比利时微电子研究中心（imec）与Diraq公司成功实现八比特硅金属氧化物半导体（MOS）自旋量子比特阵列的相干操控与读取。该阵列基于300毫米兼容CMOS工艺的晶圆厂制程制备而成，标志着工业化规模量子计算发展再迈关键一步。这项研究成果已发表于《自然·通讯》期刊，证实应用于先进芯片量产的半导体制造工艺，可支撑超越双比特规格的量子处理器研发。对于EEPW的读者而言，该成果的核心意义在于，量子计算与主流半导体制造技术持续深度融合。同时，这一突破也印证了成熟的CMOS量产基础设施，能够加速量子硬件的商业化落地与
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imec
Diraq
八单元
硅自旋
量子比特
今年 4 月，比利时微电子研究中心（IMEC）新任 CEO 迅速召集台积电、英伟达、三星、阿斯麦（ASML）等行业巨头高管齐聚比利时。作为与阿斯麦深度绑定的全球半导体研发核心机构，IMEC 将如何依托 3D 堆叠、下一代光刻设备，应对算力需求百倍级暴涨带来的产业变革？一、IMEC 机构简介比利时微电子研究中心（IMEC）并不生产芯片，但它制定了全球半导体产业共同遵循的技术发展路线图，台积电、三星、英特尔、阿斯麦均为其长期战略合作伙伴。今年 4 月，IMEC 正式任命 53 岁的帕特里克・范德纳梅勒出任首席
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台积电
2nm
工艺瓶颈
IMEC
全球顶尖半导体研发机构 imec（比利时微电子研究中心）公布最新先进制程路线图，预示高端芯片技术发展逻辑将迎来重大转变。据 TechNews 援引 Tom’s Hardware 报道，随着接触多晶硅栅极间距（CPP）逼近物理实用极限，传统晶体管尺寸微缩将不再是提升芯片集成密度的唯一核心手段。imec 预测，半导体工艺将于 2038 年迭代至 A3（0.3 纳米）制程。但行业在 2030 年前后迈入 A10（约 1 纳米）节点后，CPP 的进一步缩小将遭遇底层物理瓶颈；这意味着未来芯片集成度的提升，将更多依
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imec
工艺路线图
A3
节点
imec 与索尼合作开发出一款面向高密度背面互连的全新集成模块，该互连是 3D 堆叠与背面功能化技术的核心元器件。该模块以自对准局部背面介质隔离（局部 BDI）工艺为核心，可制备低电阻、低漏电流的高密度硅通孔（TSV），实现晶圆正面与背面的连通；相较于传统硅通孔工艺，套刻窗口提升至原先三倍。这套局部 BDI 硅通孔集成方案可支撑多种全新 3D 集成架构，适用于逻辑芯片、存储芯片等各类产品场景。背面功能化与 3D 堆叠是下一代半导体器件的核心支撑技术。这类技术需要高密度背面互连结构，以此实现精细化有源晶圆正
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imec
索尼
背面互连
人工智能算力负载持续逼近传统存储系统性能极限，科研人员正跳出 DRAM、静态随机存储器（SRAM）传统技术路线，寻找可同步提升存储容量、带宽与能效的全新方案。比利时微电子研究中心 imec 近日公布两项铁电存储领域核心技术突破，有望破解上述行业难题。相关成果于 2026 年国际电子器件与半导体电路研讨会（IEEE / JSAP VLSI）发布，本次研发聚焦低压铁电电容与垂直堆叠铁电场效应晶体管（FeFET） 两大核心技术，二者可支撑未来超高密度存储架构落地。本次技术进展意义重大：它直击 AI 时代半导体产
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铁电存储
人工智能
DRAM
本周，在 2026 年 IEEE / 日本应用物理学会超大规模集成电路工艺与电路研讨会上，全球顶尖先进半导体研发中心 imec 联合光刻设备供应商阿斯麦（ASML）、晶圆代工厂台积电，发布一套全新、工艺稳定且可量产拓展的 300 毫米晶圆集成方案，用于制备二维材料 N 型、P 型场效应晶体管（FET）。三方首次成功制备出具备 50 纳米多晶硅接触节距（CPP）的微缩型 N 型场效应管（二硫化钼 MoS₂作沟道）与 P 型场效应管（二硫化钨 WS₂或二硒化钨 WSe₂作沟道），器件具备优异的电流 - 电压特
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阿斯麦
台积电
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50 纳米
节距
二维材料
