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CGD为电机控制带来GaN优势

  • Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司,开发了一系列高能效氮化镓(GaN) 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 正在与全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®(纳斯达克股票代码:QRVO)合作开发 GaN 在电机控制应用中的参考设计和评估套件(EVK)。CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在无刷直流电机(BLDC)和永磁同步电机(PMSM)应用中的使用,打造更高功率、高效、紧凑和可靠的系统。Qorvo在为其PAC5556A高性能 BLD
  • 关键字: CGD  电机控制  GaN  

CGD为数据中心、逆变器等更多应用推出新款低热阻GaN功率IC封装

  • 无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出两款新型 ICeGaN™ 产品系列 GaN 功率 IC 封装,它们具有低热阻并便于光学检查。这两种封装均采用经过充分验证的 DFN 封装,坚固可靠。DHDFN-9-1(双散热器DFN)是一种薄的双面冷却封装,外形尺寸仅为10x10 mm,并采用侧边可湿焊盘技术,便于光学检查。它具有低热阻(Rth(JC)),可采用底部、顶部和双侧冷却方式运行,
  • 关键字: CGD  数据中心  逆变器  GaN  功率IC  

CGD与中国台湾工业技术研究院签署GaN电源开发谅解备忘录

  • Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司,开发了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 与与中国台湾工业技术研究院(ITRI)签署了谅解备忘录,以巩固为USB-PD适配器开发高性能GaN解决方案的合作伙伴关系、并共享市场信息、实现对潜在客户的联合访问和推广。Andrea Bricconi   | CGD 首席商务官“我们很高兴能与ITRI合作,ITRI拥有一个电力解决方案研究团队,在开发电力解决方案方面有着非常丰富的经验
  • 关键字: CGD  GaN  电源开发  

Power Integrations收购Odyssey Semiconductor资产

  • 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations近日宣布达成协议,收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商Odyssey Semiconductor Technologies的资产。这项交易预计将于2024年7月完成,届时Odyssey的所有关键员工都将加入Power Integrations的技术部门。此次收购将为该公司专有的PowiGaN™技术的持续开发提供有力支持。PowiGaN技术已广泛应用于该公司的众多产品系列,包括InnoSwitch™ IC、HiperPFS
  • 关键字: Power Integrations  Odyssey  氮化镓  GaN  

Transphorm与伟诠电子合作推出新款GaN器件

  • 近日,Transphorm与伟诠电子宣布推出两款新型系统级封装氮化镓(GaN)器件(SiP),与去年推出的伟诠电子旗舰GaN SiP一起,组成首个基于Transphorm SuperGaN平台的系统级封装GaN产品系列。新推出的两款SiP器件型号分别为WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C,集成了伟诠电子的高频多模(准谐振/谷底开关)反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。与上一款240 mΩ器件(WT7162RHUG24A)相同,两
  • 关键字: 功率半导体  氮化镓  GaN  

GaN FET让您实现高性能D类音频放大器

  • D类音频放大器参考设计(EPC9192)让模块化设计具有高功率和高效,从而可实现全定制、高性能的电路设计。宜普电源转换公司(EPC)宣布近日推出EPC9192参考设计,可实现优越、紧凑型和高效的D类音频放大器,于接地参考、分离式双电源单端 (SE)设计中发挥200 V eGaN FET器件(EPC2307)的优势,在4Ω负载时,每声道输出功率达700 W。EPC9192是可扩展的模块化设计,其主板配有两个PWM调制器和两个半桥功率级子板,实现具备辅助管理电源和保护功能的双通道放大器。这种设计的灵活性高,使
  • 关键字: GaN FET  D类音频放大器  

氮化镓器件让您实现具成本效益的电动自行车、无人机和机器人

  • 基于氮化镓器件的逆变器参考设计(EPC9193)让您实现具有更高性能的电机系统,其续航里程更长、精度更高、扭矩更大,而且同时降低了系统的总成本。宜普电源转换公司(EPC)近日宣布推出EPC9193,它是使用EPC2619 eGaN®FET的三相BLDC电机驱动逆变器,具有14V~65V的宽输入直流电压范围和两种配置,分别为标准和高电流版本:●   EPC9193 是标准参考设计,在每个开关位置使用单个FET,可提供高达30ARMS 的最大输出电流。●   EPC91
  • 关键字: 氮化镓器件  电动自行车  无人机  机器人  EPC  GaN  宜普  

