当您向 AI 提问时，在 AI 生成回复的背后，发生着一些很奇妙的事情。AI 模型不仅仅会“思考”；它还会“记忆”。它会持续追踪对话中的每一个字、每一种关系、每一个细微差别。要保持这种记忆能力，需要投资。记忆所需内存以千兆字节 (GB) 为单位进行衡量，需要在毫秒间调用完成，并且正在悄然成为当今 AI 基础设施中最具价值的单一资产。这就是 KV 缓存，其发展并非简单增长，而是复利式累积叠加。什么是词元(Token)？为什么我们应该关心它的“红利”？词元是系统用于表示、处理或验证信息的最小数据单位，具体取决
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词元经济
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AI计算
KV缓存
2026年9月28日，国产存储芯片龙头长鑫科技发布公告，拟合计投入349亿元推进两大重点项目建设。其中，技术研发项目规划总投资241亿元，建设周期30个月；存储器晶圆后道测试基地二期项目规划总投资108亿元，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。长鑫科技拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目，同时通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司提供超募资金50亿元，用于投建后道测试基地二期项目。长鑫科技科创板IPO募集资金净额达663亿元，上市前拟募资金额为295亿
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长鑫科技
存储器
DRAM
三星
SK海力士
美光
美光科技股份有限公司近日宣布，公司已在多个服务器平台上成功演示全球首款 512GB DDR5 模组，标志其在内存创新领域取得重要里程碑。这一成果进一步巩固了美光在高性能、大容量服务器内存领域的领先地位，并为企业数据中心及云计算客户高效应对大规模、高要求人工智能（AI）、数据分析、内存数据库及仿真密集型工作负载提供支持。领先的半导体生态合作伙伴 AMD 及英特尔正积极对该模组进行验证，其速率至高可达 9,200 MT/s。该模组的大容量特性得益于美光先进的垂直互连封装创新。该产品采用硅通孔（TSV）技术，将
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美光
内存模组
超高密度内存模组
当 AI 驱动的机器人遇到突发情况，它需要实时处理海量信息，并快速判断下一步行动。内存支持信息的高速处理，存储则让 AI 模型、软件和运行数据随时可用。二者协同，为 AI 将数据转化为智能提供基础，也让机器人能够更快感知、判断并行动。随着机器人不断迈向更高水平的自主化与智能化，内存正在成为下一代机器人的“超能力”。一起了解美光内存与存储如何为机器人智能赋能。
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美光
内存
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机器人
据报道，美光正在探索研发高耐久度 NAND 闪存模块的方案：将闪存部署在更靠近 GPU 的位置，而非远端存储池、经过多层协议转发访问。该公司正在研究把 NAND 闪存向 GPU 侧迁移，用于处理那些不需要传统 HBM 或者普通 DRAM 所具备的低延迟、高带宽的业务负载。这套架构目前被称作GPU 近存 NAND（near‑GPU NAND），定位在存储密度与耐久度之间的折中方案。该构想下的 NAND 闪存，存储密度不及传统 TLC、QLC NAND，但重点优化 I/O 速度、带宽以及读取时延。举例来说，该
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美光
GPU
近存
NAND
闪存
大语言模型
8月20日，Micron 宣布成立 Micron Research Labs，总部位于美国爱达荷州 Boise，计划未来十年投入 100 亿美元。公司将其定位为美国首个专门面向内存的长期研究机构，研究范围覆盖下一代关键内存技术、先进内存与计算架构、先进封装，以及未来半导体制造，并明确要联合高校、政府、初创企业与产业伙伴一起做超出当前产品路线图的工作。该笔投入与 Micron 此前承诺的美国制造及研发超过 2500 亿美元分开计算，Boise 园区预计 2027 年动工，可容纳数百名研究人员。关键的不是金额
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Micron
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研发投入