晶体管
300毫米
晶圆集成
比利时半导体研究中心艾迈斯（Imec） 再度取得技术突破，其300 毫米射频硅中介层平台实现技术升级，可在系统层面完成三五族（III-V）芯片粒与硅基 CMOS 工艺的异构集成。该技术主要面向毫米波、亚太赫兹（sub-THz）新一代无线通信场景，同时也能满足下一代数据中心的高速信号传输需求本次技术升级融合高密度嵌入式电容、可扩展无源器件建模框架以及激光辅助键合工艺三大核心技术。整套方案旨在提升系统性能的同时，降低异构集成的成本与设计复杂度。对于射频设计、先进封装以及半导体制造领域的从业者而言，这项成果提供
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Imec
射频
硅中介层
芯粒集成
imec（比利时微电子研究中心）成为全球首家采用高数值孔径极紫外光刻（High NA EUV） 工艺制造量子点量子比特的机构。一台具备实用价值的量子计算机，需要数百万个互联互通的量子比特，同时满足高可靠性与精准控制的要求。在目前各类研发中的量子计算技术路线里，硅基量子点自旋量子比特被认为最适合实现产业化规模化量产，也常被业内称作 “产业级量子比特”。其制造流程与主流 CMOS 芯片工艺高度兼容。硅基量子点自旋量子比特会将单个电子束缚在硅纳米结构（栅极层）内部，并利用被捕获电子的自旋态来存储量子信息。为降低
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imec
量子点
量子比特
high-NA
本周，比利时纳米技术权威研究机构 Imec 在年度技术论坛（ITF）上发布最新半导体技术路线图，为芯片制造业勾勒出充满挑战的前行方向。目前几乎所有芯片通用的互补式金属氧化物半导体（CMOS）晶体管，其下一代核心形态为互补场效应晶体管（CFET）。Imec 预测，该器件将于2033 年左右正式实现商用落地。Imec 核心路线图名词释义新版路线图显示，2033 年前后 A7 工艺节点将迎来晶体管结构革新，各项参数释义如下：A7：业内所称 7 埃工艺节点，仅为制程命名，不代表晶体管实际存在 7 埃尺寸结构。CP
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CMOS
摩尔定律
CFET
Imec
由比利时微电子研究中心（imec）打造、专注专用集成电路与硅光芯片设计制造服务的IC-Link，现已正式加入台积电开放创新平台（OIP）旗下3D Fabric 三维架构联盟。依托台积电开放创新平台生态，3D Fabric 联盟旨在推动三维集成电路技术创新、完成技术落地筹备，并助力客户规模化应用台积电全套三维硅堆叠与先进封装技术体系，涵盖SoIC 系统级三维堆叠、CoWoS 晶圆级封装、InFO 集成扇出封装以及 SoW 整片晶圆集成等主流方案。此次合作落地后，IC-Link 将进一步补强自身高端芯片集成能
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imec
IC-Link
台积电
开放创新平台
OIP
SPINS（工业级量子纳米系统半导体中试线）正式启动，该项目是由 Imec 协调的六大欧洲量子中试线之一。该联盟汇聚了25 家欧洲技术研究组织、产业合作伙伴与学术研究团队，共同参与总投资5000 万欧元的 SPINS 中试线项目。项目由欧盟 “芯片共同事业计划”（Chips JU）及参与成员国的国家与地区主管部门联合资助。量子计算已成为极具战略意义的领域，其经济与社会价值正急剧提升。相关应用覆盖药物研发、材料科学的突破性进展，乃至超安全通信与下一代导航系统等众多方向。然而，当前量子研究与可规模化制造、能支
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比利时微电子研究中心
Imec
SPINS
量子芯片
比利时微电子研究中心（imec）在其位于鲁汶的 300 毫米超净间内，完成了阿斯麦（ASML）EXE:5200 高数值孔径（High NA）极紫外（EUV）光刻系统的装机调试，这是半导体制造与研发领域的一项里程碑式突破。该系统实现了前所未有的光刻分辨率与工艺控制能力，为 2 纳米以下逻辑芯片技术和下一代存储器架构的研发奠定了基础。这套高数值孔径极紫外光刻平台与顶尖的计量、图形刻制设备及材料体系深度融合，有望大幅缩短技术研发周期，满足人工智能和高性能计算应用对芯片制程微缩的需求。高数值孔径极紫外光刻技术将传
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摩尔定律
高数值孔径
极紫外光刻
芯片制造
ASML
