据台媒《经济日报》报道，由于DDR4供应减少，再加上市场神秘买家大举出手扫货，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM现货价等规格单日都暴涨近8%。本季以来报价已翻涨一倍以上，不仅跨过DRAM厂损益平衡点，更达到让厂商暴赚的水平。如今DDR4不仅报价大涨，甚至比更高规格的DDR5报价更高，呈现“价格倒挂”，业界直言：“至少十年没看过现货价单日涨幅这么大。”根据DRAM专业报价网站DRAMeXchange最新报价显示，6月13日晚间DDR4现货价全面暴涨，DDR4 8Gb（1G×8）3200大涨7.8%，
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全球三大DRAM原厂确定从DDR4规格，转向先进制程产品。 继韩系两大内存业者先后释出DDR4停产时程，美光（Micron）确定已向客户发出信件通知DDR4将停产（EOL，End of Life），预计未来2~3季陆续停止出货。美光执行副总裁暨业务执行长Sumit Sadana接受DIGITIMES专访表示，DDR4将继续「严重缺货」，未来美光DDR4/LPDDR4 DRAM，仅会策略性针对三大领域长期客户持续供应，而DDR5/LPDDR5产品正进入市场价格甜蜜点。美光同步释出未来市场策略走向，会针对获利
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美光 DDR4 停产大缺货
美光本周宣布，该公司已开始向主要客户运送其下一代 HBM4 内存的样品。适用于下一代 AI 和 HPC 处理器的新内存组件具有 36 GB 的容量和 2 TB/s 的带宽。美光的首批样品是 12 层高器件，具有 36 GB 内存，具有 2048 位宽接口以及约 7.85 GT/s 的数据传输速率。这些样品依赖于采用该公司 1ß （1-beta） DRAM 工艺技术制造的 24GB DRAM 器件，以及台积电使用其 12FFC+（2nm 级）或 N5（5nm 级）逻辑工艺技术生产的逻辑基础芯片。美光最新一代
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生成式AI持续爆发，推升高带宽记忆体（HBM）需求急遽攀升。 全球三大内存厂—美光、SK海力士与三星电子全面投入HBM4战局，争抢AI加速器内存主导权。 其中，美光抢先宣布送样，技术领先态势明显。美光12日宣布，已将最新12层堆叠、容量达36GB的HBM4，送样给多家全球客户。 该产品采用先进的1β DRAM制程，搭配2048位宽高速接口，单堆叠传输速率突破2.0 TB/s，效能较前一代HBM3E提升超过60%，能源效率亦提升逾20%，预计2026年正式量产。美光指出，HBM4具备内存内建自我测试（MBI
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随着内存巨头加大对 10 纳米级 DRAM 的投入，美光于 6 月 3 日宣布，已开始运送全球首款基于 1γ 节点的 LPDDR5X 内存的认证样品，旨在增强旗舰智能手机的 AI 性能。正如 ZDNet 所指出的，1γ 工艺标志着第六代 10nm 级 DRAM，预计将在今年晚些时候加速量产。该节点的线宽约为 11 至 12 纳米，在韩国半导体行业通常称为 1c DRAM。ZDNet 还指出，LPDDR5X 代表了目前市场上最先进的一代低功耗 DRAM，主要应用于移动设备。根据美光的新闻
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美光科技今日（5 月 27 日）宣布，Motorola 最新功能强大的翻盖手机Motorola Razr 60 Ultra采用美光高性能、高能效的LPDDR5X内存以及先进的UFS 4.0解决方案。该款智能手机搭载Motorola基于大型语言模型的AI功能Moto AI，美光的LPDDR5X和UFS解决方案为其提供了所需的容量、能效、速率和性能。美光企业副总裁暨手机和客户端业务部门总经理Mark Montierth表示：“美光LPDDR5X内存和UFS 4.0存储解
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当三星全速推进其 12hi HBM3e 验证和 HBM4 开发时，美光一直处于低调状态。但据 New Daily 报道，这家美国内存巨头正在悄然崛起——其 12hi HBM3e 良率正在迅速提高，赢得了主要 CSP 的好评。该报告援引美光在投资者会议上的言论，表明该公司对 12hi HBM3E 押下重注，并预计该产品最早在 8 月的出货量将超过目前的 8hi HBM3e，目标是在第三季度末达到稳定的良率水平。此外，据 New Daily 报道，由于 NVIDIA 可能会加快其下一代 R
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三大原厂纷纷缩减旧制程产能，除三星电子已传宣布4月终止1y nm及1z nm制程的DDR4生产，美光亦通知客户停产服务器用旧制程DDR4模组，SK海力士据传也将DDR4产出比重降至20%。法人认为，市场景气低迷，上游存储器厂加速产品迭代，降低单位成本以提升获利，同时将资源转向高带宽记忆体（HBM）及DDR5等高阶产品。短期内内存价格受到关税备货与供给控制支撑，但整体环境不确定性高，未来基本面仍存隐忧。三星已通知供应链，1y nm及1z nm制程的8GB LPDDR4内存将于2025年4月停止生产（EOL）
