- 4月24日消息，韩国内存巨头SK海力士公布2025年Q1财报，Q1营业利润同比增长158%，为7.44万亿韩元（约合52亿美元），超过预期的6.6万亿韩元。营收同比增长42%，达到17.63万亿韩元。数据显示，这是SK海力士第二好的季度业绩，此前该公司上一季度营收和营业利润均创历史新高。作为英伟达HBM(高带宽存储器)的重要供应商，SK海力士受益于HBM等AI关键组件的强劲需求增长。2025年Q1，SK海力士在DRAM市场的份额超过三星。报告期内，SK海力士占据了DRAM市场36%的份额，而三星是34%。
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- 三大原厂纷纷缩减旧制程产能，除三星电子已传宣布4月终止1y nm及1z nm制程的DDR4生产，美光亦通知客户停产服务器用旧制程DDR4模组，SK海力士据传也将DDR4产出比重降至20%。法人认为，市场景气低迷，上游存储器厂加速产品迭代，降低单位成本以提升获利，同时将资源转向高带宽记忆体（HBM）及DDR5等高阶产品。短期内内存价格受到关税备货与供给控制支撑，但整体环境不确定性高，未来基本面仍存隐忧。三星已通知供应链，1y nm及1z nm制程的8GB LPDDR4内存将于2025年4月停止生产（EOL）
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- 2025年4月23日，SK海力士宣布，公司成功完成CMM（CXL Memory Module）- DDR5 96GB（千兆字节）产品的客户验证，是基于CXL* 2.0标准的DRAM解决方案产品。SK海力士表示：“将此产品应用于服务器系统，相较于现有的DDR5模组，其容量增长了50%，宽带扩展了30%，可处理每秒最多36GB的数据。该产品有望显著降低客户在构建并运营数据中心时所需的总体拥有成本*。”继96GB产品验证，公司正在与其他客户开展128GB产品的验证流程。该产品搭载第五代10纳米级（1b）32Gb
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- 4月9日消息，根据Counterpoint Research的2025年第一季度内存追踪报告，SK海力士首次超越三星电子，以36%的市占率成为全球DRAM营收的领导者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM营收市占率达到36%，而三星电子紧随其后，市占率为34%，美光则以25%的市占率位列第三，其他厂商合计占据剩余的5%。SK海力士预期，营收与市占率的增长至少会持续到下一季度，其还表示，公司在关键的HBM市场占有率高达70%。Counterpoint Research资深分析师Jeongku Choi
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- 4月7日消息，据国外媒体报道称，三星公司领导层将对主要全球客户提高内存芯片价格——从当前水平提高3-5%。在三星看来，“需求大幅增长”导致DRAM、NAND闪存和HBM产品组合的价格上涨，预计2025年和2026年价格都会上涨。一位不愿透露姓名的半导体业内人士表示：去年全年供应过剩，但随着主要公司开始减产，供应量最近有所下降，目前三星涨价后部分新合同的谈判已然启动。此外，人工智能 (AI) 设备在中国接连出现，由于工业自动化，对半导体的需求正在逐渐增加。市场研究机构DRAMeXchange给出的统计显示，
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- 据韩媒报道，根据SK海力士向韩国金融监管机构FSS披露的文件，该企业已完成了收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第二阶段，交易正式完成。据了解，第一阶段完成于2021年12月30日，SK海力士当时支付了78422亿韩元，从英特尔接管SSD业务及其位于中国大连NAND闪存制造厂的资产。而在第二阶段中，SK海力士以32783亿韩元（约合人民币163亿元）的对价取得了包括NAND闪存晶圆的生产及设计相关的知识产权、研发人员以及大连工厂的员工在内的其余相关有形/无形资产。
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- 自SK海力士官网获悉，3月19日，SK海力士宣布推出面向AI的超高性能DRAM新产品12层HBM4，并且全球首次向主要客户提供了其样品。据悉，此次提供的12层HBM4样品，兼具了面向AI的存储器必备的世界最高水平速率，其容量也是12层堆叠产品的最高水平。该产品首次实现了最高每秒可以处理2TB（太字节）以上数据的带宽，相当于在1秒内可处理400部以上全高清（Full-HD，FHD）级电影（5GB=5千兆字节）的数据，运行速度与前一代（HBM3E）相比提高了60%以上。同时，公司通过在该产品上采用已在前一代产
