- 英特尔CEO陈立武在受访时透露14A节点计划于2028年启动风险试产，2029年实现规模化量产。据外媒报道，英特尔CEO陈立武在受访时，公布了14A工艺的最新路线图，并透露该节点计划于2028年启动风险试产，2029年实现规模化量产。 这一计划较原定2027年下半年试产、2028年量产的安排有所推迟。作为第二代RibbonFET环绕栅极晶体管技术的载体，14A将首次采用ASML价值3.8亿美元的High-NA EUV光刻设备，配合全新背部供电架构PowerDirect，预计在能效比和晶体管密度上
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- 据路透社消息，全球顶尖芯片设备制造商阿斯麦（ASML）首席执行官克里斯托夫·富凯于当地时间周二在比利时微电子研究中心（imec）举办的行业会议上公开表示，公司预计未来数月内，将迎来首批采用新款高数值孔径（High-NA）EUV光刻机生产的芯片产品，覆盖逻辑芯片与存储芯片两大核心领域。富凯在会议中明确指出，High-NA EUV光刻机作为面向2nm以下（1.8nm/1.4nm及更先进节点）制程的核心图形化设备，核心价值在于降低顶尖芯片电路光刻成型成本，同时适配AI芯片、HBM/DRAM等高端存储芯片的制造需
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- 台积电并没有急着把High-NA EUV（高数值孔径极紫外光）光刻技术放进2029年前的量产节点。作为对比，英特尔则更早导入High-NA设备。两家公司真正的差异，不只是设备选择，而是量产节奏、成本和良率风险的取舍。
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- 台积电在2026年北美技术论坛指出，2029年底没有计划导入艾司摩尔（ASML）最先进的微影设备，此消息冲击ASML股价跌逾1%，台积电ADR大幅上涨逾5%，显示投资人对台积电以较低成本推进技术的策略给予正面评价。根据《路透》报导，台积电并未规划在2029年前采用ASML最新一代高数值孔径极紫外光微影设备（High-NA EUV）投入芯片量产，主因在于该设备成本极为高昂。台积电暂缓导入新设备 成本高昂是关键台积电副共同营运长张晓强直言，ASML新世代High-NA EUV设备价格「非常、非常昂贵」，该设备
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- 这次意外大裁员其实并不意外，很有可能源于ASML对未来半导体产业发展失衡状态的前瞻而提前进行的战略调整，面对未来几年可能遭遇无法预知的狂风巨浪，ASML要抢先一步提升自身陀螺仪的鲁棒性。
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- 随着AI投资狂潮席卷科技行业，真正限制算力扩张的环节在哪里？半导体研究机构SemiAnalysis创始人给出的答案是：瓶颈一直在变。SemiAnalysis是一家近年来在科技和投资圈迅速走红的半导体研究机构，其研究广泛被AI公司、云计算厂商以及对冲基金使用。近日，在一次播客访谈中，SemiAnalysis创始人Dylan Patel系统解释了AI算力扩张背后的供应链逻辑。他指出，过去几年AI算力的限制因素不断变化，就像打地鼠一样，一个瓶颈被解决，新的瓶颈就会出现。算力扩张的瓶颈不断变化Dylan Pate
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- 荷兰芯片设备制造商阿斯麦（ASML）希望在 4 月 1 日前获得工会批准。在这家荷兰芯片设备巨头宣布计划裁减 1700 个管理岗位七周后，其员工仍不清楚自己是否会丢掉工作。此次裁员发生在阿斯麦创下 327 亿欧元年度营收纪录的背景下。裁员目标为阿斯麦技术与 IT 部门的管理岗位，其中荷兰 1400 个、美国 300 个，约占公司全球员工总数的 4%。阿斯麦一名发言人向荷兰广播公司 Omroep Brabant 表示，长期的不确定性已引发内部不安。“员工们完全不知道自己处境如何。他们都在问‘这对我意味着什么
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- 比利时微电子研究中心（imec）证实，在极紫外光刻（EUV）的曝光后烘烤（PEB）环节，将氧浓度提升至大气水平以上，可显著提高金属氧化物光刻胶（MOR）的感光速度。感光速度加快意味着光刻胶能以更低的 EUV 曝光剂量达到目标图形尺寸，这将直接提升 EUV 光刻机的产能，并降低曝光工序成本。此前，行业并未将曝光后烘烤腔室的气体成分作为 EUV 光刻的重要优化方向，因此该研究成果具有重要意义，但其产业化前景仍有待观察。imec 的科研人员发现，在 EUV 曝光后烘烤环节，将氧浓度从空气环境中的 21% 提升至
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- 比利时微电子研究中心（imec）证实，在极紫外光刻（EUV）曝光后的关键步骤中，对气体成分进行精准控制，可最大限度降低所需曝光剂量，进而显著提升晶圆产能。具体而言，当极紫外光刻曝光后烘烤（post-exposure bake）步骤在高氧浓度环境下进行时，金属氧化物光刻胶（MORs）的剂量响应性能得到了显著改善。金属氧化物光刻胶的技术优势金属氧化物光刻胶（MORs）已成为先进极紫外光刻应用的核心候选材料，相较于化学放大光刻胶（CARs），它具备更高的分辨率、更低的线边缘粗糙度，以及更优异的 “剂量 - 尺寸