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全球前三的内存制造商美光，不堪自家总统的对等关税压力，在全球开起涨价第1枪，要将关税转嫁给客户，因其海外生产基地主要位于亚洲，包括中国大陆、中国台湾、日、星和大马等，被加征10%-104%关税，虽然半导体产品豁免关税，但用于汽车、笔电和服务器等的内存模组和固态硬盘（SSD）仍要收关税，不得不告知美国客户，从美国时间4月9日起将加收产品附加费。据路透报道，美光透过信函告知美国客户，从今（4/9）起部分产品将额外收费，以抵销特朗普的对等关税冲击。 但美光并未回应路透报道。美国总统特朗普在4/2解放日，宣布4/
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4月7日消息，据国外媒体报道称，三星公司领导层将对主要全球客户提高内存芯片价格——从当前水平提高3-5%。在三星看来，“需求大幅增长”导致DRAM、NAND闪存和HBM产品组合的价格上涨，预计2025年和2026年价格都会上涨。一位不愿透露姓名的半导体业内人士表示：去年全年供应过剩，但随着主要公司开始减产，供应量最近有所下降，目前三星涨价后部分新合同的谈判已然启动。此外，人工智能 (AI) 设备在中国接连出现，由于工业自动化，对半导体的需求正在逐渐增加。市场研究机构DRAMeXchange给出的统计显示，
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美光已确认其提高内存价格的计划，理由是未来几年对 DRAM 和 NAND 闪存的需求强劲。该公司的最新公告表明，随着供应限制以及人工智能、数据中心和消费电子产品的需求增长推高了成本，价格将在 2025 年和 2026 年继续上涨。价格上涨之际，内存市场正从供应过剩和收入下降的时期反弹。在过去的一年里，由于主要供应商的减产以及对高性能计算和 AI 工作负载的需求增加，DRAM 和 NAND 闪存的价格稳步回升。随着美光确认有意提高价格，三星和 SK 海力士等其他内存制造商预计将效仿，进一步巩固价格上涨趋势。
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NAND Flash价格由谷底翻涨正蓄势待发，继SanDisk日前发函通知4月1日将调涨报价，近期市场传出，美光（Micron）、三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）以及中国的存储厂均将从4月起提高报价。由于二大韩厂减产措施发酵，美光日前新加坡NAND厂发生跳电，导致NAND供货转趋吃紧，长江存储旗下SSD品牌也将于4月起调涨代理价格，涨幅可望将超过10%，全球各大原厂不约而同推动涨价，NAND价格回涨速度优于原先预期。存储器业界观察，近期整体终端市场的需求并
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3月7日消息，美光推出了一款新的基于PCIe 6.x协议的固态硬盘原型产品，顺序读取速度达到了惊人的27GB/s，成为目前全球最快的PCIe 6.x SSD。这一速度不仅超越了美光去年推出的26GB/s的PCIe 6.x SSD，更是将现有PCIe 5.0 SSD的性能远远甩在身后。在数据中心连接解决方案提供商Astera Labs的展示中，美光的PCIe 6.x SSD原型搭配了Astera Labs的Scorpio P系列交换机，该交换机拥有64个PCIe 6.x通道和四端口架构。此外通过NVIDIA
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美光科技股份有限公司近日宣布，已率先向生态系统合作伙伴及特定客户出货专为下一代 CPU 设计的 1γ（1-gamma）第六代（10 纳米级）DRAM 节点 DDR5 内存样品。得益于美光此前在 1α（1-alpha）和 1β（1-beta）DRAM 节点的领先优势，1γ DRAM 节点的这一新里程碑将推动从云端、工业、消费应用到端侧 AI 设备（如 AI PC、智能手
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DeepSeek等AI模型驱动之下，存储器市场备受青睐。长远来看，AI等热潮将推动NAND Flash市场需求上涨，高容量存储需求有望为NAND Flash（闪存）市场提供新的增长动力。这一过程中，少不了技术升级与产品迭代。值得一提的是，为了提升存储技术的创新能力和市场竞争力，一些存储厂商之间正在进行技术共享和联合研发的合作。近期，美光、铠侠等公司闪存技术迎来革新，涉及3D NAND Flash与PCIe 6.0 SSD。铠侠X闪迪革新3D闪存技术：4.8Gbps、332层堆叠！在近期召开的2025年IE
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美光介绍
美光科技有限公司（以下简称美光科技）是全球最大的半导体储存及影像产品制造商之一，其主要产品包括DRAM、NAND闪存和CMOS影像传感器。美光科技先进的产品广泛应用于移动、计算机、服务、汽车、网络、安防、工业、消费类以及医疗等领域，为客户在这些多样化的终端应用提供“针对性”的解决方案。
美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高级半导体解决方案的全球领先供应商之 [
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