9月7日，“破界·启新——碳化硅前沿技术分享暨碳化硅超级结MOSFET成果发布会”在上海举行。本次发布的核心成果，源自瑶芯微（上海）电子科技股份有限公司（简称“瑶芯微电子”）与中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃团队在碳化硅超级结技术上的深度产学研合作。双方历时五年联合技术攻关，协同晶圆代工厂芯联集成电路制造股份有限公司（简称“芯联集成”）进行工艺平台开发，率先实现该前沿技术从实验室走向产业化的突破。现场，瑶芯微电子正式发布全球首款碳化硅超级结MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管）产品。此次全球
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碳化硅超级结
SiC
AI大模型产业化落地，推动全球算力规模持续攀升，AI数据中心单机柜功率等级大幅提升，逐步从百千瓦级向兆瓦级演进。传统硅基功率器件受限于材料特性，在损耗、体积、散热、功率密度等方面存在明显瓶颈，已无法适配高阶算力的供电需求。在此背景下，以SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）为代表的宽禁带半导体器件快速普及，从备选升级方案转变为AI数据中心电源的核心刚需器件，成为算力供电体系迭代的核心抓手。Omdia 2026年上半年发布的功率半导体行业追踪报告明确指出，行业增长结构正在发生显著切换：AI数据中心已成为增速最快
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SiC
机房
GaN
宽禁带
AI算力供电
电容-电压（C-V）测量是半导体材料与器件工艺表征的重要手段，广泛应用于 MOS 器件分析。借助 C-V 测试数据，可提取氧化物可动电荷、氧化层电容、界面陷阱、掺杂分布、平带电压、掺杂浓度、少数载流子寿命以及输入输出电容等多项关键器件参数。传统准静态 C-V 测试大多依靠源测量单元（SMU）输出步进电压、采集响应电流完成测试，该方案在硅基 MOS 器件测试中表现良好。但针对碳化硅（SiC）MOS 器件，器件本身电容偏大，基于测电流的传统准静态方案容易出现测试结果失稳的问题。为解决传统准静态测试中步进电压、
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Tektronix
SiC
C-V测试
MOSFET测试
器件测试
Wolfspeed发布2026财年第四季度业绩：本季收入约1.5亿美元（1.496亿），同比下滑约24%；但AI数据中心相关收入在2026财年同比增长超过一倍，第四季度环比再增长约20%。公司同期推出第五代SiC MOSFET，并在硅谷组建专门的数据中心解决方案团队，已获得LITEON、MACOM等电源供应商的设计订单，覆盖多家超大规模数据中心客户的HVDC架构项目。表面看是需求亮点，但经营基本面仍承压。本季GAAP毛利率为-25%、non-GAAP毛利率为-20%，仍为负值；净亏损1.454亿美元，现金
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Wolfspeed
SiC
AI数据中心
电源
毛利率
AI 算力爆发推动单机架功率迈向兆瓦级，由英伟达主导的 800V 高压直流供电架构，正加速替代传统 48V 低压供电体系。在全新供电链路中，碳化硅（SiC）承担将市电高效转换为 800V 高压直流并送入机房的任务，扮演 “送电进机房” 的能源骨干角色；氮化镓（GaN）则负责 GPU 侧末端降压供电。二者分工协同，破解 AI 服务器供电损耗、热管理等诸多瓶颈，传统硅基器件的性能已逐步触及上限。作为国内 SiC 器件厂商，清纯半导体的产品已在 AI 数据中心场景实现批量出货，同时企业持续迭代 8 英寸第三代
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SiC
清纯半导体
清纯
AI算力电源
高压供电
随着 AI 大模型快速迭代，算力需求爆发式增长，AI 数据中心的功耗压力也随之陡增。供电系统作为算力基础设施的 “心脏”，正朝着更高功率、更高效率、更高功率密度方向快速演进，以 SiC、GaN 为代表的宽禁带半导体器件，正在成为这场技术变革的核心支撑。围绕 AI 数据中心供电的技术演进路线、宽禁带器件的落地现状，以及英飞凌对应的产品方案与产能规划，EEPW 记者专访了英飞凌科技副总裁，英飞凌消费、计算与通讯业务中国区 AI 数据中心业务单元负责人王岩（Kim Wang）。英飞凌科技副总裁，英飞凌消费、计算
