三星电子发布预告第三季度营业利润将突破 100 万亿韩元 —— 就科技公司而言，单季利润跨过这一门槛尚属全球首次。三星估计人工智能芯片需求旺盛，带动存储器销售走强，当季盈利接近增至上年同期的 9 倍。这家全球最大的存储芯片制造商预计，7 月至 9 月营业利润为 107.4 万亿韩元（801.7 亿美元），略高于伦敦证券交易所集团（LSEG） SmartEstimate 给出的
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三星
存储
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存储芯片涨价的压力，正在从供应链传导到手机厂商的生产计划和终端售价。有消息称，苹果已要求供应商减少新款iPhone 18 Pro和iPhone 18 Pro Max部分零部件的订单，10月订单量较最初计划至少下调15%；而在此前，据韩国媒体报道，三星电子移动体验部门（Mobile eXperience）也已要求合作伙伴将第四季度供货量进行削减。目前，苹果和三星尚未就相关减产计划作出公开确认，但在全球存储芯片价格持续攀升的背景下，两家头部手机厂商传出的生产调整信号，仍然折射出手机行业面临的成本压力。而进入下
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苹果
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据报道，三星正收缩汽车应用处理器（AP）业务，对芯片设计板块开展业务重组，将资源转向盈利前景、市场增长潜力更优的赛道。援引《文化日报》消息，三星已决定退出自 2018 年起布局的汽车 AP 业务；系统 LSI 部门将把重心放在图像传感器与新一代移动应用处理器上，目标是该事业部在明年实现全年盈利。三星此前在 2023 年拿到现代汽车的猎户座汽车芯片供货订单，去年也获得德国宝马的订单。但报道援引业内消息称，在完成现有合约对应的生产交付之后，三星计划停止下一代猎户座汽车芯片的研发与量产工作。该调整属于三星电子系
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三星
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三星电子表示，预计将交出科技行业史上创纪录的季度利润，营业利润将首次突破 100 万亿韩元。三星电子于今日晚间发布 2026 年第三季度业绩预告，预计营业利润高达 107.4 万亿韩元（约合 801.7 亿美元），较去年同期增长 9 倍以上。倘若该预期兑现，这不仅是三星自身的历史新高，也将创下全球科技企业单季利润纪录。即便是英伟达，或是亚马逊、谷歌这类云计算巨头，都未曾在单个季度取得如此高额的利润。据报道，三星本次利润预期高于市场分析师此前给出的 106.1 万亿韩元的预测值。如果这份业绩预告最终落地，这
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三星
创纪录
利润
2026年9月28日，国产存储芯片龙头长鑫科技发布公告，拟合计投入349亿元推进两大重点项目建设。其中，技术研发项目规划总投资241亿元，建设周期30个月；存储器晶圆后道测试基地二期项目规划总投资108亿元，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。长鑫科技拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目，同时通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司提供超募资金50亿元，用于投建后道测试基地二期项目。长鑫科技科创板IPO募集资金净额达663亿元，上市前拟募资金额为295亿
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长鑫科技
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三星
SK海力士
美光
2026 年 9 月 16 日（优分析 / 产业数据中心报告）—— 过去，DRAM 提升容量主要依靠持续缩小工艺，在同等面积芯片内集成更多存储单元。但随着单元尺寸不断缩小，制造难度与成本快速攀升，单纯依靠平面微缩实现性能增长的空间已愈发有限。为此，三星电子（005930‑KR）、SK 海力士（000660‑KR）和美光科技（MU‑US）均开始探索新的技术路线：不再一味缩小 DRAM 单元尺寸，转而向上做堆叠，这也正是 3D DRAM 备受关注的原因。AMD（AMD‑US）近期公开了一套 3D DRAM 实
