领域。报道称，韩国SK集团上周日在一份申明中表示，旗下存储芯片厂商SK海力士计划在2028年前投资103万亿韩
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- 7月1日消息，据国内媒体报道称，四川科学家借力AI 开发出"耐疲劳铁电材料"，让存储芯片无限次擦写。报道中提到，电子科技大学光电科学与工程学院刘富才教授团队联合复旦大学、中国科学院宁波材料技术与工程研究所在国际知名学术期刊《Science》上发表最新研究成果，开发出"耐疲劳铁电材料"，在全球范围内率先攻克困扰领域内70多年的铁电材料疲劳问题。铁电材料在经历反复极化切换后，极化只能实现部分翻转，导致铁电材料失效，即铁电疲劳。这一问题早在1953年就已被研究者发现报道，
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- 日前，美光（Micron）举行2024年Q3财报电话会议。美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在报告中提到，其位于爱达荷州博伊西的晶圆厂预计将于2027财年投入运营，而纽约州的克莱晶圆厂则预计将在2028财年或之后开始生产。2022年，美光曾宣布拟于未来20年投资1000亿美元，在纽约州克莱建设大型晶圆厂项目。其中包含2座晶圆厂的首阶段项目将耗资200亿美元，定于2029年投运。此外，美光还计划未来在纽约州克莱再建设两座晶圆厂，目标2041年投运。同年，美光还宣布计划在10年内投资150亿美
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存储芯片介绍
存储芯片就是存储文件的地方，由于是以芯片的形式存在，所以叫存储芯片。
解码芯片内装有解码软件及播放软件，存储在MP3内的音乐要靠解码芯片来解码后才能播放。
音质的好坏与解码芯片的品质和下载的音乐文件的压缩质量有关，另外跟耳机的品质也有很大关系。 [
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