据韩媒《首尔经济》援引业界消息透露，三星电子第六代高带宽存储器（HBM4）的良品率近期已接近80%。在半导体制造领域，80%的良品率通常被视为“黄金良率”，这意味着产品不良率被控制在极低水平，企业具备了稳定交付的成熟量产能力，从而实现利润最大化。2026年2月该产品刚开始量产出货时，其良品率尚不足60%。业界此前普遍预测，三星需等到2026年年底才能将良品率提升至80%的水平。然而，随着下半年生产规模的扩大，其工艺改进速度大幅超出市场预期，仅用约半年时间便实现了良品率的稳定。分析人士指出，这一突破主要得益
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三星
HBM4
8月4日消息，根据市场研究机构Counterpoint Research最新发布的《全球存储追踪报告》，2026年第二季度全球DRAM市场格局发生显著变化，三星份额重回第一，美光份额接近SK海力士，长鑫存储份额升至7%。三星重回第一，SK海力士份额遭挤压三星电子以39%的市场份额环比增加了1个百分点至39%，重返全球DRAM市场榜首，恢复至2024年水平，展现出其在通用DRAM供应和定价方面的压倒性优势。Counterpoint Research高级分析师Jeongku Choi指出：“三星克服了所有障碍
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长鑫存储
DRAM
SK海力士
三星
美光
长鑫科技
在美国加州圣克拉拉举行的未来存储与内存大会（FMS）上，三星电子推出zHBM技术及V10 BV-NAND原型芯片。三星电子开启“Z轴”时代根据三星电子首席技术官宋载赫的定义，产品名中“z”的含义是Z轴，象征着将HBM或NAND沿着垂直方向堆叠。其中，zHBM将高带宽内存直接垂直堆叠于AI加速器芯片之上，性能预计约为下一代HBM5的8倍。在传统设计中，HBM内存堆叠与AI芯片通过硅中介层并排集成于同一封装内，业界称之为2.5D封装。而对于zHBM来说，其能通过最大限度地缩短AI处理器和内存之间的数据传输距离
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三星
zHBM
三星电子在2026年闪存峰会（FMS 2026）上展示了多款面向AI数据中心的新一代存储产品，其中最受关注的是采用晶圆键合（wafer bonding）技术的zHBM、zNAND-O，以及第十代垂直堆叠NAND——V10 BV-NAND。 （图片来源：Samsung Semiconductor Newsroom）zHBM是三星将晶圆键合工艺引入HBM的产品。传统HBM依赖微凸块互连，层数堆叠与互连密度受限于凸块间距；zHBM通过裸片间的直接键合，将互连间距大幅压缩，在同等功耗下实现约8倍于HBM
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zHBM
zNAND-O
NAND
三星
Samsung
FMS2026
三星电子在2026年第二季度业绩电话会上表示，已与全球五家最大的数据中心企业签署供应协议，并接近与另外五家大型客户达成合作。公司计划让长期协议覆盖约三分之二内存产出，并预计第三季度HBM4收入增长至上一季度的三倍以上。五年期合同含预付款和价格下限三星存储业务执行副总裁Jaejune Kim在电话会上透露，几乎所有客户都在要求多年期供应合同，合同期限通常至少五年，并包含预付款和价格下限条款。预付款和价格下限的设计，旨在对冲大额资本投资的下行风险——存储芯片制造需要巨额的建厂和设备投入，而半导体周期波动可能导
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三星
HBM4
长期供应协议
数据中心
内存
近日，三星电子公布2026年第二季度业绩，存储业务继续刷新季度纪录。公司表示已扩大HBM4销售，并向主要客户送出首批HBM4E样品。三星在业绩公告中确认，HBM4已进入扩大销售阶段，意味着该产品已通过主要客户认证并在量产爬坡中。与此同时，公司向客户送出了首批HBM4E样品，表明下一代HBM技术的研发已推进至客户测试环节。HBM4E是HBM4的演进版本，在带宽和容量上进一步提升，面向更高端的AI训练和推理需求。样品送交客户是量产前认证流程的起点，通常需要经历数个季度的验证和优化才能进入规模出货。在HBM产品
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三星
HBM4
HBM4E
存储
代工
先进封装