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美光科技已成为 AI 计算生态中的核心供应商。公司依托在高端动态随机存储器（DRAM）、高带宽内存（HBM）与 NAND 闪存领域的技术领先优势，满足超大规模数据中心与 AI 加速芯片平台爆发式增长的需求。AI 训练、推理任务对内存带宽与容量提出前所未有的要求，而美光聚焦前沿内存架构的战略布局，大幅提升了自身行业竞争力。HBM 产品矩阵是美光增长战略的核心支柱。高带宽内存借助硅通孔（TSV）技术与先进封装工艺堆叠多颗 DRAM 裸片，相比传统 DDR 内存系统，可实现带宽大幅提升、功耗显著降低。目前美光
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8月4日消息，根据市场研究机构Counterpoint Research最新发布的《全球存储追踪报告》，2026年第二季度全球DRAM市场格局发生显著变化，三星份额重回第一，美光份额接近SK海力士，长鑫存储份额升至7%。三星重回第一，SK海力士份额遭挤压三星电子以39%的市场份额环比增加了1个百分点至39%，重返全球DRAM市场榜首，恢复至2024年水平，展现出其在通用DRAM供应和定价方面的压倒性优势。Counterpoint Research高级分析师Jeongku Choi指出：“三星克服了所有障碍
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长鑫存储
DRAM
SK海力士
三星
美光
长鑫科技
福特汽车公司和通用汽车本月均与美光科技签署了供应商协议，以支持下一代汽车的生产。据7月1日的新闻稿，美光将为通用提供低功耗双倍数据速率内存、NOR和通用闪存NAND产品。此外，美光还将与美光合作，制定未来的内存和存储需求。美光将为福特提供存储和存储技术，尽管在宣布协议的新闻稿中未详细说明具体产品。当《供应链潜航》联系到公司时，公司拒绝透露更多细节。深入洞察：福特和通用汽车通过加强内存和存储的供应来源，支持两大重点，即推动生产更先进的技术车辆，同时降低供应链风险。今年，福特推出了新的“生产、创造与工业化”单
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福特
通用汽车
美光
内存
上周末，美光科技广岛晶圆厂扩建工程正式动工，本次扩建总投资 93 亿美元，日本政府为此提供 48 亿美元补贴支持。动工仪式上，美光首席执行官桑杰・梅赫罗特拉表示：“美光首片 HBM 量产晶圆正是在广岛工厂产出。当美国的创新魄力与日本精湛制造工艺相结合，二者不会相互妥协，而是融合出全球顶尖的存储产品。”日本经济产业大臣赤泽亮司称，日本将倾尽所能，扶持半导体企业在本土建设晶圆工厂。目前美光正在博伊西建设两座晶圆厂，今年 1 月，其位于纽约州锡拉丘兹郊外、总投资 1000 亿美元的生产基地也已举办动工仪式。上月
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美光
晶圆厂
扩建
HBF 闪存带宽内存单堆栈容量超 HBM，但英伟达暂无意采用；今年启动送样，谷歌为核心大客户受内存硬件瓶颈制约，DRAM 与 NAND 闪存厂商闪迪正在研发创新存储方案，核心思路是在芯片内部堆叠 NAND 闪存。内存瓶颈倒逼存储厂商突破创新，闪迪提出片内堆叠 NAND 闪存技术人工智能产业高速扩张，算力需求同步暴涨，存储硬件瓶颈愈发凸显，迫使 DRAM、闪存厂商跳出传统技术路线寻求新解法。以往芯片厂商仅依靠迭代新一代 DRAM 存储技术就能满足市场需求，但如今 DRAM 成本攀升、研发与良率缺陷、功耗走高
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美光
闪迪
高带宽内存
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在AI算力竞赛的底层战场上，一场关于存储芯片的攻防战正悄然升级。2026年5月29日，三星电子向全球主要客户交付业界首批12层48GB HBM4E样品，距离其今年2月率先量产HBM4仅过去三个月。这一前所未有的迭代速度，更标志着HBM市场的竞争格局正迎来剧烈重构。三星一场深思熟虑的“抢跑”HBM4E作为三星当前最先进的高带宽内存产品，采用第六代10纳米级DRAM工艺（1c）与三星晶圆代工的4纳米逻辑基底芯片组合，支持每引脚14Gbps至16Gbps的运行速度，较上一代HBM4提升超过20%，单堆栈内存带宽
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HBM4E
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美光
AI