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- 2025年3月19日，SK海力士宣布，推出面向AI的超高性能DRAM新产品12层HBM4，并且全球首次向主要客户提供了其样品。SK海力士强调：“以引领HBM市场的技术竞争力和生产经验为基础，能够比原计划提早实现12层HBM4的样品出货，并已开始与客户的验证流程。公司将在下半年完成量产准备，由此巩固在面向AI的新一代存储器市场领导地位。”此次提供的12层HBM4样品，兼具了面向AI的存储器必备的世界最高水平速率。其容量也是12层堆叠产品的最高水平。此产品首次实现了最高每秒可以处理2TB（太字节）以上数据的带
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- 在全球半导体产业格局加速重构的背景下，韩国存储巨头SK海力士即将为英特尔NAND业务画上句号。根据最新进展，SK海力士将在未来几周内支付最后一笔22.4亿美元款项，标志着历时五年的90亿美元收购案正式收官。这一交易不仅宣告了英特尔彻底退出闪存市场，更让SK海力士在与三星的竞争中握有新筹码。此次收购涵盖英特尔大连工厂的NAND制造业务及相关知识产权，其固态硬盘部门则独立为Solidigm子公司。值得关注的是，随着最后阶段资金到位，SK海力士将获得大连工厂的完整技术控制权。集邦咨询分析指出，此次整合有望推动S
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- 3月7日消息，近日，综合韩联社、ZDNet Korea、MK等多家韩媒报道，SK海力士在内部宣布将关闭其CIS（CMOS图像传感器）部门，该团队的员工将转岗至AI存储器领域。SK海力士称其CIS团队拥有仅靠存储芯片业务无法获得的逻辑制程技术和定制业务能力。存储和逻辑半导体高度融合的趋势下，将CIS团队和存储部门聚合为一个整体，才能进一步提升企业的AI存储器竞争力。
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- SK海力士将于2025年3月（协议预设的最早时间点）支付收购尾款，完成与英特尔NAND闪存业务的最终交割。随着交易的完成，将加强SK海力士在全球NAND闪存市场的地位，尤其是企业级固态硬盘（SSD）方面。随着AI技术的普及和应用，存储需求正在不断增长，HBM领域的领导者SK海力士却没有停止扩张的步伐，这次收购将使SK海力士与竞争对手三星展开直接竞争。· 2020年10月，SK海力士与英特尔达成协议，宣布以90亿美元收购其NAND闪存及存储业务；· 2021年12月，第一阶段的交易完成，SK海力士支付70亿
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- 2月28日消息，SK海力士正致力于开发新一代低功耗内存LPDDR5M，其数据传输速率与现有的LPDDR5T相同，均为9.6Gbps，但在能效方面实现了显著提升。LPDDR5M的工作电压从1.01-1.12V降至0.98V，能效提高了8%。这一技术突破预计将广泛应用于具备设备端AI功能的智能手机中，使其在本地运行密集型操作时消耗更少的电量，从而满足设备制造商对高效能、低功耗的需求。业内人士推测，SK海力士最快将于年内推出LPDDR5M产品。与此同时，SK海力士在高带宽内存（HBM）领域的研发也取得了重要进展
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- 2月17日消息，据韩国媒体报道，韩国半导体巨头SK海力士已开始紧急审查其使用的中国半导体电子设计自动化（EDA）软件，以应对美国可能出台的新政策。这些政策可能会限制韩国半导体公司使用中国软件，业界人士透露，SK海力士正在评估其使用的中国EDA软件是否符合未来政策要求。EDA软件被称为“芯片之母”，是芯片设计和制造过程中不可或缺的工具，用于模拟各种电路设计并预测结果。目前，EDA市场主要由美国公司主导，包括新思科技（Synopsys）、益华电脑（Cadence）和Siemens EDA，这些公司的市场占有率
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- 2月16日消息，据调研机构Counterpoint的最新报告，全球半导体市场（包括存储产业）在2024年预计将实现强劲复苏，全年营收同比增长19%，达到6210亿美元。这一增长主要得益于人工智能技术需求的大幅增加，尤其是内存市场和GPU需求的持续推动。从厂商来看，三星电子以11.8%的市场份额位居全球第一，随后分别是SK海力士（7.7%）、高通（5.6%）、博通（5%）、英特尔（4.9%）、美光（4.8%）、英伟达（4.3%）、AMD（4.1%）、联发科（2.6%）和西部数据（2.5%）。需要注意的是，此
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- 据报道，NAND闪存在2025年将继续面临需求疲软和供过于求的双重压力。三星、SK海力士、美光等NAND闪存制造商都选择在2025年执行减产计划。当前，存储器市场，尤其是NAND闪存领域，似乎正步入一个低迷阶段。自2024年第三季度以来，NAND闪存价格持续下滑，这一趋势使得供应商对2025年上半年的市场需求前景持悲观态度。长期的价格疲软无疑将进一步压缩企业的利润空间，为此，三星与SK海力士均选择在2025年第一季度实施更为激进的减产措施，将NAND闪存产量削减幅度提高至10%以上。在此前的上升周期时，N
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