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SiC
GaN
AI数据中心电源
AI 数据中心电源
英飞凌
摘要：碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已经介绍了碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源。本文为第二篇，将介绍三种替代Si和SiC MOSFET的方案。 （一）SiC JFET、SiC Combo JFET、SiC Cascode JFET、SiC MOSFET的核心要点（1） SiC JFET•
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碳化硅
SiC
MOSFET
202606
随着AI算力产业高速迭代，数据中心单机柜功率正式迈入兆瓦级时代，800V高压直流、48V中间母线架构全面普及，为电源系统带来全新挑战。在此背景下，SiC、GaN等宽禁带器件彻底摆脱可选升级的定位，成为AI算力电源的核心刚需器件。那么，如何适配行业刚需、破解高压高频供电痛点？为此，EEPW电子产品世界记者采访了MPS（芯源系统）公司。1 AI数据中心用SiC/GaN发展动向伴随AI单机柜功率迈入兆瓦级，800V高压直流、48V中间母线全面普及，宽禁带器件已从“可选升级”转为算力电源刚需。AI 数据
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202609
AI算力电源
宽禁带器件
MPS
算力电源
SiC
GaN
图片来源:Heron PowerHeron Power 计划投资 1 亿美元在加州 Morgan Hill 建厂,量产名为 Heron Link 的 5MW 中压功率转换系统,面向大型能源与数据中心,目标 2027 年底量产。公司给出的背景是:标准变压器交付周期可长达四年,已成为 AI 数据中心接电的突出瓶颈。Heron 由前 Tesla 高管 Drew Baglino 参与,已完成 1.4 亿美元 B 轮融资。Heron Link 把 34.5kV 中压交流直接转换为 800V 直流,效率标称高于 98
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固态变压器
中压功率转换
数据中心供电
SiC
GaN
电网设备
随着生成式 AI 催生算力爆发，AI 服务器单机柜功率密度大幅提升，数据中心供电架构迎来变革。800V HVDC 搭配 48V 中间母线成为智算机房主流，传统硅基器件已接近性能瓶颈，SiC、GaN 等宽禁带器件成为化解机房能耗、散热、BOM 成本压力的核心。当下行业仍存疑问：新架构中 SiC 与 GaN 如何分工？规模化量产需要突破哪些门槛？本土企业如何从器件竞争升级到系统方案竞争？作为国内 IDM 模式功率半导体龙头，华润微布局 SiC、GaN 完整产品线，覆盖数据中心全功
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SiC
GaN
AI 数据中心供电
华润微
2026 年 8 月 5 日，Power Integrations（PI）正式发布2200V PowiGaN共源共栅氮化镓技术，虽然本次仅为技术验证发布，对应商业化产品仍处于研发阶段，但标志着商用氮化镓耐压上限实现跨越式突破。回顾 PI 高压氮化镓迭代路线：2018 年 750V、2022 年 900V、2023 年 1250V、2024 年 1700V，本次 2200V 规格彻底拉开与市面 200~900V 平面增强型 GaN 的代差，成为当前全球唯一量产化 900V 以上氮化镓技术路线。传统氮化镓受硅
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2200V
PowiGaN
GaN
SiC
公告亮点• Wolfspeed与光宝科技 (LITEON) 宣布建立战略合作伙伴关系，为下一代人工智能 (AI) 数据中心部署提供 800 VDC 功率解决方案。• 光宝科技 (LITEON) 正与 Wolfspeed 合作，在其下一代 800 VDC sidecar 电源平台中采用碳化硅 (SiC) MOSFET，目标定位领先的超大规模数据中心客户及未来设计合作机会。• 依托 Wolfspeed 业界领先的 200mm 碳化硅 (SiC) 制造平台，为人工智能 (AI) 基础设施部署提供供应链韧性保障与