imec
Imec 已接收阿斯麦（ASML）EXE:5200 高数值孔径极紫外光刻系统，这是目前全球最先进的光刻设备。该设备将让Imec的合作伙伴提前接触到下一代芯片微缩技术。这套高数值孔径极紫外光刻系统与一整套完整的图形化、量检测设备及材料直接集成，将助力 Imec 及其生态伙伴解锁所需性能，率先开发2 纳米以下逻辑芯片与高密度存储技术，为先进人工智能与高性能计算的发展提供动力。“过去两年是高数值孔径（0.55NA）极紫外光刻技术发展的重要篇章，Imec 与 ASML 携手产业生态，在荷兰费尔德霍芬的联合高 NA
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Imec
光刻设备
ASML
EXE:5200
比利时微电子研究中心（Imec）的纳米集成电路（NanoIC）中试线推出两款面向 2 纳米以下制程的工艺设计套件（PDK）：一款是细间距重布线层工艺设计套件，另一款是芯粒对晶圆混合键合工艺设计套件。这两款抢先体验版工艺设计套件，让高校、初创企业和行业创新者也能掌握先进的封装技术能力。先进封装技术能实现芯粒的高密度互连，为下一代高性能计算、人工智能加速器以及数据密集型应用筑牢技术根基。细间距重布线层工艺设计套件创新采用聚合物基衬底，打造出实现芯片间高密度互连的全新方案。传统聚合物基衬底无法支持极精细线路的制
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IMEC
2纳米
芯粒封装
工艺设计套件
比利时微电子研究中心（imec）证实，在极紫外光刻（EUV）的曝光后烘烤（PEB）环节，将氧浓度提升至大气水平以上，可显著提高金属氧化物光刻胶（MOR）的感光速度。感光速度加快意味着光刻胶能以更低的 EUV 曝光剂量达到目标图形尺寸，这将直接提升 EUV 光刻机的产能，并降低曝光工序成本。此前，行业并未将曝光后烘烤腔室的气体成分作为 EUV 光刻的重要优化方向，因此该研究成果具有重要意义，但其产业化前景仍有待观察。imec 的科研人员发现，在 EUV 曝光后烘烤环节，将氧浓度从空气环境中的 21% 提升至
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IMEC
曝光后烘烤
EUV
先进芯片产能
光刻胶
比利时微电子研究中心（imec）证实，在极紫外光刻（EUV）曝光后的关键步骤中，对气体成分进行精准控制，可最大限度降低所需曝光剂量，进而显著提升晶圆产能。具体而言，当极紫外光刻曝光后烘烤（post-exposure bake）步骤在高氧浓度环境下进行时，金属氧化物光刻胶（MORs）的剂量响应性能得到了显著改善。金属氧化物光刻胶的技术优势金属氧化物光刻胶（MORs）已成为先进极紫外光刻应用的核心候选材料，相较于化学放大光刻胶（CARs），它具备更高的分辨率、更低的线边缘粗糙度，以及更优异的 “剂量 - 尺寸
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气体控制技术
极紫外光刻
EUV
晶圆产能
imec
深入了解AMD或英伟达最先进的AI产品包装，你会发现一个熟悉的布局：GPU两侧被高带宽内存（HBM）覆盖，这是市面上最先进的内存芯片。这些内存芯片尽可能靠近它们所服务的计算芯片，以减少人工智能计算中最大的瓶颈——将数十亿比特每秒从内存转化为逻辑时的能量和延迟。但如果你能通过将 HBM 叠加在 GPU 上，让计算和内存更加紧密结合呢？Imec最近利用先进的热仿真探讨了这一情景，答案在2025年12月的IEEE国际电子器件会议（IEDM）上给出，颇为严峻。3D叠加会使GPU内部的工作温度翻倍，使其无法使用。但
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Imec
GPU
HBM
封装
自2000年代初以来，超宽路技术逐渐进入需要安全且精细测距能力的各种商业应用。著名的例子包括汽车和建筑的免提进入解决方案、仓库、医院和工厂中的资产定位，以及机场和购物中心等大型空间的导航支持。UWB无线信号传输的一个特征是在时域内发射非常短的脉冲。在脉冲-无线电（IR）超宽波技术中，这种速度被推向极致，发射纳秒甚至皮秒级的脉冲。因此，在频域中，它占用的带宽远大于无线“窄带”通信技术，如Wi-Fi和蓝牙。UWB技术覆盖广泛的频率范围（通常范围为6GHz到10GHz），信道带宽约为500MHz及以上。因此，它
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IMEC
UWB
imec
