- 根据 TrendForce 集邦咨询最新的内存现货价格趋势报告，关于 DRAM，现货市场显示，由于预期未来供应趋紧，DDR4 产品的价格相比 DDR5 产品的价格上涨幅度更大。至于 NAND 闪存，买家放慢了询价和交易的速度。详情如下：DRAM 现货价格：与合约市场的情况类似，现货市场显示，由于预期未来供应趋紧，DDR4 产品的价格与 DDR5 产品的价格相比上涨幅度更大。DDR5 产品的价格也继续逐步上涨，因为模块公司急于增加库存。TrendForce 集邦咨询相信，整体而言，现货价格在整个 2Q25
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内存 DDR4 DDR5
- 全球五大NAND Flash原厂同步实施减产，加上美中之间的新关税政策，带动买卖双方在90天宽限期内加速交易与出货，致使2025年第二季存储器价格，出现优于预期的反弹走势。五大NAND原厂同步减产，供给面收缩，助攻内存市场行情，根据调查，全球市占前五大NAND Flash制造商，包括三星、SK海力士、美光、铠侠与威腾，皆在2025年上半年启动减产计划，幅度在10%~15%，以调节供过于求的市场结构。此轮原厂同步减产，对存储器价格止跌回升形成支撑，加上中美贸易政策变量升高，促使业者加快在政策宽限期内完成交易
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内存
- 据称，可靠性和供应链问题迫使 Nvidia 推迟 SOCAMM 开发下一代零件。据称，Nvidia 推迟了即将推出的 SOCAMM 技术的推出，并推出了即将推出的 Blackwell 企业级 GPU。ZDNet 报道称，SOCAMM 现在计划与代号为“Rubin”的下一代 Nvidia GPU 一起推出。SOCAMM 最初应该与 GB300 一起首次亮相，GB300 是一款即将推出的 Blackwell Ultra 产品，针对工作站而不是服务器。GB300
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- 三星计划在其 HBM4 中采用混合键合技术，以减少热量并实现超宽内存接口，该公司在韩国首尔举行的 AI 半导体论坛上透露。相比之下，该公司的竞争对手 SK 海力士可能会推迟采用混合键合技术，EBN 报道。高带宽内存 （HBM） 将多个存储器件堆叠在基础芯片上。目前，HBM 堆栈中的内存芯片通常使用微凸块（在堆叠芯片之间传输数据、电源和控制信号）连接在一起，并使用模塑底部填充质量回流 （MR-MUF） 或使用非导电膜 （TC-NCF） 的热压缩等技术进行键合。这些晶粒还使用嵌入在每个晶粒内的硅通孔
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三星 HBM4 内存 混合键合
- 一、测试目的DDR3的测试分为三类：1、直流参数测试（DC Parameter Testing）：校验工作电流、电平、功率、扇出能力、漏电流等参数特性。内存的工作电流与功耗、负载有关，工作电流过高时，将造成功耗过高，给系统造成的负载过大，严重情况下将造成系统无法正常工作。存储芯片也存在漏电流，当漏电流超出阈值时可能造成系统无法正常工作。2、交流参数测试（AC Parameter Testing）：检测诸如建立时间、保持时间、访问时间等时间参数特性。3、可靠性测试（Functional Testing）：测
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- 三星已向其供应链传达消息，多款基于1y nm（第二代10nm级别）工艺制造的DDR4产品本月即将停产，以及1z nm（第三代10nm级别）工艺制造的8Gb LPDDR4也将进入EOL阶段。与此同时，美光已通知客户将停产服务器用的旧版DDR4模块，而SK海力士也被传将DDR4产能削减至其生产份额的20%。这意味着内存制造商正加速产品过渡，把更多资源投向HBM和DDR5等高端产品。ddr4和ddr5的区别· 带宽速度：DDR4带宽为25.6GB/s，DDR5带宽为32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度为
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- 在一项新的 Nature Communications 研究中，研究人员开发了一种内存铁电微分器，能够直接在内存中执行计算，而无需单独的处理器。拟议的差异化因素承诺能源效率，尤其是对于智能手机、自动驾驶汽车和安全摄像头等边缘设备。图像处理和运动检测等任务的传统方法涉及多步骤的能源密集型流程。这从记录数据开始，这些数据被传输到存储单元，存储单元进一步将数据传输到微控制器单元以执行差分作。由于差分运算是多项计算任务的基础，研究人员利用铁电材料的特性来制造他们的设备。Tech Xplore
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- 内存产业在美国对等关税政策反复变动下，提前出现备货热潮。 根据TrendForce最新调查，美方虽释出90天宽限期，却已实质改变内存供需方的作策略，买卖双方急于在宽限期内完成交易、生产出货，预期将推升第二季市场交易热度，DRAM、NAND Flash价格也同步上修。TrendForce资深研究副总吴雅婷指出，尽管关税宽限期暂时缓解市场对需求下滑的疑虑，品牌与通路商仍普遍抱持「降低不确定因素、建立安全库存」的心态，拉货力道显著升温，积极提高DRAM及NAND Flash的库存水位，进而带动供应链产能，尤其以