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Wolfspeed
光宝科技
电源
碳化硅
SiC
2026年作为“十五五”开局之年，我国产业发展迈入高效化、低碳化、智能化的全新迭代周期，智能网联新能源汽车、算电协同、新型电力系统、具身智能等新赛道不断崛起，半导体作为产业数字化与电气化融合的核心纽带，战略价值持续凸显。但是我国半导体产业也面临着诸多现实挑战：高端功率半导体结构性供给不足、技术生态迭代提速、市场供需错配等问题，我们该如何依托技术创新、本土化深耕破解产业痛点、实现价值突围，成为产业发展核心命题。近日，“英飞凌2026媒体日”在上海张江科学城举办，英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁、消费计
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英飞凌
英飞凌2026媒体日
碳化硅
SiC
氮化镓
GaN
MCU
BorgWarner于8月3日宣布，获得一家欧洲主要车企多个高压逆变器项目的延展（extension），覆盖插电式混合动力（PHEV）与800V纯电平台，计划于2029年量产。两条技术路线各有侧重：PHEV版本采用BorgWarner自研ASIC（专用集成电路）技术，且已在800V逆变器组合中验证，可完全兼容该客户的整车操作系统，实现更精细的电力电子控制与更高效的系统落地；800V版本则搭载新一代Viper SiC功率开关与双面冷却功率模块。据介绍，这一结构采用无键合线（wire-bond-less）封装
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BorgWarner
高压逆变器
PHEV
800V
SiC
Viper
电驱
汇川联合动力
随着汽车电气架构向48V、800V和更高功率密度演进，保护器件在整车系统中的位置正在被重新审视。Littelfuse持续更新面向汽车级功率器件、电池系统和高压电源链路的保护方案，反映出一个趋势：智能电动汽车的可靠性竞争，不只发生在主芯片、功率模块和电池包上，也发生在过压、过流、浪涌、短路和热失效保护这些基础环节中。电动化和智能化让车内电源网络更复杂。传统12V系统之外，48V轻混、电子涡轮、主动悬架、线控制动、热管理、座舱舒适系统和大功率泵类负载不断增加；高压平台则连接动力电池、逆变器、OBC、DC-DC
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Littelfuse
汽车保护器件
高压保护
48V系统
800V平台
TVS
保险丝
SiC
GaN
汽车电子
未来，AI数据中心的算力瓶颈最终将是电力，电力传输系统是算力提升的关键约束，AI数据中心的电源系统从传统48V架构在逐渐过渡到HVDC供电架构，并在往SST（固态变压器）的最终形态转变。而宽禁带半导体（SiC和GaN）在这些高压电力转换过程中可以充分发挥其高压高频高速的材料和器件特性。作为全球功率半导体标杆企业，罗姆半导体是如何应对这场功率变革的呢？近日，EEPW电子产品世界的记者采访了罗姆半导体（上海）有限公司深圳分公司技术中心高级经理苏勇锦。罗姆半导体（上海）有限公司深圳分公司技术中心高级经理&nbs
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202608
AI算力电源
罗姆
ROHM
SiC模块
数据中心供电
SiC MOSFET
GaN HEMT
还记得电影《F1：狂飙飞车》中，那些让人肾上腺素飙升的镜头吗？男主桑尼驾驶着APX GP，在直道末端以超过300公里的时速呼啸而过。如果你用手机拍摄这一瞬间，得到的可能是一片模糊的光影——你只知道有辆车过去了，但完全看不清细节。但是如果用足够快的连拍速度和抓取瞬间的能力的高速相机，就能定格赛场上的精彩瞬间，可以看清它的姿态、细节，甚至分析他过弯的精准线路。而在电力电子领域，如果把Si MOSFET比作家用轿车，那么SiC MOSFET器件就是F1赛车，代表着它具有更快（开关频率高）、更高效率（更低损耗）的
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英飞凌
SiC
数字信号
