- 三星电子今日宣布，公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H，这是三星目前为止容量最大的HBM产品。 &n
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三星 HBM3E DRAM 人工智能
- 当地时间11月13日，英伟达（NVIDIA）宣布推出NVIDIA HGX™ H200，旨为世界领先的AI计算平台提供强大动力，将于2024年第二季度开始在全球系统制造商和云服务提供商处提供。H200输出速度约H100的两倍据介绍，NVIDIA H200是基于NVIDIA Hopper™架构，配备具有高级内存的NVIDIA H200 Tensor Core GPU，可处理海量数据，用于生成式AI和高性能计算工作负载。图片来源：英伟达与H100相比，NVIDIA H200对Llama2模型的推理速度几乎翻倍。
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- 今年8月，SK海力士宣布开发出了全球最高规格的HBM3E内存，并将从明年上半年开始投入量产，目前已经开始向客户提供样品进行性能验证。据MT.co.kr报道，继第4代产品HBM3之后，SK海力士将向英伟达独家供应第五代高带宽内存HBM3E，此举有望进一步巩固其作为AI半导体公司的地位。据半导体业界15日消息，SK海力士将于明年初向英伟达提供满足量产质量要求的HBM3E内存，并开展最终的资格测试。一位半导体行业高管表示，“没有HBM3E，英伟达就无法销售B100”，“一旦质量达到要求，合同就只是时间问题。”据
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- 三星电子日前表示，计划开始提供HBM3E样品，正在开发HBM4，目标2025年供货。据韩媒，三星电子副总裁兼内存业务部DRAM开发主管Sangjun Hwang日前表示，计划开始提供HBM3E样品，正在开发HBM4，目标2025年供货。他透露，三星电子还准备针对高温热特性优化的NCF（非导电粘合膜）组装技术和HCB（混合键合）技术，以应用于该产品。此外，三星还计划提供尖端的定制交钥匙封装服务，公司今年年初为此成立了AVP(高级封装)业务团队，以加强尖端封装技术并最大限度地发挥业务部门之间的协同作用。
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三星 HBM3E HBM4
- 6 月 18 日消息，据 businesskorea 以及 etnews 报道，SK 海力士将扩展其 HBM3 后道工艺生产线，并已收到英伟达要求其送测 HBM3E 样品的请求据称，考虑到对人工智能 (AI) 半导体的需求增加，S 海力士正在考虑将 HBM 的产能翻倍的计划。业内消息称 SK 海力士于 6 月 14 日收到了 NVIDIA 对 HBM3E 样品的请求，并正在准备发货。HBM3E 是当前可用的最高规格 DRAM HBM3 的下一代，被誉为是第五代半导体产品。SK 海力士目前正致力于开发该产品
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