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DRAM
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三星
SK海力士
市场调研机构Counterpoint Research发布2026年第二季度全球晶圆代工行业最新报告。数据显示，本季度全球专业晶圆代工市场营收同比大幅增长29%，AI芯片订单集中爆发，叠加先进制程与成熟制程产能持续紧张，推动行业代工报价全面上行，整个晶圆代工赛道正式迈入高景气上行周期。从全球市场竞争格局来看，头部梯队格局稳固，龙头优势持续深化。台积电凭借绝对的技术与产能优势，以73%的市场占有率，连续两个季度蝉联全球纯晶圆代工行业第一名，牢牢坐稳行业龙头宝座。报告指出，台积电的强势市场表现得益于全方位的产
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台积电
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三星或许是地球上最为特殊的企业，因为我们很难界定它究竟属于哪一类公司。对于普通消费者而言，三星代表智能手机、电视、冰箱。但与此同时，公寓大楼、货轮、医疗设备、保险产品、工程项目、工业机械之上，都能看到三星的名字。它已经不只是一家传统企业，更像一套商业生态系统：业务版图覆盖面极广，渗透现代生活的方方面面，小到设备内部元器件材料，大到人们居住的楼宇建筑，都有它的身影。它的独特，首先体现在体量规模。绝大多数企业只在单一领域占据主导地位：苹果等同于消费电子，丰田代表汽车行业，壳牌聚焦能源。而三星历经数十年，不断跨
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三星
半导体企业
三星在 Hot Chips 2026 大会的演讲《HBM 基底芯片：HBM 如何借助先进逻辑工艺演进》提出：高带宽内存（HBM）堆叠下方的基底芯片（Base Die），即将不再仅仅是信号传输层。传统 HBM 基底芯片主要负责把堆叠 DRAM 颗粒连接到 GPU、TPU 或其他处理器，并提供测试功能。三星设想将其改造为具备运算能力、可定制化的逻辑平台：首先承接原本属于处理器的部分功能，继而新增更多能力，最终实现内存与计算单元之间的直接三维集成。带宽、功耗与物理尺寸约束，正在推动这场变革。AI 处理器需要以更
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HBM
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三星
2026年9月2日，SK集团董事长崔泰源在接受媒体采访时释放了一个重磅信号：SK海力士正考虑与日本半导体巨头铠侠控股（Kioxia）开展联合生产，并将日本列为海外半导体生产基地的候选地。崔泰源明确表示，联合生产是“一种选择”，双方可在联合生产、研发以及供应链共享等领域展开合作。这一表态意味着，全球NAND闪存市场排名第二的SK海力士与排名第三的铠侠，正从长期的竞争对手走向潜在的联合体。若合作落地，两家合计36%的市场份额将超越三星电子的25%，全球存储芯片竞争格局将迎来深刻变革。铠侠方面也展现出开放态度，
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NAND
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三星
据彭博社消息，英伟达计划在 2027 年初，将 Vera Rubin 与 Grace Blackwell 系列服务器的售价上调15% 以上。此举将提升主流内存厂商在 HBM 价格谈判中的议价筹码。Bloter 援引分析师观点，预计 2027 年 HBM 合约价较 2026 年上涨超 50%，三星电子与 SK 海力士有望从中获益。Bloter 表示，此番涨价行情将覆盖全系列 HBM 产品，包含 HBM3e、HBM4、HBM4e。报道援引瑞银的更为乐观的预测：HBM4、HBM4e 的市场表现远超最初预期，预计
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据路透社援引两位知情人士报道称，三星电子已将部分先进制程晶圆代工新订单的价格上调最高15%，原因是人工智能（AI）芯片需求激增导致产能持续紧张。在台积电长期主导的代工市场上，三星正借助AI需求外溢带来的产能缺口获得更强的议价能力。据其中一位消息人士透露，三星于7月上调了采用4纳米制程（SF4）生产的芯片价格。中国大陆和美国客户的SF4订单价格较上月上涨10%至15%，而中国台湾地区客户因与台积电同处一地，涨幅为5%至10%。此外，5纳米制程晶圆价格同样上涨10%至15%，8纳米制程价格也上涨近10%。消息
