- 据印度媒体报导，苹果正在与美光科技、塔塔集团和其他印度芯片制造商，讨论为其本地生产的iPhone 采购半导体。根据报导，苹果计划到2026 年，将其全球26% 的iPhone 生产转移到印度，届时对当地半导体的需求预计将达到120 亿美元。如果美光和塔塔集团的部门，到时候能够生产出所需等级的产品，他们就可以从苹果这家全球最大的公司获得大量业务。苹果在印度制造的微芯片上的支出可能超过国防、航空和汽车领域任何其他一家公司。 2024 财年，苹果在印度生产了价值140 亿美元的iPhone，占其全球iPhone
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苹果 美光 塔塔集团 印度生产芯片
- 随着数据中心特别是AIGC相关的数据密集型应用场景对于大容量高性能存储的需求越来越高，存储器产品的更新换代成为数据存储市场竞争中的必然趋势。近日，美光科技接连发布在SSD方面的多个量产信息，重点满足数据中心和AI相关应用对高性能SSD产品的最新需求。 在数据中心应用方面，美光推出首款PCIe 5.0数据中心SSD—— 9550 SSD，专为高性能细分市场打造，在美光的产品组合中扮演着提供卓越数据中心SSD性能的角色，并吸引了众多云和企业客户。人工智能市场的兴起，对SSD的性能提出了更高要求，同时提升数据中
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- 行业人士消息，美光总裁暨CEO Sanjay
Mehrotra在今年7月访问中国台湾，将带来更进一步合作，例如在人工智能（AI）应用扮演重要角色的高带宽存储器（HBM）。据悉，美光将加码在中国台湾投资，除制造HBM先进制程外，不排除有机会在中国台湾创建第二个研发中心。据悉，中国台湾经济部门于2021年5月申请领航企业研发深耕计划（大A+），提出DRAM先进技术暨高带宽存储器研发领航计划，在中国台湾设立第一个研发中心，获补助47亿元新台币，将研发先进制程落脚在中国台湾生产。2021年，美光在中国台湾申请
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- 美光科技股份有限公司近日宣布，其采用第九代（G9）TLC NAND技术的 SSD 产品已开始出货，成为业界首家实现这一里程碑的厂商之一。美光 G9 NAND 技术具备高达 3.6 GB/s 的数据传输速率，提供卓越的数据读写带宽。该项 NAND 新技术为人工智能（AI）及其他数据密集型应用场景带来出色的性能，适用于个人设备、边缘服务器、企业和云数据中心。美光技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer 表
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- 美光科技股份有限公司近日宣布，推出数据中心 SSD 产品美光 9550 NVMe™ SSD，性能业界领先，同时具备卓越的 AI 工作负载性能及能效。美光 9550 SSD 集成了自有的控制器、NAND、DRAM 和固件，彰显了美光深厚的专业知识和创新能力。该款集成解决方案为数据中心运营商带来了业界领先的性能、能效和安全性。美光 9550 SSD 凭借 14.0 GB/s 的顺序读取速率和
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- IT之家 7 月 22 日消息，据外媒 Tomshardware 报道，中国 3D NAND 闪存制造商长江存储，日前再次将美光告上法院，在美国加州北区指控美光侵犯了长江存储的 11 项专利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 产品。长江存储还要求法院命令美光停止在美国销售侵权的存储产品，并支付专利使用费。长江存储指控称，美光的 96 层（B27A）、128 层（B37R）、176 层（B47R）和 232 层（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
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- 美光18日宣布，该公司多重存取双列直插式内存模块（MRDIMM）开始送样，针对内存需求高达每DIMM 插槽128GB以上的应用，其效能更胜目前的硅晶穿孔型（TSV）RDIMM。光第一代MRDIMM，与IntelR XeonR 6处理器兼容。美光MRDIMM现已上市，将于2024年下半年开始大量出货。 美光指出，开始送样的内存是美光MRDIMM系列的第一代产品，实现最高带宽、最大容量、最低延迟，以及更高的每瓦效能，加速内存密集型如虚拟化多租户、HPC和AI数据中心等的工作负载。美光副总裁暨运算产品事业群总经
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- 美光宣布旗下消费级品牌英睿达推出新款固态硬盘P310，这也是其首款M.2 2230 PCIe 4.0 SSD，将SSD带到了最小尺寸的M.2规格上。据悉，此次发布的P310系列，精心准备了1TB与2TB两种大容量选项，以满足不同用户的存储需求。其核心搭载了美光自主研发、业界领先的232层3D QLC NAND闪存技术，这一创新不仅大幅提升了存储密度，更在性能上实现了质的飞跃。具体而言，P310的顺序读取速度高达7100 MB/s，顺序写入速度也达到了惊人的6000 MB/s，同时，在4K随机读写测试中，分