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近日，三家存储器厂商三星、SK海力士、美光共同投资美国人工智能（AI）企业Anthropic的消息引发业界高度关注。 5月28日，Anthropic正式宣布完成H轮融资，融资额高达650亿美元。Anthropic表示，此轮融资完成后，公司的投后估值达到9650亿美元。据悉，本轮融资的领投方阵容堪称豪华，由Altimeter Capital、Dragoneer、Greenoaks和红杉资本（Sequoia Capital）共同领投，Capital Group、Coatue、D1 Capital Partne
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三星
SK海力士
美光
美光在弗吉尼亚州马纳萨斯工厂正式启动1α DRAM工艺的量产，该生产基地的DDR4晶圆供货规模将提升四倍，预计于2026年底完成全面量产。这一超20亿美元的投资，专为汽车、国防、航空航天及工业客户而设，旨在保障关键领域的DDR4长周期供给。随着整体芯片供应量放大，消费级市场上的炒货行情当即感到寒意，本周DDR4内存条跌幅迅速扩大直接印证了市场对“供应增加”的反应；另一方面，专业机构研判结构性短缺不改。TrendForce的最新存储器产业研究指出，Fab 6扩产主要反映美光内部产能配置调整，而非重启对消费性
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美光
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DDR5
HBM
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DRAM
美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码：MU）近日宣布，正式出货 245TB 容量的美光 6600 ION SSD。作为业界容量领先的商用 SSD，该产品标志着数据中心机架级存储密度实现重大飞跃。美光 245TB 6600 ION SSD 专为支持人工智能（AI）、云计算、企业级及超大规模工作负载而设计，可满足下一代 AI 数据湖、云端规模文件与对象存储等场景需求。与基于 HDD 的部署方案相比，美光 245TB 6600 ION E3.L 实现同等原始存储容量所需的机架数量
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据报道，三星已攻克其 SOCAMM2 设计中的一项关键技术难题。据 ETNews 援引消息人士透露，该公司已解决翘曲（warpage）问题 —— 这是下一代 AI 服务器内存模组 SOCAMM2（System on Chip Advanced Memory Module 2）量产前的主要障碍。报道称，三星通过应用自研下一代低温焊料（LTS）技术解决了该问题。报道指出，翘曲是指元器件在制造过程中因受热而产生的轻微弯曲，主要由不同材料之间热膨胀系数（CTE）不匹配引起。SOCAMM2 结构尤为敏感，因为它将
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翘曲问题
美光
SK海力士
韩国媒体ETnews报道，三星在一季度将DRAM合约价上涨了100%之后，二季度的DRAM合约价将再度上涨30%。由于随着对AI基础设施投资的扩展，包括三星在内的主要内存制造商将产能集中在HBM上，通用DRAM的供应变得不足，导致价格急剧上涨。据悉，三星已确认于3月底与主要客户完成价格谈判，并签署了供应合同。DRAM合约价30%的涨幅囊括了AI芯片所需的HBM、PC和智能手机所需的通用DRAM。而三星此前在第一季度已经将DRAM的平均价格提高了100%。这意味着，如果2025年DRAM价格为10000韩元
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DRAM
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4月2日，据外资投行摩根士丹利针对美光科技（Micron）的跟踪报告显示，美光董事长兼CEO Sanjay Mehrotra在近期投资人会议中透露，尽管美光正在加速扩产DRAM，但新产能最快要到2027年底才能出货。因此，DRAM供不应求的局面将持续至2027年。此外，部分关键半导体设备的产能不足也是导致这一现象的重要原因。 目前，人工智能芯片对高带宽内存（HBM）的强劲需求，成为DRAM市场供不应求的核心瓶颈。美光计划在2025年第三季度将其HBM市场份额提升至与整体DRAM市场份额持平的水平
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美光新加坡 240 亿美元晶圆厂或需 500 台变压器，单厂需求超任一厂商产能两倍 —— 重型电力基础设施成 AI 芯片扩建新瓶颈.据《电子时报》援引行业消息人士称，美光计划在新加坡投资 240 亿美元扩建 NAND 闪存产线，该项目将需要 400 至 500 台电力变压器，远超标准晶圆厂通常所需的 100 至 150 台，这一需求规模甚至超过了中国台湾地区任何一家变压器制造商的年产能，也让重型电力设备成为人工智能驱动下半导体产业扩建的新瓶颈。美光如此庞大的需求，折射出与人工智能产业绑定的现代存储器晶圆厂