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三星
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据韩媒《首尔经济》援引业界消息透露，三星电子第六代高带宽存储器（HBM4）的良品率近期已接近80%。在半导体制造领域，80%的良品率通常被视为“黄金良率”，这意味着产品不良率被控制在极低水平，企业具备了稳定交付的成熟量产能力，从而实现利润最大化。2026年2月该产品刚开始量产出货时，其良品率尚不足60%。业界此前普遍预测，三星需等到2026年年底才能将良品率提升至80%的水平。然而，随着下半年生产规模的扩大，其工艺改进速度大幅超出市场预期，仅用约半年时间便实现了良品率的稳定。分析人士指出，这一突破主要得益
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三星
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8月4日消息，根据市场研究机构Counterpoint Research最新发布的《全球存储追踪报告》，2026年第二季度全球DRAM市场格局发生显著变化，三星份额重回第一，美光份额接近SK海力士，长鑫存储份额升至7%。三星重回第一，SK海力士份额遭挤压三星电子以39%的市场份额环比增加了1个百分点至39%，重返全球DRAM市场榜首，恢复至2024年水平，展现出其在通用DRAM供应和定价方面的压倒性优势。Counterpoint Research高级分析师Jeongku Choi指出：“三星克服了所有障碍
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在美国加州圣克拉拉举行的未来存储与内存大会（FMS）上，三星电子推出zHBM技术及V10 BV-NAND原型芯片。三星电子开启“Z轴”时代根据三星电子首席技术官宋载赫的定义，产品名中“z”的含义是Z轴，象征着将HBM或NAND沿着垂直方向堆叠。其中，zHBM将高带宽内存直接垂直堆叠于AI加速器芯片之上，性能预计约为下一代HBM5的8倍。在传统设计中，HBM内存堆叠与AI芯片通过硅中介层并排集成于同一封装内，业界称之为2.5D封装。而对于zHBM来说，其能通过最大限度地缩短AI处理器和内存之间的数据传输距离
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三星
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三星电子在2026年闪存峰会（FMS 2026）上展示了多款面向AI数据中心的新一代存储产品，其中最受关注的是采用晶圆键合（wafer bonding）技术的zHBM、zNAND-O，以及第十代垂直堆叠NAND——V10 BV-NAND。 （图片来源：Samsung Semiconductor Newsroom）zHBM是三星将晶圆键合工艺引入HBM的产品。传统HBM依赖微凸块互连，层数堆叠与互连密度受限于凸块间距；zHBM通过裸片间的直接键合，将互连间距大幅压缩，在同等功耗下实现约8倍于HBM
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三星电子在2026年第二季度业绩电话会上表示，已与全球五家最大的数据中心企业签署供应协议，并接近与另外五家大型客户达成合作。公司计划让长期协议覆盖约三分之二内存产出，并预计第三季度HBM4收入增长至上一季度的三倍以上。五年期合同含预付款和价格下限三星存储业务执行副总裁Jaejune Kim在电话会上透露，几乎所有客户都在要求多年期供应合同，合同期限通常至少五年，并包含预付款和价格下限条款。预付款和价格下限的设计，旨在对冲大额资本投资的下行风险——存储芯片制造需要巨额的建厂和设备投入，而半导体周期波动可能导
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三星
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数据中心
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近日，三星电子公布2026年第二季度业绩，存储业务继续刷新季度纪录。公司表示已扩大HBM4销售，并向主要客户送出首批HBM4E样品。三星在业绩公告中确认，HBM4已进入扩大销售阶段，意味着该产品已通过主要客户认证并在量产爬坡中。与此同时，公司向客户送出了首批HBM4E样品，表明下一代HBM技术的研发已推进至客户测试环节。HBM4E是HBM4的演进版本，在带宽和容量上进一步提升，面向更高端的AI训练和推理需求。样品送交客户是量产前认证流程的起点，通常需要经历数个季度的验证和优化才能进入规模出货。在HBM产品