三星晶圆代工首席工程师James Kim在Linkedin上发布消息，确认特斯拉AI5芯片已完成流片，将采用三星2nm级工艺在美国德克萨斯州泰勒工厂生产，并即将集成到特斯拉的最新产品中。这一进展距离台积电版本完成流片仅相隔数月。James Kim在领英上写道：“三星代工的特斯拉AI5芯片已达成流片。计划采用我们最新的2nm工艺在美国泰勒工厂生产，并将很快集成到特斯拉的最新产品中。过去几个月能与帕罗奥图和奥斯汀的特斯拉杰出工程师们合作，深感荣幸。”今年4月，特斯拉CEO埃隆·马斯克就曾透露，AI5芯片设计已
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特斯拉
AI5
芯片
三星
2nm
联发科5G调制解调器芯片近年除了搭载在自家的手机系统单晶片（SoC）平台上，也逐渐向外销售扩大影响力。 这就不得不提及2025年首度打入苹果（Apple）的Apple Watch供应链，可说是一个新里程碑。2025年传出，Google针对2026年推出的旗舰机种Pixel 11，正积极测试联发科的5G调制解调器芯片。对此，近期来自供应链与技术规格文件的内容皆已证实，联发科也确定打入Pixel 11中，为进一步扩大美系客户版图奠定更稳定的基础。据了解，近几年联发科最受关注的业务发展，皆集中在云端特用芯片（A
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联发科
高通
三星
Pixel 11
特斯拉 A15 芯片将同时采用台积电中国台湾厂区 2 纳米工艺、三星美国得州泰勒晶圆厂 2 纳米工艺进行制造。后续台积电亚利桑那厂区也有望纳入代工阵容，长远来看特斯拉自建的得州超级芯片工厂（Terafab）也将承接该芯片生产。A15 芯片算力可达 2000 至 2500 TOPS，支持 144GB 统一内存；根据最终配置不同，内存数据传输带宽区间为 768GB/s～1536GB/s。该芯片峰值功耗 800 瓦，配套优化软件可将常规工况功耗降至 150～250 瓦。
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特斯拉
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三星
台积电
混合键合一直是下一代存储芯片主流堆叠方案的热门技术，但韩国媒体报道称，联合电子设备工程委员会（JEDEC）放宽相关标准后，三星与 SK 海力士或将在 HBM4 产品中放弃搭载这项工艺。旧版规范规定下一代 HBM 存储堆叠总厚度上限为 900 微米，新标准则将厚度放宽至 1000 微米。报道：行业标准放宽，存储厂商下一代 HBM 或跳过混合键合早在今年 4 月就有消息传出 SK 海力士有意布局混合键合技术，当时报道称这家韩企已完成 12 层堆叠 HBM 芯片的混合键合验证，原计划在 HBM4 量产阶段落地该
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混合键合
HBM4
JEDEC
三星
SK 海力士
据行业报道，受光刻图形化缺陷制约，芯片制造巨头英特尔计划在 1.4A 制程工艺中采用晶圆正反面双路供电方案。光刻工艺出现性能瓶颈，根源在于英特尔需要在 1.4A 节点追赶台积电、三星代工厂的晶体管集成密度。英特尔推出 1.4A2 迭代工艺，目标对标台积电 N2、三星 SF2Z 两大先进制程。报道：电路线宽极致缩小，英特尔 1.4A2 工艺被迫选用双面供电传统芯片制造普遍采用背面供电方案，以此降低电压压降、提升芯片性能。将供电线路布置在晶圆背面后，晶体管所在的晶圆正面就能腾出更多布线空间，大幅提升晶体管集成
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英特尔
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台积电
三星
金属互联线
供电
三星电子首席技术官兼半导体研究所所长于6月30日在DS（器件解决方案）部门内部经营说明会上表示，HBM4E的可靠性测试良率已提升至70%以上。业界通常将80%以上视为工艺稳定的"成熟良率"门槛，而HBM4E目前仍处于可靠性测试阶段，70%以上的水平被认为标志着开发进程正式进入稳定区间。与此同时，他在同一场合透露，下一代10纳米级第七代DRAM工艺（D1d）在技术竞争力上已取得对竞争对手的优势，并计划于今年11月完成生产准备认证（PRA）。6月30日，三星电子首席技术官兼半导体研究所所长
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三星
HBM4E