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- 2 月 23 日消息，据路透社今日报道，阿斯麦（ASML）的研究人员表示，他们已找到提升关键芯片制造设备光源功率的方法，到 2030 年可将芯片产量提高多达 50%。阿斯麦极紫外（EUV）光源首席技术官迈克尔・珀维斯（Michael Purvis）在接受采访时表示：“这不是花拳绣腿，也不是那种只能在极短时间内演示可行的东西，这是一个能在客户实际生产环境的所有相同要求下，稳定输出 1000 瓦功率的系统。”报道称，随着周一公布的这一技术进步，阿斯麦旨在通过改进光刻机中技术难度最高的部分，进一步拉开与所有潜在
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- 阿斯麦（ASML）宣布将极紫外光刻（EUV）设备的核心光源功率提升至1000 瓦，这一技术突破将直接推动先进制程芯片的生产良率提升，同时有效降低单颗芯片的制造成本，成为先进半导体制造领域的又一重要技术进展。在极紫外光刻技术中，光源功率是决定光刻机生产效率与芯片良率的核心指标之一。更高的光源功率能够让光刻机在晶圆曝光过程中，实现更快的光刻速度与更稳定的图案转移效果：一方面，更高的功率可缩短单晶圆的曝光时间，提升光刻机的单位时间产能；另一方面，稳定的高功率光源能减少光刻过程中的图案偏差、线宽不均匀等问题，大幅
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- 据《日经亚洲》报道，日本研究机构Global Net数据显示，2025年全球芯片设备厂商前20强中有3家中国企业，较2022年美国出口限制前新增2家。这三家公司分别是北方华创、中微公司和上海微电子。值得注意的是，若将范围扩大至排名前30名的企业，还将新增两家中国企业：盛美上海和华海清科。北方华创、中微、上海微、盛美上海、华海清科上榜TOP30这一变化既展现了国产设备凸显群体崛起态势，也印证了美国出口管制未达遏制目的，反而倒逼中国半导体供应链自主化加速，激发了本土产业韧性。北方华创具体排名中，北方华创的排名
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- 全球最大的先进芯片荷兰制造商ASML在公布其销售额连续第十三年实现增长后，CEO克里斯托夫·富凯（Christophe Fouquet）在声明中表示，计划裁减约1700个工作岗位，作为其技术和IT运营重组的一部分。此次裁员人员主要涉及管理层，人数约占员工总数的4%，大部分裁员将在荷兰进行，美国也有部分职位被裁减。ASML表示，一些领导职位可能不再需要，同时将创建新的工程职位以支持正在进行和未来的项目。“虽然这将使一些受影响的同事能够转移到新的岗位，但我们必须承认，有些人将因此离开阿斯麦公司”。此举旨在加强
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- 三星电子将首次在美国泰勒晶圆厂推出“极紫外（EUV）薄膜”，这是一种提升先进半导体工艺生产力的关键组件。此前尚不清楚是否会引入，但通过订购关键设备几乎确认了申请。根据22日的行业报道，三星电子已在美国德克萨斯州泰勒工厂订购极紫外涂层设备。FST将收到价值250亿韩元的极紫外膜剥离与附着设备及检验设备订单。极紫外膜是安装在光罩上的超薄保护元件，用于曝光过程。半导体将光体现在带有预先绘制电路的光罩上，并被嵌入晶圆上。通过施加极紫外膜，可以防止细颗粒和污染物粘附光罩表面，从而减轻产率劣化。为了在暴露设备中使用极
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- 随着计算技术的进步，越来越多的先进芯片应运而生。最新一代 3 纳米和 2 纳米制程芯片的尺寸极小，传统光源波长已无法在如此精细的尺度上实现可靠的图形光刻。这一挑战并非新题 —— 半导体行业长期以来一直使用深紫外光刻（DUV）技术在硅片上进行光刻加工。但要实现最先进芯片设计的纳米级精度，就需要波长更短的光源。这种光源及对应的光刻技术被称为极紫外光刻（EUV）。中国 EUV 原型机提前问世图注：更短、更精准、更纤薄：技术的巨大飞跃，蔡司（ZEISS）数据显示，EUV 技术制造的结构精度达 13.5 纳米，比人
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euv介绍
在半导体行业，EUV一般指EUV光刻，即极紫外光刻。
极紫外光刻（英语：Extreme ultra-violet，也称EUV或EUVL）是一种使用极紫外（EUV）波长的光刻技术。
EUV光刻采用波长为10-14纳米的极紫外光作为光源，可使曝光波长一下子降到13.5nm,它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸。
根据瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），这么短的波长可以提供极高 [
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