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- 美光科技股份有限公司近日宣布，已出样多路复用双列直插式内存模块（MRDIMM）。该款 MRDIMM 将赋能美光客户应对日益繁重的工作负载，从而最大化计算基础设施的价值。对于需要每个 DIMM 插槽内存超过 128GB 的应用，美光 MRDIMM 提供最高带宽、最大容量、最低延迟以及更高的每瓦性能，在加速内存密集型虚拟化多租户、高性能计算和 AI 数据中心工作负载方面，表现优于当前的 TSV RDI
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- 近期在智慧手机、PC、数据中心服务器上，用于暂时储存数据的DRAM价格涨势停歇，买家拉货不积极，影响DRAM报价涨势。 业者期待，SK海力士、三星及美光前三大厂HBM产能增开，对一般型DRAM产生的排挤效应，加上产业旺季来临，可带动DRAM重启涨势。 据了解，6月指针性产品DDR4 8GB合约价约2.10美元、容量较小的4GB合约价1.62美元左右，表现持平，主要是供需双方对价格谈判，呈现拉锯状况。而另一方面，三星新一代HBM3E，据传有望通过辉达（NVIDIA）认证，辉达GB200将于2025年放量，其
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- AI应用热！SK海力士、三星及美光等全球前三大内存厂，积极投入高带宽内存（HBM）产能扩充计划，市场人士估计，2025年新增投片量约27.6万片，总产能拉高至54万片，年增105％。 HBM是AI芯片占比最高的零组件，根据外媒拆解，英伟达H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超过生产封装。HBM经历多次迭代发展，进入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相继采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是垄断HBM3市场，而2024年HBM3与HBM3E订单都满载。美光2
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- 全球内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日发布了2024 年可持续发展报告，详细介绍了美光在可持续发展方面的进展，彰显了其屡获殊荣的可持续发展成果，并进一步强化了对可持续发展和前沿技术的承诺。美光总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra 表示：“美光正在助推技术进步，这将在未来几年创造新的重大机遇。2024 年可持续发展报告彰显了我们当前的承诺和未来的雄心，即通过技术惠及我们的社区和地球。通过不懈努力，我们已经取得了稳步进展，我期待公
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- 什么是 GDDR7 内存？它是用于 GPU 的下一代图形内存，例如即将推出的 Nvidia Blackwell RTX 50 系列。它将在未来几年内用于各种产品，为现有的 GDDR6 和 GDDR6X 解决方案提供代际升级，从而提高游戏和其他类型的工作负载的性能。但这个名字下面还有很多事情要做。自从第二代GDDR内存（用于“图形双倍数据速率”）推出以来，这种模式就非常清晰。GDDR（前身为 DDR SGRAM）早在 1998 年就问世了，每隔几年就会有新的迭代到来，拥有更高的速度和带宽。当前一代
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- 日前，美光（Micron）举行2024年Q3财报电话会议。美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在报告中提到，其位于爱达荷州博伊西的晶圆厂预计将于2027财年投入运营，而纽约州的克莱晶圆厂则预计将在2028财年或之后开始生产。2022年，美光曾宣布拟于未来20年投资1000亿美元，在纽约州克莱建设大型晶圆厂项目。其中包含2座晶圆厂的首阶段项目将耗资200亿美元，定于2029年投运。此外，美光还计划未来在纽约州克莱再建设两座晶圆厂，目标2041年投运。同年，美光还宣布计划在10年内投资150亿美
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- 据韩媒报道，韩国后端设备制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高带宽内存 (HBM) 生产的演示热压 (TC) 键合机。双方已开始联合开发下一代键合机，用于HBM4生产。根据报道，美光还从日本新川半导体和韩美半导体采购TC键合机，用于生产HBM3E，于今年4月向韩美半导体提供了价值226亿韩元的TC Bonder采购订单。据透露，美光正在使用热压非导电薄膜 (TC-NCF) 工艺制造 HBM3E，该种工艺很可能会在下一代产品 HBM4 中采用。HBM4 16H产品正在考虑使用混合键合。此外，目前美光最大的
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美光介绍
美光科技有限公司（以下简称美光科技）是全球最大的半导体储存及影像产品制造商之一，其主要产品包括DRAM、NAND闪存和CMOS影像传感器。美光科技先进的产品广泛应用于移动、计算机、服务、汽车、网络、安防、工业、消费类以及医疗等领域，为客户在这些多样化的终端应用提供“针对性”的解决方案。
美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高级半导体解决方案的全球领先供应商之 [
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