安森美（onsemi）推出行业首款网页端工具，实现栅极驱动器和电源开关的智能配对。Elite Pairing Studio智能配对工具能够推荐我们的EliteSiC MOSFET和栅极驱动器的最佳匹配方案，在几秒钟内评估所有栅极驱动器，决策速度提升10倍，实现更高性能的电源设计。资源和产品Elite Pairing Studio智能配对工具，快速完成安森美SiC MOSFET和栅极驱动器多个组合的评估，比单独评估的速度提升10倍。用户指南用户指南讲解如何高效利用Elite Pairing Studio快速
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安森美
SiC
MOSFET
驱动器
随着AI大模型、生成式AI技术持续落地，全球AI算力需求迎来爆发式增长，与AI配套的数据中心电源也异军突起，AI机架功率向千安级电流和1000kW级别狂飙，传统功率器件已难以满足需求。以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带功率器件，叠加配套栅极驱动芯片、系统设计工具，成为行业突破技术壁垒、抢占市场先机的核心赛道。SiC、GaN 的应用优势和迭代趋势如何？功率半导体厂商的落地进展和未来布局如何？近日，EEPW电子产品世界记者专访了头部厂商——安森美电源方案事业部业务拓展经理Sean G
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202608
AI算力电源
SiC
GaN
AI数据中心
在新能源、工控、储能等高压大功率场景中，沟槽栅 SiC MOSFET凭借优异的开关性能被广泛应用。但在电机驱动、电源转换等感性负载场景中，MOSFET关断时因电流突变会在漏源极间产生高压尖峰。若无钳位电路吸收能量，器件可能进入雪崩击穿状态，轻则参数劣化，重则直接烧毁。雪崩稳健性是衡量 SiC MOSFET 可靠性的核心指标，今天结合实测案例与图表，拆解动态雪崩测试原理、单脉冲 / 重复雪崩耐量区别，以及失效模式。动态雪崩测试（UIS）原理电路布线电感、器件封装电感、负载电感等电感，是触发 SiC MOSF
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SiC
MOSFET
UIS
非钳位感性开关
Infineon 与 LS ELECTRIC 围绕 AI 数据中心和下一代电网签署合作备忘录，合作方向包括高效率直流电力基础设施、储能、电力转换、固态变压器和固态断路器。此次合作也反映出，AI 数据中心供电正逐步从单一器件优化，延伸至电力链路和系统架构协同。Infineon 与韩国电气设备企业 LS ELECTRIC 近日签署合作备忘录，双方将面向 AI 数据中心和下一代电网，推动高效率直流电力基础设施相关技术研发与产业合作。公开信息显示，合作重点包括储能、电力转换系统、固态变压器和固态断路器等方向。AI
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Infineon
LSELECTRIC
AI数据中心
固态变压器
固态断路器
SiC
GaN
储能
AI
近两年陷入供过于求及价格跌落的第三类半导体6寸碳化硅（SiC）基板，在产能限制及多方需求浮现下，价格已明显见底，甚至开始回温。 半导体通路业者指出，目前呈现供货吃紧状态，客户若要加量购买，更「必须加价」，近日已难负荷加量订单。功率半导体产业近期迎来一波涨价潮，也为SiC增添信心，其一是通膨的连动效应，尤其地缘政治带动下，功率半导体正启动新一波涨价。 其二，AI需求旺盛造成相关资源的竞争，AI数据中心与电动车（EV）的800VDC，为第三类半导体SiC与氮化镓（GaN）打造出刚性需求。半导体通路业者指出，产
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6吋
SiC
基板
碳化硅（SiC）凭借低导通电阻、高导热、高耐压、快开关速度等特性，已广泛应用于光伏风电逆变器、储能系统、固态变压器等电力设备，适配电网、AI数据中心、快充等高压大功率场景。随着电力系统功率密度持续提升，SiC器件工作电压与运行温度不断提高，高压绝缘与高密度散热成为行业核心技术难题。针对这一痛点，纳微半导体推出全新UHV-TO-247-4-ISO高压隔离封装，专为1200V至3300V高压SiC MOSFET设计，在分立器件小巧体积的基础上，实现模块级的电气与散热性能。 纳微UHV-TO-247-
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封装技术
