全球晶圆厂扩张能否跟上美光 HBM 的激增？美国、日本和印度的最新时间表

美光在 2025 财年第三季度的创纪录收入是由 HBM 销售额激增近 50%推动的——而且势头仍在继续。这家美国内存巨头现在目标是到年底占据约 25%的 HBM 市场份额，正如 ZDNet 所报道的那样。虽然其乐观的展望吸引了市场关注，但焦点也集中在其全球产能扩张能否跟上。以下是美光最新制造动向的简要回顾，包括国内和海外。

美国生产时间表指向2027年开始

2022 年 9 月，美光公司公布了一项 150 亿美元的扩张计划，计划在其爱达荷州博伊西总部建设一个尖端研发和半导体制造设施——这是 20 多年来美国建造的第一家内存晶圆厂，根据其< span id=0>新闻稿 。

在 6 月 25 日的财报电话会议上，< span id=0> 美光透露，其位于爱达荷的第一家晶圆厂 ID1 在 6 月达到了一个主要的施工里程碑。美光表示，DRAM 晶圆生产预计将在 2027 年下半年开始，客户认证将随后进行。

就在几周前，6 月 12 日，这家美国内存巨头公布了一项 2000 亿美元的扩张计划，以提升国内制造业，其中包括在博伊西建设第二家晶圆厂。根据美光的说法，这家新工厂 ID2 预计将在其位于纽约的第一家晶圆厂之前开始生产。

然而，其位于纽约的 1000 亿美元超级晶圆厂项目自 2022 年宣布以来，一直面临反复的延误。据 syrause.com 和每日橙报报道，动工日期现推迟至 2025 年 11 月下旬或 12 月——远晚于原定的 2024 年 6 月目标。该公司表示，场地准备工作将于今年晚些时候开始，取决于环境审批的完成情况。

美光公司表示，纽约场地的准备工作计划于今年晚些时候开始，取决于州和联邦环境审查的完成情况。

广岛工厂按计划进行，预计2026年开始生产

另一方面，美光位于日本广岛县的新工厂进展顺利。据日经报道，美光现计划于 2026 年在其广岛工厂开始大规模生产下一代 DRAM。

值得注意的是，日经新闻报道，美光计划在 6 月份在其晶圆厂安装一套极紫外（EUV）系统。而 Rapidus 已经建立了一套用于测试的 EUV 系统，报道补充说，美光的安装将是日本首次用于大规模生产。

印度工厂于2025年下半年投入运营

同时，美光在印度的组装、测试、标记和包装（ATMP）工厂的建设正在加速。该设施专注于将晶圆转化为球栅阵列（BGA）集成电路封装、内存模块和固态硬盘，接近洁净室验证，据《 经济时报 》报道，第一阶段预计将在 2025 年下半年投入运营。

美国这家存储芯片制造商计划在印度两个项目阶段中投资高达8.25亿美元，报告显示，总资金——包括政府支持——达到27.5亿美元。

根据其新闻稿 ，美光公司预计该项目第二阶段，包括建设一个规模与第一阶段相当的工厂，将在本世纪下半叶开始。