三星电子（Samsung Electronics）近来重兵部署在HBM先进制程，但供应链传出，三星HBM3E认证进度再遭卡关，由于Google投入自行设计AI服务器芯片，原打算搭配三星HBM3E，并送交台积电进行CoWoS封装，但日前却突然通知三星HBM遭撤下。据了解，事发源头是来自三星HBM3E未能通过NVIDIA认证，Google为求保险起见，可能改换美光（Micron）产品递补供应，相关市场消息近日在业界传得沸沸扬扬。对此，消息源向三星求证，三星回复无法评论客户相关事宜，相关开发计划仍按照进度执行。
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3 月 18 日消息，据台媒 digitimes 今日消息，SK 海力士预计将独家供应英伟达 Blackwell Ultra 架构芯片第五代 12 层 HBM3E，预期与三星电子、美光的差距将进一步拉大。SK
海力士于去年 9 月全球率先开始量产 12 层 HBM3E 芯片，实现了最大 36GB 容量。12 层 HBM3E的运行速度可达
9.6Gbps，在搭载四个 HBM 的 GPU 上运行‘Llama 3 70B’大语言模型时每秒可读取 35 次 700 亿个整体参数的水平。去年 11 月，SK
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11 月 4 日消息，SK 海力士 CEO 郭鲁正今日在韩国首尔举行的 SK AI Summit 2024 上介绍了全球首款 16-High HBM3E 内存。该产品可实现 48GB 的单堆栈容量，预计明年初出样。虽然一般认为 16 层堆叠 HBM 内存直到下一世代 HBM4 才会正式商用，但参考内存领域 IP 企业 Rambus 的文章，HBM3E 也有扩展到 16 层的潜力。此外注意到，SK 海力士为今年 2 月 IEEE ISSCC 2024 学术会议准备的论文中也提到了可实现 1280G
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SK 海力士宣布，已开始量产 12H HBM3E 芯片，实现了现有 HBM 产品中最大的 36GB 容量。
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近期市场对于2025年HBM可能供过于求的担忧加剧，而据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，由于明年厂商能否如期大量转进HBM3e仍是未知数，加上量产HBM3e 12hi的学习曲线长，目前尚难判定是否会出现产能过剩局面。根据TrendForce集邦咨询最新调查，Samsung（三星）、SK
hynix（SK海力士）与Micron（美光）已分别于2024年上半年和第三季提交首批HBM3e 12hi样品，目前处于持续验证阶段。其中SK
hynix与Micron进度较快，有望于今年底完成
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三星去年10月就向英伟达提供了8层垂直堆叠的HBM3E（24GB）样品，不过一直没有通过英伟达的测试。此前有报道称，已从多家供应链厂商了解到，三星的HBM3E很快会获得认证，将在2024年第三季度开始发货。据The Japan Times报道，三星的HBM3E终于通过了英伟达的所有测试项目，这将有利于其与SK海力士和美光争夺英伟达计算卡所需要的HBM3E芯片订单。虽然三星和英伟达还没有最终确定供应协议，但是问题不大，预计今年底开始交付。值得一提的是，三星还有更先进的12层垂直堆叠HBM3E（32GB）样品
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IT之家 8 月 7 日消息，今天早些时候路透社报道称，三星的 8 层 HBM3E 芯片已通过英伟达测试。现据韩媒 BusinessKorea 报道，三星电子回应称该报道并不属实。对于这一传闻，三星明确回应称：“我们无法证实与客户相关的报道，但该报道不属实。”此外，三星电子的一位高管表示，目前 HBM3E 芯片的质量测试仍在进行中，与上月财报电话会议时的情况相比没有任何变化。此前路透社的报道称，三星的 8 层 HBM3E 芯片已经通过英伟达的测试，并将于第四季度开始供货。IT之家注意到
