新闻亮点:● 德州仪器增加了GaN制造投入,将两个工厂的GaN半导体自有制造产能提升至原来的四倍。● 德州仪器基于GaN的半导体现已投产上市。● 凭借德州仪器品类齐全的GaN集成功率半导体,能打造出高能效、高功率密度且可靠的终端产品。● 德州仪器已成功开展在12英寸晶圆上应用GaN制造工艺的试点项目。德州仪器 (TI)近日宣布,公司基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体已在日本会津工厂开始投产。随着会津工厂投产,
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德州仪器 氮化镓 GaN
在应对消费类电器、楼宇暖通空调(HVAC)系统和工业驱动装置的能耗挑战中,业界积极响应,通过实施诸如季节性能效比(SEER)、最低能效标准(MEPS)、Energy Star 和Top Runner等项目推进建立系统能效评级体系。变频驱动器(VFD) 可为加热和冷却系统提供出色的系统效率,特别是在这些系统具有范围非常宽的精确速度控制的情况下。VFD使用逆变器控制电机转速,并进行高频脉宽调制(PWM)开关,可获得真正的可变速度控制。虽然这些逆变器目前是使用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效
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202409 三相集成GaN 电机驱动器 GaN
8月13日,新洁能发布公告称,拟将此前募投项目中的“第三代半导体 SiC/GaN
功率器件及封测的研发及产业化”项目达到预定可使用状态日期延期至2025年8月。此次延期是受宏观环境等不可控因素的影响,项目的工程建设、设备采购及人员安排等相关工作进度均受到一定程度的影响,无法在计划时间内完成。据悉,此次延期项目属新洁能二厂区扩建项目,项目总投资约2.23亿元,2022年开建,原计划2024年建设完成。项目建成后,将实现年产 SiC/GaN 功率器件2640万只。新洁能称,本次募投项目延期仅涉及项目进度的
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新洁能 SiC GaN 功率器件 封测
根据TrendForce集邦咨询最新报告《2024全球GaN Power
Device市场分析》显示,随着英飞凌、德州仪器对GaN技术倾注更多资源,功率GaN产业的发展将再次提速。2023年全球GaN功率元件市场规模约2.71亿美元,至2030年有望上升至43.76亿美元,CAGR(复合年增长率)高达49%。其中非消费类应用比例预计会从2023年的23%上升至2030年的48%,汽车、数据中心和电机驱动等场景为核心。AI应用普及,GaN有望成为减热增效的幕后英雄AI技术的演进,带动算力需求持续攀升,C
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CAGR GaN 功率元件
8月15日消息,根据TrendForce集邦咨询最新报告显示,随着英飞凌、德州仪器对GaN技术倾注更多资源,功率GaN产业的发展将再次提速。2023年全球GaN功率元件市场规模约2.71亿美元,至2030年有望上升至43.76亿美元,CAGR(复合年增长率)高达49%。报告显示,非消费类应用比例预计会从2023年的23%上升至2030年的48%,汽车、数据中心和电机驱动等场景为核心。
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英飞凌 德州仪器 GaN 功率元件
IT之家 8 月 14 日消息,TrendForce 最新报告显示,随着英飞凌、德州仪器等对 GaN(氮化镓)技术倾注更多资源,功率 GaN 产业的发展将再次提速。2023 年全球 GaN 功率元件市场规模约 2.71 亿美元(IT之家备注:当前约 19.39 亿元人民币),到 2030 年有望上升至 43.76 亿美元(当前约 313.14 亿元人民币),CAGR(复合年均增长率)达 49%。据介绍,消费电子是功率 GaN 产业的主战场,并由快速充电器迅速延伸至家电、智能手
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功率器件 GaN
全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)将于8月28日~30日参加在深圳国际会展中心(宝安新馆)举办的2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会(以下简称PCIM Asia)(展位号:11号馆D14)。届时,将聚焦碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带半导体,展示其面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案。同时,罗姆工程师还将在现场举办的“宽禁带半导体器件— 氮化镓及碳化硅论坛”以及“电动汽车论坛”等同期论坛上发表演讲,分享罗姆最新的功率电子技术成果。展位效果图罗姆拥有世界先进的碳化硅
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罗姆 SiC 氮化镓 GaN
潮流就是即便你放弃了我,也不妨碍我越来越火。距离特斯拉宣布放弃碳化硅已经过去了一年,这个市场非但没有被抛弃,反而以 GaN、SiC 为代表的第三代半导体发展备受关注:Yole 数据显示,2026 年 GaN 市场规模预计可达 6.72 亿美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半导体市场规模有望突破 60 亿美元。预测是人算不如天算,第三代半导体优势已经被讲的翻来覆去了,市场的反馈是最真实和残酷的—很火但不是主流。碳化硅与新能源车能不能齐飞?新能源是第三代半导体应用的重要驱动力。新能源车的最大
