- 据印度媒体报导,苹果正在与美光科技、塔塔集团和其他印度芯片制造商,讨论为其本地生产的iPhone 采购半导体。根据报导,苹果计划到2026 年,将其全球26% 的iPhone 生产转移到印度,届时对当地半导体的需求预计将达到120 亿美元。如果美光和塔塔集团的部门,到时候能够生产出所需等级的产品,他们就可以从苹果这家全球最大的公司获得大量业务。苹果在印度制造的微芯片上的支出可能超过国防、航空和汽车领域任何其他一家公司。 2024 财年,苹果在印度生产了价值140 亿美元的iPhone,占其全球iPhone
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苹果 美光 塔塔集团 印度生产芯片
- 随着数据中心特别是AIGC相关的数据密集型应用场景对于大容量高性能存储的需求越来越高,存储器产品的更新换代成为数据存储市场竞争中的必然趋势。近日,美光科技接连发布在SSD方面的多个量产信息,重点满足数据中心和AI相关应用对高性能SSD产品的最新需求。 在数据中心应用方面,美光推出首款PCIe 5.0数据中心SSD—— 9550 SSD,专为高性能细分市场打造,在美光的产品组合中扮演着提供卓越数据中心SSD性能的角色,并吸引了众多云和企业客户。人工智能市场的兴起,对SSD的性能提出了更高要求,同时提升数据中
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- 行业人士消息,美光总裁暨CEO Sanjay
Mehrotra在今年7月访问中国台湾,将带来更进一步合作,例如在人工智能(AI)应用扮演重要角色的高带宽存储器(HBM)。据悉,美光将加码在中国台湾投资,除制造HBM先进制程外,不排除有机会在中国台湾创建第二个研发中心。据悉,中国台湾经济部门于2021年5月申请领航企业研发深耕计划(大A+),提出DRAM先进技术暨高带宽存储器研发领航计划,在中国台湾设立第一个研发中心,获补助47亿元新台币,将研发先进制程落脚在中国台湾生产。2021年,美光在中国台湾申请
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美光 HBM
- 美光科技股份有限公司近日宣布,其采用第九代(G9)TLC NAND技术的 SSD 产品已开始出货,成为业界首家实现这一里程碑的厂商之一。美光 G9 NAND 技术具备高达 3.6 GB/s 的数据传输速率,提供卓越的数据读写带宽。该项 NAND 新技术为人工智能(AI)及其他数据密集型应用场景带来出色的性能,适用于个人设备、边缘服务器、企业和云数据中心。美光技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer 表
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美光 NAND闪存
- 美光科技股份有限公司近日宣布,推出数据中心 SSD 产品美光 9550 NVMe™ SSD,性能业界领先,同时具备卓越的 AI 工作负载性能及能效。美光 9550 SSD 集成了自有的控制器、NAND、DRAM 和固件,彰显了美光深厚的专业知识和创新能力。该款集成解决方案为数据中心运营商带来了业界领先的性能、能效和安全性。美光 9550 SSD 凭借 14.0 GB/s 的顺序读取速率和
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- IT之家 7 月 22 日消息,据外媒 Tomshardware 报道,中国 3D NAND 闪存制造商长江存储,日前再次将美光告上法院,在美国加州北区指控美光侵犯了长江存储的 11 项专利,涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 产品。长江存储还要求法院命令美光停止在美国销售侵权的存储产品,并支付专利使用费。长江存储指控称,美光的 96 层(B27A)、128 层(B37R)、176 层(B47R)和 232 层(B58R)3D NAND Flash,以及美光的一些 DDR5 SDRA
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- 美光18日宣布,该公司多重存取双列直插式内存模块(MRDIMM)开始送样,针对内存需求高达每DIMM 插槽128GB以上的应用,其效能更胜目前的硅晶穿孔型(TSV)RDIMM。光第一代MRDIMM,与IntelR XeonR 6处理器兼容。美光MRDIMM现已上市,将于2024年下半年开始大量出货。 美光指出,开始送样的内存是美光MRDIMM系列的第一代产品,实现最高带宽、最大容量、最低延迟,以及更高的每瓦效能,加速内存密集型如虚拟化多租户、HPC和AI数据中心等的工作负载。美光副总裁暨运算产品事业群总经
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美光 新内存模块
- 美光宣布旗下消费级品牌英睿达推出新款固态硬盘P310,这也是其首款M.2 2230 PCIe 4.0 SSD,将SSD带到了最小尺寸的M.2规格上。据悉,此次发布的P310系列,精心准备了1TB与2TB两种大容量选项,以满足不同用户的存储需求。其核心搭载了美光自主研发、业界领先的232层3D QLC NAND闪存技术,这一创新不仅大幅提升了存储密度,更在性能上实现了质的飞跃。具体而言,P310的顺序读取速度高达7100 MB/s,顺序写入速度也达到了惊人的6000 MB/s,同时,在4K随机读写测试中,分
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美光 M.2 2230 PCIe 4.0 SSD