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变压器
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美光首席执行官桑杰・梅赫罗特拉表示，随着车企推出 L4 级自动驾驶车型，未来汽车所需的内存容量最终将突破 300GB。据《英国登记册》报道，梅赫罗特拉是在美光发布季度财报后作出该表态的。财报显示，美光今年第二季度营收达 238.6 亿美元，较 2025 年第二季度的 80.3 亿美元实现了 200% 的大幅增长。此次营收暴涨，核心驱动力仍是人工智能超大规模运算厂商对高端高带宽存储（HBM）芯片的海量需求，同时叠加行业结构性供应短缺与美光自身全方位的出色运营表现。在借人工智能基础设施建设持续盈利的同时，美光
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自动驾驶汽车
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2026 年 3 月 16 日，美光科技在英伟达 GTC 2026 大会上正式发布重磅消息：旗下HBM4 高带宽内存、SOCAMM2 内存模块以及业内首款 PCIe 第六代数据中心固态硬盘，均已实现大规模量产并开启批量出货，全系列产品均为英伟达 Vera Rubin AI 平台量身打造，将为智能体 AI、高性能计算等负载提供核心存储算力支撑。核心产品量产信息HBM4 高带宽内存首批量产的为 36GB 12 层堆叠版本，已于 2026 年第一季度出货，引脚速率超 11Gb/s，可提供超 2.8TB/s 的内
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美光
HBM4
SOCAMM2
内存模块
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第六代固态硬盘
随着人工智能热潮推动存储需求增长，半导体设备制造商在收获红利的同时，也在加深与头部存储厂商的合作。据路透社报道，应用材料（Applied Materials）已与美光科技（Micron）、SK 海力士达成合作，共同开发对人工智能与高性能计算至关重要的下一代芯片。3 月 10 日，应用材料发布新闻稿称，已与 SK 海力士签署长期合作协议，加速 DRAM 与 HBM 技术研发。双方将在应用材料新建的研发中心 ——设备与工艺创新与商业化中心（EPIC Center），聚焦存储材料、工艺整合及 3D 先进封装技术
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应用材料
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DRAM
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NAND
应用材料公司今日宣布，正与美光科技展开合作，研发新一代动态随机存取存储器、高带宽内存及闪存解决方案，以提升人工智能系统的高能效表现。双方整合了应用材料位于硅谷的 EPIC 创新中心的先进研发能力，以及美光位于爱达荷州博伊西的顶尖创新中心资源，助力巩固美国半导体领域的创新研发体系。应用材料总裁兼首席执行官加里・迪克森表示：“应用材料与美光长期保持合作关系，始终致力于通过突破材料工程与制造创新的边界，打造性能更优、能效更高的先进存储芯片。下一代存储技术在人工智能系统的未来发展中愈发关键，我们十分欣喜能以 EP
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应用材料
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闪存
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新闻亮点：· 采用业界首款单晶粒 32Gb LPDDR5X，相较标准 RDIMM，功耗降至其 1/3，尺寸亦缩小至其 1/3· 长上下文 LLM 推理的首个 token 生成时间加速 2.3 倍，在独立 CPU 应用中，每瓦性能提升 3 倍· 单一模组容量提升 1.33 倍 — 每颗 8 通道服务器 CPU 可配置 2TB LPDRAM，适用于 AI 及高性能计算（HPC）场景2026 年 3 月 5 日，爱达荷州博伊西市 — 美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码：MU）近日宣布开始向客户送样业界容量领