6月29日，韩国政府宣布预计将在西南部建设四座芯片厂，投资约800万亿韩元，未来15年将在新一代存储、边缘人工智能、国防等芯片领域投资至少30万亿韩元。三星电子和SK海力士当天也将发布大规模投资计划，预计这两大存储企业今后十年的投资金额有望超过1000万亿韩元（约4.4243万亿元人民币）。韩国官员表示，预计五年内将DRAM生产能力翻倍，预计全球内存市场将在5年内增长四倍。从企业动向看，SK海力士计划7月10日在纳斯达克上市美国存托凭证（ADR），其6月24日公告称将发行规模最高达45.45万亿韩元（约2
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韩国
半导体
DRAM
内存
三星
SK海力士
SK海力士今年一季度营业利润率72%，超过英伟达和台积电，是当下全球最赚钱的半导体公司。但这家公司最近在做一件出人意料的事：放缓HBM4量产扩张，把更多产能留给通用DRAM。据业内人士透露，SK海力士计划略微推迟部分原定向HBM4过渡的第五代HBM3E生产线的改造，计划通过提升目前利润率高于HBM的通用DRAM市场的响应速度来获取额外收入。截至目前SK海力士尚未正式确认相关安排。人工智能需求正拉动全球半导体行业整体上行，存储产业步入业内普遍期待的超级景气周期。不过，本轮盈利大涨的核心驱动力并非HBM，更多
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DRAM
HBM
存储
SK海力士
三星
行业资讯机构 Culpium 发布报道称，这家中国台湾晶圆代工巨头计划上调旗下绝大多数工艺制程的代工报价。消息人士透露，此次涨价是受存储芯片厂商大幅提价带动。受人工智能产业爆发式需求拉动，全球存储芯片市场热度暴涨。而台积电本次涨价覆盖范围广泛，甚至包含成熟 7 纳米制程，或将对全行业多个下游领域产生连锁冲击。存储厂商先行涨价，台积电顺势启动调价据 Culpium 消息源透露，台积电高层已要求业务拓展与销售团队落地涨价方案。此番调价意愿，源于 SK 海力士、三星等存储芯片厂商此前的集体涨价动作。公司要求销售
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台积电
三星
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7nm
6月22日收盘，凭借AI浪潮带来的持续上涨，SK海力士以2080万亿韩元市值超越三星电子（2066万亿韩元），登顶韩国股市市值榜首。今年5月底，SK海力士刚刚成为继三星电子和台积电之后，历史上第三家市值突破1万亿美元的亚洲科技企业。不到一个月后，其市值进一步追平并超越三星电子。从两家公司今年以来的市场表现来看，SK海力士股价今年累计涨幅超过349%，而三星电子股价涨幅为195%。时隔近26年，三星首次失去韩国市值第一宝座。三星电子于1999年7月首次登上韩国股市市值榜首，此后有过短暂波动，自2000年11
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SK海力士
三星
AI
半导体
HBM
三星确实具备研发尖端光刻工艺的实力，即将推出的 Exynos 2700 就是典型代表，有消息称这款下一代旗舰系统级芯片研发进度顺利。但针对其 2nm 环绕栅极（GAA）工艺，一则传闻指出，在功耗、性能、芯片面积（PPA）三大核心指标上，台积电 2nm N2P 制程全面领先。这也能够解释，为何三星在打磨 2nm 工艺的同时，还要为旗舰芯片研发全新散热方案 —— 这是三星抗衡竞品的重要手段。Exynos 2700 将搭载三星全新并排架构（SBS）与导热块（HPB）散热方案，既能稳定长时间高性能输出，也能掩盖
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Exynos 2700
散热
三星
2nm
台积电
N2P
外媒报导指出，由于AI基础设设施需求大增，超过当前台积电先进制程产能所能负荷，因此大量晶片订单可能将转移到韩国三星电子，目前已有超威、Google以及特斯拉等公司与之洽询。Investing报道中指出，三星收到了来自全球现有和潜在客户的大量咨询。 其中Google也传出正与三星讨论，代工生产预计将于2028年左右推出的下一代Axion芯片，并考虑最先采用三星2纳米制程，为其生产预计于2028年量产的第10代TPU部分核心元件。若是Google将部分生产TPU的订单交给三星，将是该公司首次将订单从台积电手中
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台积电
三星
