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三星8层堆叠HBM3E已通过英伟达所有测试,预计今年底开始交付

作者: 时间:2024-08-09 来源:超能网 收藏

去年10月就向提供了8层垂直堆叠的(24GB)样品,不过一直没有通过的测试。此前有报道称,已从多家供应链厂商了解到,很快会获得认证,将在2024年第三季度开始发货。

本文引用地址:https://www.eepw.com.cn/article/202408/461826.htm

据The Japan Times报道,终于通过了的所有测试项目,这将有利于其与和美光争夺英伟达计算卡所需要的HBM3E芯片订单。虽然三星和英伟达还没有最终确定供应协议,但是问题不大,预计今年底开始交付。

值得一提的是,三星还有更先进的12层垂直堆叠HBM3E(32GB)样品,正在努力通过英伟达的验证测试。有行业专业指出,也准备了12层垂直堆叠的HBM3E产品,三星总体进度上仍然要落后一些。一直是英伟达主要的HBM产品供应商,而美光之前已开始向英伟达供应HBM3E芯片,逐渐提升了市场占有率。

随着人工智能()市场的快速增长,HBM技术通过垂直堆叠多个DRAM芯片来显著提高数据处理速度,已经变得越来越重要。随着三星的HBM3E开始通过英伟达的验证,预计至少20%到30%的产能转移到HBM产品,这将进一步收缩普通DRAM芯片的供应,很可能会推动DDR5内存价格上涨。



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