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- 4月7日消息，据国外媒体报道称，三星公司领导层将对主要全球客户提高内存芯片价格——从当前水平提高3-5%。在三星看来，“需求大幅增长”导致DRAM、NAND闪存和HBM产品组合的价格上涨，预计2025年和2026年价格都会上涨。一位不愿透露姓名的半导体业内人士表示：去年全年供应过剩，但随着主要公司开始减产，供应量最近有所下降，目前三星涨价后部分新合同的谈判已然启动。此外，人工智能 (AI) 设备在中国接连出现，由于工业自动化，对半导体的需求正在逐渐增加。市场研究机构DRAMeXchange给出的统计显示，
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- 美光已确认其提高内存价格的计划，理由是未来几年对 DRAM 和 NAND 闪存的需求强劲。该公司的最新公告表明，随着供应限制以及人工智能、数据中心和消费电子产品的需求增长推高了成本，价格将在 2025 年和 2026 年继续上涨。价格上涨之际，内存市场正从供应过剩和收入下降的时期反弹。在过去的一年里，由于主要供应商的减产以及对高性能计算和 AI 工作负载的需求增加，DRAM 和 NAND 闪存的价格稳步回升。随着美光确认有意提高价格，三星和 SK 海力士等其他内存制造商预计将效仿，进一步巩固价格上涨趋势。
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- 专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 与Micron合作推出了全新电子书，探讨内存在AI边缘应用中的重要性，以及有效部署边缘人工智能 (AI) 的关键设计考虑因素。Micron是创新内存和存储解决方案的行业知名企业，在边缘计算、数据中心、网络连接和移动等关键市场领域，为AI、机器学习和自动驾驶汽车的发展提供支持。在《5 Experts On Addressing The Hidden Challe
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- 3月21日消息，NVIDIA近日宣布了未来三代AI服务器，不但规格、性能越来越强，HBM内存也是同步升级，容量、频率、带宽都稳步前进。其中，基于GB300芯片的Blackwell Ultra NVL72今年下半年发布，继续采用HBM3E内存；明年下半年的Vera Rubin NVL144升级为下一代HBM4内存；后年下半年的Rubin Ultra NVL576继续升级为加强版HBM4E内存；而到了2028年的Feynman全新架构有望首次采用HBM5内存。与此同时，SK海力士、三星、美光三大原厂也纷纷展示
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- 2月24日消息，Intel放弃了广为看好的傲腾存储业务，与之合作的美光也结束了3DX Point存储技术的研发，但是来自中国的新存科技，却在非易失性存储方面取得了重大突破，无论容量还是性能都是一流水准。新存科技2022年7月成立于武汉，是一家专注于新型存储芯片研发、生产、销售的高科技企业，主要产品包括阻变存储、相变存储、铁电存储、磁阻存储，目前员工约200人，其中约90％为研发人员，硕士及以上学历占比77％。去年9月，新存科技发布了中国首款最大容量新型存储芯片“NM101”，现在又宣布了非易失性新型存储芯
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- 2 月 18 日消息，科技媒体 WccFTech 昨日（2 月 17 日）发布博文，报道称英伟达正积极研发名为“SOCAMM”的全新内存模块，主要用于 Project DIGITS 等个人 AI 超级计算机，可在性能方面带来巨大飞跃。该模块不仅体积小巧，而且功耗更低，性能更强，有望成为内存市场的新增长点。目前正与三星电子、SK 海力士和美光等内存厂商进行 SOCAMM 原型机的性能测试，预计最快将于今年年底实现量产。援引博文介绍，SOCAMM 拥有最多 694 个 I/O 端口，远超 PC DRAM 和
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- 2月17日消息，据BK最新报道，NVIDIA正与包括三星电子、SK海力士在内的主要内存半导体公司进行秘密谈判，合作开发新型内存标准SOCAMM，并推动其商业化。16日，业内人士证实了这一消息。此举标志着内存半导体领域的重大转转变，对B2B服务器市场和蓬勃发展的设备端AI领域都有潜在影响。据悉，SOCAMM被誉为新一代HBM（高带宽存储器），是系统级芯片高级内存模块的缩写，这是一种尖端的DRAM内存模块，可极大增强个人AI超级计算机的性能。与小型PC和笔记本电脑中使用的现有DRAM模块相比，SOCAMM的性
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内存介绍
【内存简介】
在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存，港台称之为记忆体）。
内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。我们平常使用的程序，如Windows操作系统、打字软件、游戏软件等， [
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