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三星晶圆代工首席工程师James Kim在Linkedin上发布消息，确认特斯拉AI5芯片已完成流片，将采用三星2nm级工艺在美国德克萨斯州泰勒工厂生产，并即将集成到特斯拉的最新产品中。这一进展距离台积电版本完成流片仅相隔数月。James Kim在领英上写道：“三星代工的特斯拉AI5芯片已达成流片。计划采用我们最新的2nm工艺在美国泰勒工厂生产，并将很快集成到特斯拉的最新产品中。过去几个月能与帕罗奥图和奥斯汀的特斯拉杰出工程师们合作，深感荣幸。”今年4月，特斯拉CEO埃隆·马斯克就曾透露，AI5芯片设计已
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特斯拉
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芯片
三星
2nm
联发科5G调制解调器芯片近年除了搭载在自家的手机系统单晶片（SoC）平台上，也逐渐向外销售扩大影响力。 这就不得不提及2025年首度打入苹果（Apple）的Apple Watch供应链，可说是一个新里程碑。2025年传出，Google针对2026年推出的旗舰机种Pixel 11，正积极测试联发科的5G调制解调器芯片。对此，近期来自供应链与技术规格文件的内容皆已证实，联发科也确定打入Pixel 11中，为进一步扩大美系客户版图奠定更稳定的基础。据了解，近几年联发科最受关注的业务发展，皆集中在云端特用芯片（A
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联发科
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Pixel 11
特斯拉 A15 芯片将同时采用台积电中国台湾厂区 2 纳米工艺、三星美国得州泰勒晶圆厂 2 纳米工艺进行制造。后续台积电亚利桑那厂区也有望纳入代工阵容，长远来看特斯拉自建的得州超级芯片工厂（Terafab）也将承接该芯片生产。A15 芯片算力可达 2000 至 2500 TOPS，支持 144GB 统一内存；根据最终配置不同，内存数据传输带宽区间为 768GB/s～1536GB/s。该芯片峰值功耗 800 瓦，配套优化软件可将常规工况功耗降至 150～250 瓦。
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台积电
混合键合一直是下一代存储芯片主流堆叠方案的热门技术，但韩国媒体报道称，联合电子设备工程委员会（JEDEC）放宽相关标准后，三星与 SK 海力士或将在 HBM4 产品中放弃搭载这项工艺。旧版规范规定下一代 HBM 存储堆叠总厚度上限为 900 微米，新标准则将厚度放宽至 1000 微米。报道：行业标准放宽，存储厂商下一代 HBM 或跳过混合键合早在今年 4 月就有消息传出 SK 海力士有意布局混合键合技术，当时报道称这家韩企已完成 12 层堆叠 HBM 芯片的混合键合验证，原计划在 HBM4 量产阶段落地该
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三星
SK 海力士
据行业报道，受光刻图形化缺陷制约，芯片制造巨头英特尔计划在 1.4A 制程工艺中采用晶圆正反面双路供电方案。光刻工艺出现性能瓶颈，根源在于英特尔需要在 1.4A 节点追赶台积电、三星代工厂的晶体管集成密度。英特尔推出 1.4A2 迭代工艺，目标对标台积电 N2、三星 SF2Z 两大先进制程。报道：电路线宽极致缩小，英特尔 1.4A2 工艺被迫选用双面供电传统芯片制造普遍采用背面供电方案，以此降低电压压降、提升芯片性能。将供电线路布置在晶圆背面后，晶体管所在的晶圆正面就能腾出更多布线空间，大幅提升晶体管集成
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台积电
三星
金属互联线
供电
三星电子首席技术官兼半导体研究所所长于6月30日在DS（器件解决方案）部门内部经营说明会上表示，HBM4E的可靠性测试良率已提升至70%以上。业界通常将80%以上视为工艺稳定的"成熟良率"门槛，而HBM4E目前仍处于可靠性测试阶段，70%以上的水平被认为标志着开发进程正式进入稳定区间。与此同时，他在同一场合透露，下一代10纳米级第七代DRAM工艺（D1d）在技术竞争力上已取得对竞争对手的优势，并计划于今年11月完成生产准备认证（PRA）。6月30日，三星电子首席技术官兼半导体研究所所长