- 美光科技股份有限公司近日宣布,已出样多路复用双列直插式内存模块(MRDIMM)。该款 MRDIMM 将赋能美光客户应对日益繁重的工作负载,从而最大化计算基础设施的价值。对于需要每个 DIMM 插槽内存超过 128GB 的应用,美光 MRDIMM 提供最高带宽、最大容量、最低延迟以及更高的每瓦性能,在加速内存密集型虚拟化多租户、高性能计算和 AI 数据中心工作负载方面,表现优于当前的 TSV RDI
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- 近期在智慧手机、PC、数据中心服务器上,用于暂时储存数据的DRAM价格涨势停歇,买家拉货不积极,影响DRAM报价涨势。 业者期待,SK海力士、三星及美光前三大厂HBM产能增开,对一般型DRAM产生的排挤效应,加上产业旺季来临,可带动DRAM重启涨势。 据了解,6月指针性产品DDR4 8GB合约价约2.10美元、容量较小的4GB合约价1.62美元左右,表现持平,主要是供需双方对价格谈判,呈现拉锯状况。而另一方面,三星新一代HBM3E,据传有望通过辉达(NVIDIA)认证,辉达GB200将于2025年放量,其
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- AI应用热!SK海力士、三星及美光等全球前三大内存厂,积极投入高带宽内存(HBM)产能扩充计划,市场人士估计,2025年新增投片量约27.6万片,总产能拉高至54万片,年增105%。 HBM是AI芯片占比最高的零组件,根据外媒拆解,英伟达H100近3,000美元成本,SK海力士HBM成本就占2,000美元,超过生产封装。HBM经历多次迭代发展,进入第四代HBM3和第五代HBM3E,AI芯片相继采用HBM3E,SK海力士在2023年基本上是垄断HBM3市场,而2024年HBM3与HBM3E订单都满载。美光2
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- 全球内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)近日发布了2024 年可持续发展报告,详细介绍了美光在可持续发展方面的进展,彰显了其屡获殊荣的可持续发展成果,并进一步强化了对可持续发展和前沿技术的承诺。美光总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra 表示:“美光正在助推技术进步,这将在未来几年创造新的重大机遇。2024 年可持续发展报告彰显了我们当前的承诺和未来的雄心,即通过技术惠及我们的社区和地球。通过不懈努力,我们已经取得了稳步进展,我期待公
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- 什么是 GDDR7 内存?它是用于 GPU 的下一代图形内存,例如即将推出的 Nvidia Blackwell RTX 50 系列。它将在未来几年内用于各种产品,为现有的 GDDR6 和 GDDR6X 解决方案提供代际升级,从而提高游戏和其他类型的工作负载的性能。但这个名字下面还有很多事情要做。自从第二代GDDR内存(用于“图形双倍数据速率”)推出以来,这种模式就非常清晰。GDDR(前身为 DDR SGRAM)早在 1998 年就问世了,每隔几年就会有新的迭代到来,拥有更高的速度和带宽。当前一代
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- 日前,美光(Micron)举行2024年Q3财报电话会议。美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在报告中提到,其位于爱达荷州博伊西的晶圆厂预计将于2027财年投入运营,而纽约州的克莱晶圆厂则预计将在2028财年或之后开始生产。2022年,美光曾宣布拟于未来20年投资1000亿美元,在纽约州克莱建设大型晶圆厂项目。其中包含2座晶圆厂的首阶段项目将耗资200亿美元,定于2029年投运。此外,美光还计划未来在纽约州克莱再建设两座晶圆厂,目标2041年投运。同年,美光还宣布计划在10年内投资150亿美
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美光 晶圆厂 存储芯片
- 据韩媒报道,韩国后端设备制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高带宽内存 (HBM) 生产的演示热压 (TC) 键合机。双方已开始联合开发下一代键合机,用于HBM4生产。根据报道,美光还从日本新川半导体和韩美半导体采购TC键合机,用于生产HBM3E,于今年4月向韩美半导体提供了价值226亿韩元的TC Bonder采购订单。据透露,美光正在使用热压非导电薄膜 (TC-NCF) 工艺制造 HBM3E,该种工艺很可能会在下一代产品 HBM4 中采用。HBM4 16H产品正在考虑使用混合键合。此外,目前美光最大的
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美光介绍
美光科技有限公司(以下简称美光科技)是全球最大的半导体储存及影像产品制造商之一,其主要产品包括DRAM、NAND闪存和CMOS影像传感器。美光科技先进的产品广泛应用于移动、计算机、服务、汽车、网络、安防、工业、消费类以及医疗等领域,为客户在这些多样化的终端应用提供“针对性”的解决方案。
美光科技有限公司(Micron Technology, Inc.)是高级半导体解决方案的全球领先供应商之 [
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