首席执行官Van den hove表示：“人工智能渗透到社会几乎方方面面的速度简直令人震惊，”他补充说，人工智能远比晶体管缩放更不可预测。“让我们以大型语言模型（LLMs）为例，”他补充道。“虽然它们仍有可能在推动未来人工智能突破中发挥作用，但存在一个重大局限：它们并不是真正学习的——它们是经过训练的。我相信下一代人工智能——智能人工智能、物理人工智能等——将由强化学习、持续学习和自体学习等机器学习方法驱动。“这些学习方法将使人工智能系统能够构建内部世界模型——而非依赖预训练的语言模型——并能够适应新情境
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Imec
今天，作为纳米电子学和数字技术领域的世界领先的研究与创新中心，IMEC宣布与日本先进汽车SoC研究（ASRA）合作，旨在协调汽车应用芯片组架构的标准化。Imec和ASRA已同意共同探索和推广共享架构规范，这让合作伙伴相信他们开发的技术将具有可扩展性、互作性和广泛应用性。作为首个里程碑，该倡议旨在于2026年中发布联合公开规范文件——整合共享元素。芯片组技术将彻底革新汽车系统设计。它不再依赖僵化、单一的芯片架构，而是利用模块化构建模块，打造更强大、高效且灵活的系统，同时降低成本和开发时间。汽车行业显然认识到
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imec
ASRA
汽车芯片组
Imec展示了一种通过将胶体量子点光电二极管（QDPD）集成到300毫米CMOS晶圆上的超表面上，构建紧凑型多光短波红外（SWIR）传感器的新方法。在2025年IEDM Conference上公布的成果表明，这将成为一个具有成本效益且高分辨率的SWIR成像平台，有望显著扩展商业部署。这项工作值得关注的是，它使SWIR感应更接近主流CMOS制造，为安全、汽车、工业检测和智能农业等新产品开辟了新机遇。为什么SWIR需要不同的方法短波红外成像可以揭示可见光谱中看不见的材料差异和特征，使得从透视塑料和织物到改善雾
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Imec
300毫米
量子点
单红外积分技术
IPERLITE任务是一次在轨演示（IOD）飞行，旨在从510公里轨道展示下一代高光谱成像技术。IPERLITE任务的核心是由imec开发的高光谱传感器，这是经过多年ESA支持的研发成果，涉及多个比利时合作伙伴，并在早期CHIEM和CSIMBA项目基础上进一步发展。IPERLITE并非作为实际运行卫星，而是作为试验平台——访问农业遗址并收集光谱数据，以评估其创新有效载荷在真实轨道条件下的性能。IPERLITE为日益增长的紧凑型高光谱任务做出贡献，这些任务旨在普及光谱数据的获取，补充CHIME和SBG等大型
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IPERLITE
IOD
CMOS 探测器
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晶圆到晶圆混合键合和背面技术的进步将CMOS 2.0从概念变为现实，为计算系统扩展提供了更多选择。在VLSI 2025 上，imec 研究人员展示了将晶圆间混合键合路线图扩展到250 nm 互连间距的可行性。他们还通过制造120 nm 间距的极小的贯穿介电通孔，在晶圆背面显示出高度致密的连接。在晶圆两侧建立如此高密度连接的能力为开发基于CMOS 2.0 的计算系统架构提供了一个里程碑，该架构依赖于片上系统内功能层的堆叠。基于CMOS 2.0 的系统还将利用包括供电网络（BSPDN）在内的后端互连，其优势可
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202510
晶圆连接
VLSI 2025
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imec 首席执行官 Luc Van den hove（如图）、巴登-符腾堡州部长兼总统 Winfried Kretschmann 和经济事务、劳工和旅游部长 Nicole Hoffmeister-Kraut 博士在海尔布隆的 IPAI 园区正式为 imec 的新办公室揭幕。海尔布隆中心致力于与德国工业和研究合作伙伴密切合作，推动汽车行业向基于小芯片的架构过渡。它说明了当地影响和国际相关性如何齐头并进。在落成典礼的同时，IPAI 园区还将举办本周的汽车小芯片论坛，来自汽车价值链中数十家公司的 100 多名
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Imec