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6月29日，韩国政府宣布预计将在西南部建设四座芯片厂，投资约800万亿韩元，未来15年将在新一代存储、边缘人工智能、国防等芯片领域投资至少30万亿韩元。三星电子和SK海力士当天也将发布大规模投资计划，预计这两大存储企业今后十年的投资金额有望超过1000万亿韩元（约4.4243万亿元人民币）。韩国官员表示，预计五年内将DRAM生产能力翻倍，预计全球内存市场将在5年内增长四倍。从企业动向看，SK海力士计划7月10日在纳斯达克上市美国存托凭证（ADR），其6月24日公告称将发行规模最高达45.45万亿韩元（约2
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SK海力士
SK海力士今年一季度营业利润率72%，超过英伟达和台积电，是当下全球最赚钱的半导体公司。但这家公司最近在做一件出人意料的事：放缓HBM4量产扩张，把更多产能留给通用DRAM。据业内人士透露，SK海力士计划略微推迟部分原定向HBM4过渡的第五代HBM3E生产线的改造，计划通过提升目前利润率高于HBM的通用DRAM市场的响应速度来获取额外收入。截至目前SK海力士尚未正式确认相关安排。人工智能需求正拉动全球半导体行业整体上行，存储产业步入业内普遍期待的超级景气周期。不过，本轮盈利大涨的核心驱动力并非HBM，更多
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行业资讯机构 Culpium 发布报道称，这家中国台湾晶圆代工巨头计划上调旗下绝大多数工艺制程的代工报价。消息人士透露，此次涨价是受存储芯片厂商大幅提价带动。受人工智能产业爆发式需求拉动，全球存储芯片市场热度暴涨。而台积电本次涨价覆盖范围广泛，甚至包含成熟 7 纳米制程，或将对全行业多个下游领域产生连锁冲击。存储厂商先行涨价，台积电顺势启动调价据 Culpium 消息源透露，台积电高层已要求业务拓展与销售团队落地涨价方案。此番调价意愿，源于 SK 海力士、三星等存储芯片厂商此前的集体涨价动作。公司要求销售
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6月22日收盘，凭借AI浪潮带来的持续上涨，SK海力士以2080万亿韩元市值超越三星电子（2066万亿韩元），登顶韩国股市市值榜首。今年5月底，SK海力士刚刚成为继三星电子和台积电之后，历史上第三家市值突破1万亿美元的亚洲科技企业。不到一个月后，其市值进一步追平并超越三星电子。从两家公司今年以来的市场表现来看，SK海力士股价今年累计涨幅超过349%，而三星电子股价涨幅为195%。时隔近26年，三星首次失去韩国市值第一宝座。三星电子于1999年7月首次登上韩国股市市值榜首，此后有过短暂波动，自2000年11
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三星确实具备研发尖端光刻工艺的实力，即将推出的 Exynos 2700 就是典型代表，有消息称这款下一代旗舰系统级芯片研发进度顺利。但针对其 2nm 环绕栅极（GAA）工艺，一则传闻指出，在功耗、性能、芯片面积（PPA）三大核心指标上，台积电 2nm N2P 制程全面领先。这也能够解释，为何三星在打磨 2nm 工艺的同时，还要为旗舰芯片研发全新散热方案 —— 这是三星抗衡竞品的重要手段。Exynos 2700 将搭载三星全新并排架构（SBS）与导热块（HPB）散热方案，既能稳定长时间高性能输出，也能掩盖
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N2P
外媒报导指出，由于AI基础设设施需求大增，超过当前台积电先进制程产能所能负荷，因此大量晶片订单可能将转移到韩国三星电子，目前已有超威、Google以及特斯拉等公司与之洽询。Investing报道中指出，三星收到了来自全球现有和潜在客户的大量咨询。 其中Google也传出正与三星讨论，代工生产预计将于2028年左右推出的下一代Axion芯片，并考虑最先采用三星2纳米制程，为其生产预计于2028年量产的第10代TPU部分核心元件。若是Google将部分生产TPU的订单交给三星，将是该公司首次将订单从台积电手中
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三星介绍
韩国三星电子成立于1969年，正式进入中国市场则是1992年中韩建交后。1992年8月，三星电子有logo限公司在中国惠州投资建厂。此后的10年，三星电子不断加大在中国的投资与合作，已经成为对中国投资最大的韩资企业之一。2003年三星电子在中国的销售额突破100亿美元，跃入中国一流企业的水平。2003年，三星品牌价值108.5亿美元，世界排名25位，被商务周刊评选为世界上发展最快的高科技品牌。
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