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近日，英伟达(NVIDIA)执行长黄仁勋在2024年中国台北国际电脑展上对三星HBM因过热问题而未能通过测试的报道进行了反驳。他表示，英伟达正在努力测试三星和美光生产的HBM芯片，但目前尚未通过测试，因为还有更多的工程工作要做。其中特别针对三星HBM产品的质量问题，黄仁勋表示，认证三星HBM需要更多工作和充足耐心，而并非部分媒体所报道的因芯片过热问题未通过质量测试。他重申，英伟达与三星的合作进展顺利。此前，三星也坚决否认有关其高带宽存储（HBM）产品未能达到英伟达质量标准的报道。三星电子在一份声明中表示，
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在晶圆代工领域，三星与台积电是纯粹的竞争关系，但在存储芯片市场，作为行业霸主，三星却不得不寻求与台积电深入合作，这都是英伟达惹的祸。据 DigiTimes 报道，三星 HBM3E 内存尚未通过英伟达的测试，仍需要进一步验证，这是因为卡在了台积电的审批环节。作为英伟达 AI GPU 芯片的制造和封装厂，台积电是英伟达验证环节的重要参与者。据悉，台积电采用的是基于 SK 海力士 HBM3E 产品设定的检测标准，而三星的 HBM3E 产品在制造工艺上有些差异，例如，SK 海力士芯片封装环节采用了 MR-MUF
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三星电子今日宣布，公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H，这是三星目前为止容量最大的HBM产品。 &n
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当地时间11月13日，英伟达（NVIDIA）宣布推出NVIDIA HGX™ H200，旨为世界领先的AI计算平台提供强大动力，将于2024年第二季度开始在全球系统制造商和云服务提供商处提供。H200输出速度约H100的两倍据介绍，NVIDIA H200是基于NVIDIA Hopper™架构，配备具有高级内存的NVIDIA H200 Tensor Core GPU，可处理海量数据，用于生成式AI和高性能计算工作负载。图片来源：英伟达与H100相比，NVIDIA H200对Llama2模型的推理速度几乎翻倍。
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今年8月，SK海力士宣布开发出了全球最高规格的HBM3E内存，并将从明年上半年开始投入量产，目前已经开始向客户提供样品进行性能验证。据MT.co.kr报道，继第4代产品HBM3之后，SK海力士将向英伟达独家供应第五代高带宽内存HBM3E，此举有望进一步巩固其作为AI半导体公司的地位。据半导体业界15日消息，SK海力士将于明年初向英伟达提供满足量产质量要求的HBM3E内存，并开展最终的资格测试。一位半导体行业高管表示，“没有HBM3E，英伟达就无法销售B100”，“一旦质量达到要求，合同就只是时间问题。”据
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三星电子日前表示，计划开始提供HBM3E样品，正在开发HBM4，目标2025年供货。据韩媒，三星电子副总裁兼内存业务部DRAM开发主管Sangjun Hwang日前表示，计划开始提供HBM3E样品，正在开发HBM4，目标2025年供货。他透露，三星电子还准备针对高温热特性优化的NCF（非导电粘合膜）组装技术和HCB（混合键合）技术，以应用于该产品。此外，三星还计划提供尖端的定制交钥匙封装服务，公司今年年初为此成立了AVP(高级封装)业务团队，以加强尖端封装技术并最大限度地发挥业务部门之间的协同作用。
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6 月 18 日消息，据 businesskorea 以及 etnews 报道，SK 海力士将扩展其 HBM3 后道工艺生产线，并已收到英伟达要求其送测 HBM3E 样品的请求据称，考虑到对人工智能 (AI) 半导体的需求增加，S 海力士正在考虑将 HBM 的产能翻倍的计划。业内消息称 SK 海力士于 6 月 14 日收到了 NVIDIA 对 HBM3E 样品的请求，并正在准备发货。HBM3E 是当前可用的最高规格 DRAM HBM3 的下一代，被誉为是第五代半导体产品。SK 海力士目前正致力于开发该产品
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