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随着人工智能 (AI) 的快速发展，以及汽车行业向集中式计算和分区架构演进，内存市场正在发生重大变化。如今的汽车已成为车轮上的数据中心——需要同时处理来自数十个高分辨率传感器的数据流、运行高级驾驶辅助系统 (ADAS)，并实现沉浸式驾驶舱体验，所有这些都对车载内存的带宽、可靠性和功能安全提出了更高需求。与此同时，车辆和数据中心环境中的 AI 工作负载正在推动实现大量创新应用，不仅需要更多内存，还需要性能更高、更安全、更高效的内存解决方案。与这些趋势相伴的，是产品设计周期的大幅缩短。汽车 OEM 厂商和 A
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AI
Synopsys
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最新拆解报告显示，影驰GeForce RTX 5060 Black OC V2显卡首次采用了美光的GDDR7显存模块。这一举措标志着英伟达在RTX 50系列显卡中正式引入第三家核心供应商，结束了此前仅依赖三星和SK海力士的局面。 据相关消息，自2025年10月以来，由于GDDR7显存供应短缺，英伟达显卡的价格已上涨至少15%。尽管美光的加入有助于缓解供应压力，但短期内市场缺口仍然显著。与此同时，美光还推出了速率达36Gbps的24Gb GDDR7显存，虽然目前并未应用于桌面版RTX 50系列显卡
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英伟达
RTX 50
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GDDR7
显存
总部位于美国的第三大DRAM供应商美光可能会被排除在英伟达的首批第六代高带宽内存（HBM4）供应链之外，预计英伟达、AMD等公司下一代AI芯片的HBM4供应将由韩国企业三星、SK海力士瓜分。但也有观点认为美光被排除在初始供应链之外的可能性很低，因为英伟达正在寻求使其HBM4市场的供应商多元化。半导体分析公司SemiAnalysis将美光在英伟达下一代AI芯片Vera Rubin的HBM4市场份额下调至0%，“目前没有迹象表明英伟达向美光订购HBM4”，并预测SK海力士将占据英伟达HBM4供应的70%份额，
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美光
人工智能竞赛的最大赢家是谁？人工智能超级周期正在重塑半导体和电子产业，人工智能基础设施的大规模建设让整个供应链承压。集邦咨询的预估数据显示，尽管英伟达等人工智能加速器研发企业正借人工智能热潮赚得盆满钵满，但存储芯片厂商才是最大的获利者。究其原因，除大宗商品市场的运行规律外，存储芯片厂商与芯片代工厂的商业模式、扩张策略存在本质差异，是造就这一结果的关键。需求激增，供应告急集邦咨询预测，2026 年全球芯片代工市场营收预计为 2187 亿美元，而 3D NAND 闪存和 DRAM 动态随机存取存储器的营收总额
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存储芯片
芯片代工
台积电
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海力士
美光
带宽存储
美光科技在新加坡为一座全新的先进晶圆制造工厂举行奠基仪式，借此扩大其在亚洲的生产布局，以应对人工智能驱动下持续激增的存储芯片需求。该晶圆厂将建于美光现有的 NAND 闪存制造园区内，是美光在美国本土以外规模最大的长期投资项目之一。这一项目清晰传递出头部存储芯片厂商的长期战略布局方向：深耕先进 NAND 闪存技术、推动研发与制造深度融合、打造地理多元化的供应链体系，为人工智能及数据中心相关系统提供支撑。240 亿美元十年投资，打造新加坡首座双层晶圆厂该新工厂规划十年总投资约 240 亿美元，最终将建成约 7
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晶圆制造工厂
高带宽内存
1月最后一个交易日存储价格突然受到AI需求可能紧缩的影响出现暴跌，虽然这波行情可能属于短期震荡，但这还是为很多存储厂商亮丽的年报蒙上一层阴影
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三星电子
SK 海力士
美光
美光介绍
美光科技有限公司（以下简称美光科技）是全球最大的半导体储存及影像产品制造商之一，其主要产品包括DRAM、NAND闪存和CMOS影像传感器。美光科技先进的产品广泛应用于移动、计算机、服务、汽车、网络、安防、工业、消费类以及医疗等领域，为客户在这些多样化的终端应用提供“针对性”的解决方案。
美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高级半导体解决方案的全球领先供应商之 [
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