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GaN SiC
近年来,随着科技的不断进步和全球对绿色低碳发展的需求日益增长,半导体行业迎来了前所未有的发展机遇。氮化镓(GaN)作为一种新型半导体材料,以其高功率、高效率、耐高温等特性,在消费电子、电动汽车、可再生能源等多个领域展现出巨大的应用潜力。作为全球功率系统和物联网领域的半导体领导者,英飞凌在氮化镓领域持续深耕,通过战略布局、技术创新、市场应用拓展等不断巩固其市场地位。近日,英飞凌在上海慕尼黑展会期间举办了一场专门的氮化镓新品媒体沟通会,会上英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务市场总监程文涛先生以及英飞凌科技
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氮化镓 英飞凌 GaN Systems
氮化镓材料相较于硅基材料,显著优势体现在节能、成本节约及材料省用上。其核心亮点在于其超快的开关速度,在硅、碳化硅与氮化镓三者中独占鳌头。这一特性直接促进了开关频率的大幅提升,进而允许大幅缩减被动元器件及散热器的尺寸与数量,有效降低了物料消耗,彰显了氮化镓在物料节省方面的卓越能力。此外,在效率层面,氮化镓与碳化硅并驾齐驱,通过实现极低的导通阻抗(即单位面积上可达到的最小电阻),相较于硅材料实现了数量级的优化。这种高效的导电性能,是氮化镓提升系统效率的关键所在。综合上述两方面优势,氮化镓的应用不仅促进了系统性
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氮化镓 GaN
本文要点• 氮化镓是一种晶体半导体,能够承受更高的电压。• 氮化镓器件的开关速度更快、热导率更高、导通电阻更低且击穿强度更高。• 氮化镓技术可实现高功率密度和更小的磁性。氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是两种宽禁带半导体,彻底改变了传统电力电子技术。氮化镓技术使移动设备的快速充电成为可能。氮化镓器件经常用于一些转换器和驱动器应用氮化镓是一种晶体半导体,能够承受更高的电压。通过氮化镓材料的电流比通过硅半导体的电流速度更快,因此处理速度也更快。本文将探讨氮化镓材料以及氮化镓技术如何颠覆整个行业。氮化
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GaN
近期,Guerrilla RF宣布收购了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模块产品组合。Guerrilla RF表示,通过此次收购,公司获得了Gallium Semiconductor 所有现有的元件、正在开发的新内核以及相关知识产权(IP)。公司将为无线基础设施、军事和卫星通信应用开发新的GaN器件产品线并实现商业化。Guerrilla RF官方经销商Telcom International的一位员工表示,公司计划向韩国市场供应Guerrilla RF的射频晶体管,并将其
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Guerrilla RF Gallium GaN
7月1日,纯晶圆代工厂格芯(GlobalFoundries)宣布已收购Tagore专有且经过生产验证的功率氮化镓(GaN)技术及IP产品组合,以突破汽车、物联网和人工智能(AI)数据中心等广泛电源应用的效率和性能界限。资料显示,无晶圆厂公司Tagore成立于2011年1月,旨在开拓用于射频和电源管理应用的GaN-on-Si半导体技术,在美国伊利诺伊州阿灵顿高地和印度加尔各答设有设计中心。格芯表示,此次收购进一步巩固公司对大规模生产GaN技术的决心,该技术提供多种优势,可帮助数据中心满足不断增长的电力需求,
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晶圆代工 格芯 GaN
6月21日,台达电子宣布与全球半导体领导厂商德州仪器(TI)成立创新联合实验室。台达表示,此举不仅深化双方长期合作关系,亦可凭借TI在数字控制及氮化镓(GaN)等半导体相关领域多年的丰富经验及创新技术,强化新一代电动车电源系统的功率密度和效能等优势,增强台达在电动车领域的核心竞争力。台达交通事业范畴执行副总裁及电动车方案事业群总经理唐修平表示:“透过与TI成立创新联合实验室,运用TI在数位控制及GaN领域丰富经验与技术优势,提升电动车电源系统的功率密度和效能,期盼双方达到更紧密的技术交流及合作,以更具前瞻
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台达电子 TI GaN
根据Yole机构2024 Q1的预测,氮化镓 (GaN) 功率半导体器件市场2023至2029年平均复合年增长 (CAGR) 将高于45%,其中表现最为抢眼的是汽车与出行市场(automotive & mobility),“从无到有”,五年后即有望占据三分之一的GaN应用市场(图1)。而相比之下,碳化硅(SiC)应用市场成长则显得比较温和,CAGR远低于GaN(图1)。随着GaN“上车”进程加速,功率器件器件市场竞争格局或将被改写。图1:在GaN市场份额变化中,汽车与出行市场 “从无到有”,五年后
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GaN 车用功率器件 Transphorm SiC
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GaN
即氮化镓,属第三代半导体材料。
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