美光 宣布推出业内最高密度的抗辐射 SLC NAND 闪存。新发布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天级 NAND、NOR 和 DRAM 内存解决方案组合中的首款产品，现已实现商业化。该产品专为航空航天及其他极端严苛环境使用而设计。该产品已根据 NASA 的 PEM-INST-001 标准进行了严格的测试，包括极端温度循环、缺陷筛选和动态老化。它还基于美国军用标准 MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通过了辐射耐受性验证，确保其在高辐射环境中的可靠性。这
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美光 内存 NAND
(图片来源：YMTC)长江存储技术有限公司（YMTC），中国领先的 NAND 存储器生产商，自 2022 年底以来一直被美国商务部列入实体清单，这基本上禁止了其获取先进制造设备。尽管面临制裁和限制，YMTC 计划今年扩大其生产能力，目标是在 2026 年底前占据 NAND 存储器生产市场的 15%，据《Digitimes》报道。该公司还计划建设一条仅使用中国制造设备的试验生产线。YMTC 将扩大产能至每月 15 万片晶圆启动据 DigiTimes 报道，预计到 2024 年底，YMTC 的月产能将达到每月
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长江存储 NAND 内存
随着英伟达以及 Meta、谷歌等云巨头加大 AI 投入，推动 HBM 需求增长，分析师警告明年可能面临价格下跌。据高盛称，经济日报报道，竞争加剧和供过于求可能导致 2026 年首次出现 HBM 价格下跌——这对市场领导者 SK hynix 构成挑战。值得注意的是，据高盛称，2026 年 HBM 价格可能下跌两位数。此外，竞争加剧以及定价权向主要客户转移（SK hynix 受影响严重）可能挤压该公司的利润空间，高盛警告称。根据高盛的预测，HBM 价格下降的趋势可能归因于主要参与者 HBM 比特供应的显著增加
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HBM 内存 海力士
根据 TrendForce 最新的内存现货价格趋势报告，关于 DRAM，16Gb DDR4 消费者内存芯片的现货价格持续上涨，而 8Gb DDR4 等 PC 内存芯片则出现轻微回调。至于 NAND 闪存，供应商逐步释放产能资源，加上中国国家补贴的减弱效应，导致现货市场低迷。详情如下：DRAM 现货价格：尽管过去一周现货价格略有下降，但这主要反映了之前 DDR4 芯片价格的快速大幅上涨。整体供应仍然非常紧张。值得注意的是，16Gb DDR4 消费级 DRAM 芯片的现货价格继续上涨，而 8Gb DDR4 等
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内存 DDR4 DRAM
全球新兴记忆体与储存技术市场正快速扩张，而台积电、三星、美光、英特尔等半导体巨头正与专业IP供应商合作，积极推动先进非挥发性存储器解决方案的商业化。过去两年，相变内存（PCM）、电阻式随机存取内存 （RRAM） 和 自旋转移矩磁阻式随忆式内存 （STT-MRAM） 已从实验室走向次22纳米节点的试产阶段，并运用3D堆叠技术实现高密度，以解决传统DRAM和NAND闪存在延迟、耐用性和能源效率方面的限制。在台积电、三星、美光、英特尔等业界领导者的合作下，每年超过50亿美元的研发投入加速新材料与制程的成熟。 这
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AI 内存 台积电 三星 存储技术
随着第二季即将结束，多家内存原厂已展开第三季合约报价谈判。 原厂持续执行减产、并调整产品组合，市场供需变化牵动价格走势分歧，尤以高带宽记忆体（HBM）、LPDDR4X与DDR4等关键产品为观察重点。根据TrendForce调查，2025年DRAM整体位元产出将年增约25%，但若排除HBM产品，一般型DRAM位年增幅约20%，其中，三星、SK海力士及美光三大原厂成长幅度仅15%，反映产能资源向HBM倾斜。HBM成为AI服务器核心零组件，供应持续吃紧，特别是HBM3e更面临严重短缺，推升报价动能。在一般型DR
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内存 供应链 TrendForce
美光在 2025 财年第三季度的创纪录收入是由 HBM 销售额激增近 50%推动的——而且势头仍在继续。这家美国内存巨头现在目标是到年底占据约 25%的 HBM 市场份额，正如 ZDNet 所报道的那样。虽然其乐观的展望吸引了市场关注，但焦点也集中在其全球产能扩张能否跟上。以下是美光最新制造动向的简要回顾，包括国内和海外。美国生产时间表指向2027年开始2022 年 9 月，美光公司公布了一项 150 亿美元的扩张计划，计划在其爱达荷州博伊西总部建设一个尖端研发和半导体制造设施——这是
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美光 HBM 内存
NewSpace 是指私营公司和初创公司将太空探索商业化，与传统太空计划相比，政府的监督通常较少。在对全球连接（直接到蜂窝）的需求不断增长的推动下，NewSpace 计划旨在将 LEO 卫星星座与物联网相结合。这些任务通常依赖于较小的卫星，从纳米卫星到 250 公斤卫星，并且任务持续时间更短，成本更低，能够部署大规模 LEO 星座。由于 LEO 的发射成本较低且辐射暴露较少，许多 NewSpace 应用可以从 COTS 组件中受益，这些组件无需传统的军事或航空航天认证即可提供强大的性能。Infineon