三星的 2 纳米环绕栅极（GAA）工艺持续遭遇技术瓶颈，也让台积电坐稳了全球晶圆代工龙头的位置。如今几乎全行业企业都倾向于选择台积电代工，这一局面并非偶然。三星半导体部门的员工虽然在奖金谈判中取得了胜利，但从长远来看，他们或将输掉整场博弈。目前三星正全力推进产线自动化，试图摆脱工会带来的制约。数据共享生态平台（DSEP）：助力 2030 年实现全无人晶圆厂三星现已推出数据共享生态平台（DSEP）。该平台可与指定合作伙伴共享半导体生产实时数据，同时将数据接入人工智能工厂操作系统，助力公司在 2030 年底前
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三星
无人晶圆厂
TrendForce最新统计指出，2026年第一季度，全球前十大晶圆代工厂合计实现营收479.5亿美元，环比提升3.7%。人工智能算力需求的持续释放，是成为此次拉动晶圆代工产业增长的核心变量。AI产业链上下游的加单与提前投产需求，有效对冲了智能手机传统淡季带来的产能空置压力。与此同时，智能手机产业链将逐步迈入新机备货周期，叠加晶圆代工厂商已向客户传递下半年调价预期，进一步促使下游提前锁定产能。预估第二季在AI先进制程、电源管理芯片（Power）及消费电子提前备货带动下，整体产值将续创新高，且增长幅度有望进
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晶圆代工
台积电
三星
中芯国际
在2026 年三星先进晶圆生态论坛（SAFE Forum 2026）上，新思科技宣布与三星晶圆厂的合作取得重大进展，双方针对三星顶尖先进工艺，拓展了由人工智能赋能的设计、验证、测试及知识产权（IP）全套解决方案。此次合作也凸显出，随着半导体企业发力研发结构日趋复杂的人工智能、高性能计算、汽车电子及数据中心相关产品，电子设计自动化（EDA）、设计工艺协同优化（DTCO）与多芯片设计方法的重要性正持续提升。本次合作的核心方向之一，是适配三星晶圆厂第二代、第三代2 纳米制程工艺。新思科技已交付针对上述工艺节点完
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新思科技
三星
AI赋能
设计合作
2纳米
多芯片系统
在AI算力竞赛的底层战场上，一场关于存储芯片的攻防战正悄然升级。2026年5月29日，三星电子向全球主要客户交付业界首批12层48GB HBM4E样品，距离其今年2月率先量产HBM4仅过去三个月。这一前所未有的迭代速度，更标志着HBM市场的竞争格局正迎来剧烈重构。三星一场深思熟虑的“抢跑”HBM4E作为三星当前最先进的高带宽内存产品，采用第六代10纳米级DRAM工艺（1c）与三星晶圆代工的4纳米逻辑基底芯片组合，支持每引脚14Gbps至16Gbps的运行速度，较上一代HBM4提升超过20%，单堆栈内存带宽
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三星
HBM4E
SK海力士
美光
AI
存储
在Computex 2026电脑展上，三星电子首次展示了第八代高带宽存储芯片HBM5，并首次公开推出了HPB（Heat Pass Block，导热块）散热方案。据《朝鲜日报》等韩媒报道，三星电子计划使用其自主研发的2nm工艺制造的芯片生产HBM5，预计将在2028年左右实现量产。而HPB将是大规模应用于其中的核心热管理技术。具体而言，HPB是一种集成在芯片封装内的金属导热结构，通常由铜基材料制成，其导热性能比基板、DAF或EMC等聚合物基材料高出约500至1000倍。“通过增加一个类似烟囱结构的独立传热路
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COMPUTEX2026
三星
HBM5
HPB
三星代工似乎有望从中国领先汽车制造商那里赢得新业务。据《首尔经济日报》报道，业内消息称三星正与包括比亚迪在内的多家中国主要汽车制造商洽谈，计划采用其2纳米和4纳米工艺制造自动驾驶系统单芯片（SoC）设备。如果这些交易成行，三星将获得比蔚来更大的客户，而蔚来已经依赖三星的5纳米工艺生产自动驾驶芯片。报告指出，中国汽车制造商部分转向三星电子，部分原因是中国国内代工厂的限制。尽管中国最大的代工厂中芯采用7nm级工艺，业内观察人士认为其在下一代自动驾驶芯片所需先进节点方面仍远远落后于三星电子和台积电。报告进一步指
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三星
比亚迪
2nm
4nm
自动驾驶
6月1日，美迪凯发布投资者关系活动记录表，披露半导体玻璃基板、供应链拓展及业务验证等最新经营进展。玻璃基板业务方面，美迪凯与日本玻璃厂商达成合作，开展玻璃基板代加工业务。公司玻璃基板生产线已于2025年通过某头部晶圆厂验厂认证。产品端，12寸玻璃晶圆（Glass Carrier）已实现批量出货；310×310mm、515×510mm等尺寸玻璃基板处于小批量出货阶段。公告同时明确，2025年半导体用玻璃基板相关产品销售收入，占公司总营收比重约2.00%，占比偏低，尚未对公司整体业绩构成重大影响。杭州美迪凯光
