- 三星计划在其 HBM4 中采用混合键合技术，以减少热量并实现超宽内存接口，该公司在韩国首尔举行的 AI 半导体论坛上透露。相比之下，该公司的竞争对手 SK 海力士可能会推迟采用混合键合技术，EBN 报道。高带宽内存 （HBM） 将多个存储器件堆叠在基础芯片上。目前，HBM 堆栈中的内存芯片通常使用微凸块（在堆叠芯片之间传输数据、电源和控制信号）连接在一起，并使用模塑底部填充质量回流 （MR-MUF） 或使用非导电膜 （TC-NCF） 的热压缩等技术进行键合。这些晶粒还使用嵌入在每个晶粒内的硅通孔
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- 随着存储器巨头加速布局HBM4和多层NAND产品，混合键合技术越来越受到关注。根据 ZDNet 的一份报告，韩国三星电子和SK海力士在关键专利方面仍然落后。该报告强调，三星和SK海力士披露的混合键合相关专利相对较少，大幅低于竞争对手长江存储。 据报道，三星电子已与长江存储签署了一项许可协议，在其下一代NAND中采用混合键合技术。此举反映了三星希望规避长江存储的专利的挑战，这些专利被认为难以避免。报告指出，长江存储在其“Xtacking”品牌下大规模生产基于混合键合的NAND已有大约四年
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- 近日，三星与长江存储（YMTC）签署了3D NAND混合键合（Hybrid Bonding）相关专利许可协议。不过，目前尚不清楚三星是否也获得了Xperi等其他公司的专利许可。三星从第10代V-NAND（V10）将开始采用NAND阵列和外围CMOS逻辑电路分别在两块独立的硅片上制造，因此需要长江存储的专利技术W2W（Wafer-to-Wafer）混合键合技术实现 —— 通过直接将两片晶圆贴合，省去了传统的凸点连接，形成间距为10μm及以下的互连。从而使得电路路径变得更短，显著提高了传输
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- 上周，IEEE电子元件与技术会议（ECTC）的研究人员推动了一项对尖端处理器和存储器至关重要的技术。该技术被称为混合键合，将两个或多个芯片堆叠在同一封装中，使芯片制造商能够增加其处理器和存储器中的晶体管数量，尽管曾经定义摩尔定律的传统晶体管收缩速度普遍放缓。来自主要芯片制造商和大学的研究小组展示了各种艰苦奋斗的改进，包括应用材料公司、Imec、英特尔和索尼在内的一些研究小组显示的结果可能导致3D堆叠芯片之间的连接密度达到创纪录的密度，即在一平方毫米的硅中约有700万个链接。Imec设法在每2微米放置一次的
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混合键合 3D芯片
混合键合介绍
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