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英飞凌 太空 内存
近日有消息称，微信正在优化聊天记录备份的功能，支持U盘等多种存储设备。对此，微信方面回应称正在小范围测试聊天记录备份功能优化。微信表示，和当前仅支持备份到电脑相比，优化后的功能支持用户通过手机微信，将聊天记录备份到外部存储设备（如U盘、移动硬盘），且可创建及管理多份备份文件，并支持自动备份。目前，该功能更新在持续扩大测试范围。聊天记录备份的具体路径是“微信设置-通用-聊天记录与迁移-备份与恢复”，如果你的微信在该功能的灰度测试范围，那么就会看到现在备份与恢复可以选择“备份到电脑、U盘等多种存储设备”或“支
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微信 内存
根据 TrendForce 集邦咨询最新的内存现货价格趋势报告，关于 DRAM，现货市场显示，由于预期未来供应趋紧，DDR4 产品的价格相比 DDR5 产品的价格上涨幅度更大。至于 NAND 闪存，买家放慢了询价和交易的速度。详情如下：DRAM 现货价格：与合约市场的情况类似，现货市场显示，由于预期未来供应趋紧，DDR4 产品的价格与 DDR5 产品的价格相比上涨幅度更大。DDR5 产品的价格也继续逐步上涨，因为模块公司急于增加库存。TrendForce 集邦咨询相信，整体而言，现货价格在整个 2Q25
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内存 DDR4 DDR5
全球五大NAND Flash原厂同步实施减产，加上美中之间的新关税政策，带动买卖双方在90天宽限期内加速交易与出货，致使2025年第二季存储器价格，出现优于预期的反弹走势。五大NAND原厂同步减产，供给面收缩，助攻内存市场行情，根据调查，全球市占前五大NAND Flash制造商，包括三星、SK海力士、美光、铠侠与威腾，皆在2025年上半年启动减产计划，幅度在10%~15%，以调节供过于求的市场结构。此轮原厂同步减产，对存储器价格止跌回升形成支撑，加上中美贸易政策变量升高，促使业者加快在政策宽限期内完成交易
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内存
据称，可靠性和供应链问题迫使 Nvidia 推迟 SOCAMM 开发下一代零件。据称，Nvidia 推迟了即将推出的 SOCAMM 技术的推出，并推出了即将推出的 Blackwell 企业级 GPU。ZDNet 报道称，SOCAMM 现在计划与代号为“Rubin”的下一代 Nvidia GPU 一起推出。SOCAMM 最初应该与 GB300 一起首次亮相，GB300 是一款即将推出的 Blackwell Ultra 产品，针对工作站而不是服务器。GB300
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Nvidia SOCAMM 内存
三星计划在其 HBM4 中采用混合键合技术，以减少热量并实现超宽内存接口，该公司在韩国首尔举行的 AI 半导体论坛上透露。相比之下，该公司的竞争对手 SK 海力士可能会推迟采用混合键合技术，EBN 报道。高带宽内存 （HBM） 将多个存储器件堆叠在基础芯片上。目前，HBM 堆栈中的内存芯片通常使用微凸块（在堆叠芯片之间传输数据、电源和控制信号）连接在一起，并使用模塑底部填充质量回流 （MR-MUF） 或使用非导电膜 （TC-NCF） 的热压缩等技术进行键合。这些晶粒还使用嵌入在每个晶粒内的硅通孔
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三星 HBM4 内存 混合键合
一、测试目的DDR3的测试分为三类：1、直流参数测试（DC Parameter Testing）：校验工作电流、电平、功率、扇出能力、漏电流等参数特性。内存的工作电流与功耗、负载有关，工作电流过高时，将造成功耗过高，给系统造成的负载过大，严重情况下将造成系统无法正常工作。存储芯片也存在漏电流，当漏电流超出阈值时可能造成系统无法正常工作。2、交流参数测试（AC Parameter Testing）：检测诸如建立时间、保持时间、访问时间等时间参数特性。3、可靠性测试（Functional Testing）：测
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内存 DDR3 测试测量
三星已向其供应链传达消息，多款基于1y nm（第二代10nm级别）工艺制造的DDR4产品本月即将停产，以及1z nm（第三代10nm级别）工艺制造的8Gb LPDDR4也将进入EOL阶段。与此同时，美光已通知客户将停产服务器用的旧版DDR4模块，而SK海力士也被传将DDR4产能削减至其生产份额的20%。这意味着内存制造商正加速产品过渡，把更多资源投向HBM和DDR5等高端产品。ddr4和ddr5的区别· 带宽速度：DDR4带宽为25.6GB/s，DDR5带宽为32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度为
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DDR4 DDR5 三星 SK海力士 内存 HBM
内存介绍
【内存简介】
在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存，港台称之为记忆体）。
内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。我们平常使用的程序，如Windows操作系统、打字软件、游戏软件等， [
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