- 4 月 8 日消息，德国铁电存储器公司（FMC）宣布与半导体企业 Neumonda 达成战略合作，将在德国德累斯顿建立新型非易失性存储芯片（FeRAM）生产线。这是继 2009 年英飞凌、奇梦达德国DRAM 工厂破产关停后，欧洲首次尝试重启存储芯片本土化生产。▲ 图源：Neumonda双方此次合作的核心是
FMC 研发的 "DRAM+" 技术。该技术采用 10nm 以下制程兼容的铪氧化物（HfO₂）作为铁电层，替代传统锆钛酸铅 PZT
材料，存储容量从传统 FeRAM 的 4-
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非易失性内存介绍
非易失性内存
NVM: non-volatile memory
也称作：非易失性存储器。
PCM（PRAM）: Phase-change Random Access memory,相变存储器。
非易失性内存的一种，利用存储单元的可逆的相变来存储信息。可擦写的CD/DVD一直在用这种技术。目前主流技术是采用硫族元素（元素周期表上“氧”那一列）做的合金，一般采用的是锗、锑、 [
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