Imec 启动了一项新的开放式创新计划，专注于用于低压和高压电力电子的 300mm GaN 技术。该计划旨在提高氮化镓器件性能，同时降低制造成本，标志着功率半导体行业向前迈出了重要一步。对于eeNews Europe的读者来说，尤其是电力电子、半导体和代工生态系统的读者，这一发展凸显了向300毫米氮化镓晶圆加工的关键转变，这可能会加速氮化镓在汽车、数据中心和可再生能源应用中的采用。将氮化镓扩展到 300 毫米，以提高性能和成本效益300mm GaN 计划是 imec GaN
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Imec
300mm
GaN
下一代功率器件
实现更高的雷达精度需要多个雷达节点协同工作，这给在节点之间长距离一致地分配共享本振 （LO） 信号而不会产生干扰或衰减带来了重大挑战。研究公司和创新中心 IMEC 最近解决了这一挑战，在光纤通信会议和展览会 （OFC） 上推出了所谓的开创性概念验证，即支持光子学的码分复用 （CDM） 调频连续波 （FMCW） 144 GHz 分布式雷达系统。Imec 的光子 CDM FMCW 144-GHz 分布式雷达系统可能会改变下一代高级驾驶辅助系统 （ADAS） 和高精度传感应用，满足
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ADAS
分布式雷达
自ASML官网获悉，当地时间3月11日，ASML宣布同比利时微电子研究中心（imec）签署新的战略合作伙伴协议，重点关注半导体研究与可持续创新。据悉，该协议为期五年，旨在开发推动半导体行业发展的解决方案，并制定以可持续创新为重点的计划。此次合作涵盖了阿斯麦的全部产品组合，这些设备将导入由imec牵头建设的后2nm制程前沿节点SoC中试线NanoIC，研发的重点领域还将包括硅光子学、存储器和先进封装，为未来基于半导体的人工智能应用在不同市场提供全栈创新。
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IMEC
芯片制程
2nm
这不是末日灾难电影的场景，而是来自1984年的一手记述（诚挚为你的手笔）。当时，现代的通讯技术正要兴起，埃塞俄比亚在努力应对人权危机，而导致艾滋病（AIDS）的人类免疫缺乏病毒（HIV）持续在全球遍布恐惧。我们已经摆脱这些挑战了吗？ 很不幸，答案没那么简单。举例来说，虽然用来对抗流行病的药物已经达到史无前例的完善程度，但最近的历史提醒着我们一种病毒能对我们的社会造成多么深刻的破坏。人类的希望—嵌入一粒沙我们已经摆脱这些挑战了吗？ 很不幸，答案没那么简单。举例来说，虽然用来对抗流行病的药物已经达到史无前例的
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半导体
比利时微电子研究中心（imec），在荷兰费尔德霍温与艾司摩尔（ASML）合作建立的高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影实验室中，利用数值孔径0.55的极紫外光曝光机，发表了曝光后的图形化组件结构。在单次曝光后，9纳米和5纳米（间距19纳米）的随机逻辑结构、中心间距为30纳米的随机通孔、间距为22纳米的二维特征，以及间距为32纳米的动态随机存取内存（DRAM）专用布局全部成功成形，采用的是由imec与其先进图形化研究计划伙伴所优化的材料和基线制程。透过这些研究成果，imec证实该微影技术的生态系
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DRAM
1984年1月，比利时正在紧锣密鼓的筹备一件重大活动，于1月16日正式成立比利时微电子研究中心（imec）。成立之初，imec雇用了70名人员。当时几乎没人想到imec会在接下来的40年发展为广纳全球5500名雇员的研究泰斗。
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imec介绍
IMEC,全称为Interuniversity Microelectronics Centre, 微电子研究中心.
IMEC成立于1984年，目前是欧洲领先的独立研究中心，研究方向主要集中在微电子，纳米技术，辅助设计方法，以及信息通讯系统技术（ICT）. IMEC 致力于集成信息通讯系统设计；硅加工工艺；硅制程技术和元件整合；纳米技术，微系统，元件及封装；太阳能电池；以及微电子领域的高级培训 [
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