MOSFET
SiC
全球知名半导体制造商罗姆宣布，将于7月1日～3日参加2026慕尼黑上海电子展（electronica Shanghai 2026）。届时，罗姆将在上海新国际博览中心N4馆500号展位，集中展示其面向AI服务器、车载及工业设备等领域的多元化产品与解决方案，以及丰富的应用案例。当前，AI算力基础设施、新能源汽车和工业智能化正在推动电子系统向更高功率密度、更高能效和更高可靠性方向演进。尤其是在AI服务器和数据中心领域，电源架构正面临大功率、高效率和系统级优化的多重挑战；在汽车电子领域，智能座舱、ADAS和车载高
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罗姆
慕尼黑上海电子展
SiC
罗姆公司研发出 TSC3PAK 封装，这是一款应用于碳化硅 MOSFET 的顶部散热封装产品，主要面向电动汽车与工业设备中的高压电能转换场景。该表面贴装封装尺寸为 14.00×18.58×3.50 毫米，既支持自动化装配，散热能力也可媲美 TO-247-4L 等传统通孔封装产品。当前碳化硅器件的应用范围不断拓展，除牵引逆变器外，还逐步应用于车载充电机、电动压缩机、服务器电源以及光伏逆变器等设备，封装技术也随之成为设计环节中的关键考量因素，因此本次新品研发备受行业关注。传统大功率应用场景中所使用的碳化硅 M
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SiC
功率MOSFET
高压器件
顶部散热
封装技术
摘要安森美（onsemi）的Elite Pairing Studio是一款在线设计环境，帮助工程师在高要求的电力电子应用（包括AI数据中心、电动汽车和工业系统）设计中，简化碳化硅（SiC）MOSFET与栅极驱动器的配对。通过可视化呈现器件级行为和配对权衡，Elite Pairing Studio能助力工程师更早地做出明智决策，并有助于减少设计迭代。Elite Pairing Studio作为安森美更广泛设计工具集的入口，为系统级的性能、能效和热特性评估提供了无缝路径。新闻亮点· E
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EDA工具
电源设计
SiC
·英飞凌与西门子携手推动固态断路器技术在数据中心、生产设施及电池储能系统等应用场景的发展·固态断路器是一种基于半导体技术的快速响应电子装置，可在短路或过载时保护电路和组件免受损坏·英飞凌碳化硅功率模块有效提升西门子断路器的效率、功率密度和可靠性全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与西门子股份公司（以下简称西门子）开展合作，共同提升数据中心、生产设施及电池储能系统的电气保护水平，保障运行可靠性。合作内容包括英飞凌将向西门子供应碳化硅（
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英飞凌
西门子
SiC
碳化硅
CoolSiC
MOSFET
固态断路器
直流配电
储能
AI数据中心
TDK株式会社（东京证券交易所代码：6762）重磅推出B25696H*系列MKP直流高频 (HF) 薄膜电容器。作为适用于新一代碳化硅 (SiC) 电力电子器件的高可靠性、高性能直流支撑电容器平台，该系列元件的容值范围为47 µF至1280 µF，额定电压范围为900 V至2000 V，具备超低自感和低等效串联电阻 (ESR) 特性，可满足现代高开关频率拓扑结构的应用需求。B25696H系列的典型应用包括储能系统 (ESS)、固态变压器 (SST)、可再生能源逆变器、牵引驱动及工业电机驱动。 &
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TDK
B25696H
MKP薄膜电容
直流支撑电容
SiC
超低自感
ESR
纹波电流
sic介绍
SiC是一种Ⅳ－Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或β－SiC，这里3指的是周期性次序中面的数目；另一类是六角型或菱形结构的大周期结构，其中典型的有6H、4H、15R等，统称为α－SiC。与Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境，并具有极好的抗辐射性能.
Si [
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