将达100亿美元,SiC功率器件市场急速扩张

  • SiC 市场的快速扩张主要得益于电动汽车的需求,预计 2023 年市场将比上年增长 60%。
  • 关键字: GaN  SiC  

GaN引领未来宽带功率放大器——Qorvo TGA2962

  • Qorvo是一家在射频解决方案领域具有显著影响力的美国公司。它通过提供创新的射频技术,为移动、基础设施与国防/航空航天市场提供核心技术及解决方案,致力于实现全球互联。Qorvo在射频前端模块、滤波器、功率放大器、开关、调谐器等领域都展现出了强大的技术实力和市场地位。它是全球主要的功频放大器供货商,其产品在市场上具有较高的认可度和广泛的应用。这使得Qorvo在推动5G网络、云计算、物联网等新兴应用市场的发展方面发挥了重要作用。在Qorvo所擅长的宽带功率放大器领域之中,GaN材料展露出了重要的应用潜力。由于
  • 关键字: Qorvo  GaN  宽带功率放大器  

纳微半导体与您相约亚洲充电展,最新GaN+SiC技术展望快充未来

  • 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者——纳微半导体近日宣布将参加于2024年3月20-22日在深圳福田会展中心举办的亚洲充电展,邀请观众造访由最新氮化镓和碳化硅技术打造,象征着全电气化未来的“纳微芯球”展台。纳微半导体将展出最新的GaNFast™和GeneSiC™应用及解决方案,包括:●   功率水平更高、以应用为导向的GaNSense™ Halfbridge半桥氮化镓技术●   高性能、速度快的第三代高速碳化硅技术●  &
  • 关键字: 纳微半导体  亚洲充电展  GaN+SiC  快充  

英飞凌携手Worksport利用氮化镓降低便携式发电站的重量和成本

  • 英飞凌科技股份公司近日宣布与Worksport Ltd.合作,共同利用氮化镓(GaN)降低便携式发电站的重量和成本。Worksport将在其便携式发电站转换器中使用英飞凌的GaN功率半导体GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飞凌GaN晶体管后,该功率转换器将变得更轻、更小,系统成本也将随之降低。此外,英飞凌还将帮助Worksport优化电路和布局设计,进一步缩小尺寸并提高功率密度。Worksport首席执行官Steven Rossi表示:“英飞凌高质量标准和稳固的供应链为我们提供了
  • 关键字: 英飞凌  Worksport  氮化镓  GaN  便携式发电站  

EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET

  • 全球增强型氮化镓(GaN)功率 FET 和 IC领域的领导者宜普电源转换公司(EPC)推出 100 V、1 mOhm EPC2361。这是市场上具有最低导通电阻的GaN FET,与EPC的上一代产品相比,其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm,采用耐热QFN封装,顶部裸露,封装尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面积仅为15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的体积小超过五倍。凭借超低导通电阻
  • 关键字: EPC  1mΩ  导通电阻  GaN FET  

适用于自主驾驶车辆LiDAR的GaN FET快速指南

  • 激光探测及测距 (LiDAR) 的应用包括自主驾驶车辆、无人机、仓库自动化和精准农业。在这些应用中,大多都有人类参与其中,因此人们担心 LiDAR 激光可能会对眼睛造成伤害。为防止此类伤害,汽车 LiDAR 系统必须符合 IEC 60825-1 1 类安全要求,同时发射功率不超过 200 W。通用解决方案一般采用 1 至 2 ns 脉冲,重复频率为 1 至 2 MHz。这很有挑战性,因为需要使用微控制器或其他大型数字集成电路 (IC) 来控制激光二极管,但又不能直接驱动它,这样就必须增加一个栅极
  • 关键字: 自主驾驶  LiDAR  GaN  FET  

带隙对决:GaN和SiC,哪个会占上风?

  • 电力电子应用希望纳入新的半导体材料和工艺。
  • 关键字: GaN  SiC  

SR-ZVS与GaN:让电源开关损耗为零的魔法

  • 当今,快充市场正迎来前所未有的机遇与挑战。风暴仍在继续,快充市场的迅猛发展,用户对于充电器的功率需求也在不断增大;移动设备的普及,用户对于充电器体积的要求也越来越高;同时为了在激烈的市场竞争中脱颖而出,低成本是每个快充产品必须考虑的因素。种种这些都对快充技术的要求愈发严格,不仅需要高效率、高功率,还需要适应多样化的标准和满足用户个性化的需求。在种种挑战之下,PI推出了InnoSwitch5-Pro 离线反激式开关IC,在内部集成750V或900V PowiGaN™初级开关、初级侧控制器、FluxLink™
  • 关键字: PI  SR-ZVS  GaN  氮化镓  
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