- 近日，三星与长江存储（YMTC）签署了3D NAND混合键合（Hybrid Bonding）相关专利许可协议。不过，目前尚不清楚三星是否也获得了Xperi等其他公司的专利许可。三星从第10代V-NAND（V10）将开始采用NAND阵列和外围CMOS逻辑电路分别在两块独立的硅片上制造，因此需要长江存储的专利技术W2W（Wafer-to-Wafer）混合键合技术实现 —— 通过直接将两片晶圆贴合，省去了传统的凸点连接，形成间距为10μm及以下的互连。从而使得电路路径变得更短，显著提高了传输
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三星 长江存储 NAND 混合键合 晶栈 Xtacking 闪存
- 上周，IEEE电子元件与技术会议（ECTC）的研究人员推动了一项对尖端处理器和存储器至关重要的技术。该技术被称为混合键合，将两个或多个芯片堆叠在同一封装中，使芯片制造商能够增加其处理器和存储器中的晶体管数量，尽管曾经定义摩尔定律的传统晶体管收缩速度普遍放缓。来自主要芯片制造商和大学的研究小组展示了各种艰苦奋斗的改进，包括应用材料公司、Imec、英特尔和索尼在内的一些研究小组显示的结果可能导致3D堆叠芯片之间的连接密度达到创纪录的密度，即在一平方毫米的硅中约有700万个链接。Imec设法在每2微米放置一次的
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混合键合 3D芯片
混合键合介绍
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