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三星
玻璃基板
近日，三家存储器厂商三星、SK海力士、美光共同投资美国人工智能（AI）企业Anthropic的消息引发业界高度关注。 5月28日，Anthropic正式宣布完成H轮融资，融资额高达650亿美元。Anthropic表示，此轮融资完成后，公司的投后估值达到9650亿美元。据悉，本轮融资的领投方阵容堪称豪华，由Altimeter Capital、Dragoneer、Greenoaks和红杉资本（Sequoia Capital）共同领投，Capital Group、Coatue、D1 Capital Partne
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三星
SK海力士
美光
三星电子此前酝酿的罢工已正式取消。其半导体部门7.8 万名员工中，74% 投票同意接受平均 34 万美元奖金的方案。不过奖金差异引发不满：存储业务员工奖金 40 万美元，晶圆代工业务员工仅 11 万美元。半导体部门以外的三星员工（如消费电子部门）同样心生不满，他们的奖金仅4000 美元。薪酬协议详情协议规定：所有芯片部门员工加薪 6.2%；发放 ** 相当于年薪 50%** 的常规现金奖金；三星将划出芯片部门营业利润的 10.5%，作为股票形式的特别奖金。股票发放规则：三分之一可立即出售；三分之一一年后可
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三星
罢工
最新消息显示，日前进行的三星电子内部投票结果于今天公布。此前劳资双方达成的暂定协议在内部投票中获73.7%赞成通过，三星电子劳工大罢工风险暂时平息。自去年底以来，三星电子内部围绕绩效奖金制度的争议不断升级。原本超4.5万员工从5月21日开始发起为期18天的罢工。就在罢工启动前夕，韩国政府紧急介入调解，三星电子劳资双方于本月20日深夜，经过多轮马拉松式谈判后宣布达成劳资协议暂定方案，工会表示将进行内部投票决定是否接受该方案。随着方案获通过，大罢工风险至此暂时平息。但外界分析指出，由于三星电子内部不同业务部门
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三星
存储
美光在弗吉尼亚州马纳萨斯工厂正式启动1α DRAM工艺的量产，该生产基地的DDR4晶圆供货规模将提升四倍，预计于2026年底完成全面量产。这一超20亿美元的投资，专为汽车、国防、航空航天及工业客户而设，旨在保障关键领域的DDR4长周期供给。随着整体芯片供应量放大，消费级市场上的炒货行情当即感到寒意，本周DDR4内存条跌幅迅速扩大直接印证了市场对“供应增加”的反应；另一方面，专业机构研判结构性短缺不改。TrendForce的最新存储器产业研究指出，Fab 6扩产主要反映美光内部产能配置调整，而非重启对消费性
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SK海力士
DRAM
2026年5月25日，据韩媒ETNews报道，三星电子宣布利用单元多层键合（CMB） 技术，成功研发全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，并已验证存储单元正常工作特性，标志着三星在高端存储技术领域实现跨代式领先。传统3D NAND采用单次连续刻蚀堆叠工艺，受晶圆翘曲、层间对准误差等物理限制，难以突破500层门槛。三星创新的CMB技术，先独立制造两片450层3D NAND晶圆，再通过高精度键合工艺合二为一，直接将堆叠层数翻倍至900层，打破传统工艺的物理瓶颈。为保障原型良率与稳定性，三星同步攻克多
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3D NAND闪存
三星介绍
韩国三星电子成立于1969年，正式进入中国市场则是1992年中韩建交后。1992年8月，三星电子有logo限公司在中国惠州投资建厂。此后的10年，三星电子不断加大在中国的投资与合作，已经成为对中国投资最大的韩资企业之一。2003年三星电子在中国的销售额突破100亿美元，跃入中国一流企业的水平。2003年，三星品牌价值108.5亿美元，世界排名25位，被商务周刊评选为世界上发展最快的高科技品牌。
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