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因中国价格战和Wolfspeed不确定性 瑞萨电子放弃SiC生产计划

  • 根据 MoneyDJ 援引日经新闻的一份报告,电动汽车 (EV) 市场增长放缓,加上中国制造商增产导致供应过剩,导致价格下跌,据报道,这促使日本半导体巨头瑞萨电子放弃了生产电动汽车碳化硅功率半导体的计划。日经新闻指出,瑞萨电子最初计划于 2025 年初在其位于群马县的高崎工厂开始生产用于电动汽车的 SiC 功率芯片。然而,该公司此后解散了高崎工厂的 SiC 团队。日经新闻补充说,预计与中国竞争对手的价格竞争将在中长期内加剧,这使得瑞萨电子作为后来者很难从 SiC 芯片生产中快速获利。根
  • 关键字: 价格战  Wolfspeed  瑞萨电子  SiC  

中国最大碳化硅工厂点火,可供应本地30%需求,Wolfspeed压力很大

  • 据当地媒体《一财全球》和IT之家报道,据报道,美国碳化硅 (SiC) 巨头 Wolfspeed 在与快速崛起的中国竞争对手的激烈竞争中徘徊在破产边缘,中国最大的碳化硅晶圆厂已在武汉正式投产,旨在供应该国国内产量的 30%。YiCai 报告称,一个 SiC 晶圆模型的车载测试最快将于下个月开始,而另外近 10 个模型已经在验证中。不久之后将进行大规模生产和交付。IT Home 表示,该工厂的一期重点是功率器件,计划年产 360,000 片 6 英寸 SiC 晶圆。另一方面,益财国际补充说,这足以支持超过 1
  • 关键字: 碳化硅  Wolfspeed  

Wolfspeed破产传闻使瑞萨电子20亿SiC供应交易面临风险

  • 据日本媒体《日刊工业新闻》报道,据报道,总部位于美国的碳化硅晶圆生产商 Wolfspeed 正在申请第 11 章破产保护。报告指出,这一发展促使日本公司(包括与 Wolfspeed 签订了 10 年供应协议的瑞萨电子以及 Rohm)重新评估其战略计划。正如日刊工业新闻所说,瑞萨电子可能会受到影响,因为其与 Wolfspeed 于 2023 年签署了 20 亿美元的预付款 10 年碳化硅晶圆供应协议。报告指出,如果 Wolfspeed 根据美国破产法第 11 章申请破产保护,瑞萨电子可能
  • 关键字: Wolfspeed  破产  瑞萨电子  SiC  

受激进定价和疲软需求打击 Wolfspeed将在几周内申请破产

  • 据《华尔街日报》和路透社报道,面对来自快速扩张的中国竞争对手的激烈竞争以及工业和汽车市场的疲软需求,据报道,Wolfspeed 正准备在几周内申请破产。据报道,受约 65 亿美元债务的拖累,这家美国碳化硅巨头也在努力应对持续的与关税相关的不确定性,这给本已紧张的业务增加了更多压力。3 月下旬,该公司在一份新闻稿中表示,它正在探索有关其可转换票据的替代方案,并仍在与包括 Apollo 和 Renesas 在内的贷方进行对话。但报道称,随着这些谈判的破裂,Wolfspeed 在拒绝了多项庭外重组提议后,现在正
  • 关键字: Wolfspeed  申请破产  

CHIPS 法案、电动汽车关税加剧了Wolfspeed的现金危机

  • 在特朗普政府缩减美国《芯片法案》并提升汽车关税后,Wolfspeed(欧胜)的新任首席执行官需要面临更为严峻的现金危机。作为车用碳化硅行业的领导厂商,Wolfspeed近年来投入数十亿美元在美国建立SiC制造能力,可惜备受汽车经济低迷和关税前景的打击陷入持续亏损中,现在公司转向提供AI数据中心电源以促进增长,不过该公司正在寻求第11章法规的债权保护。“作为我们贷方谈判的一部分,我们可能会选择在法庭内或庭外寻求选择,”两周前接任首席执行官的罗伯特·费尔 (Robert Feurle) 说。据报道,资产管理公
  • 关键字: CHIPS  Wolfspeed  SiC  

第 4 代碳化硅技术:重新定义高功率应用的性能和耐久性

  • 简介本白皮书重点介绍 Wolfspeed 专为高功率电子应用而设计的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。基于在碳化硅创新领域的传承,Wolfspeed 定期推出尖端技术解决方案,重新定义行业基准。在第 4 代发布之前,第 3 代碳化硅 MOSFET 凭借多项重要设计要素的平衡,已在广泛用例中得到验证,为硬开关应用的全面性能设定了基准。市场上的某些厂商只关注特定品质因数 (FOM),如导通损耗、室温下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg,而 Wolfspeed 则采用了一
  • 关键字: Wolfspeed  碳化硅  高功率应用  

第4代碳化硅技术:重新定义高功率应用的性能和耐久性

  • 简介本白皮书重点介绍 Wolfspeed 专为高功率电子应用而设计的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。基于在碳化硅创新领域的传承,Wolfspeed 定期推出尖端技术解决方案,重新定义行业基准。在第 4 代发布之前,第 3 代碳化硅 MOSFET 凭借多项重要设计要素的平衡,已在广泛用例中得到验证,为硬开关应用的全面性能设定了基准。市场上的某些厂商只关注特定品质因数 (FOM),如导通损耗、室温下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg,而 Wolfspeed 则采用了一种更为广泛
  • 关键字: 第4代碳化硅  碳化硅  Wolfspeed  

Wolfspeed得州厂关闭并挂牌出售

  • 1月16日消息,美国芯片制造商Wolfspeed将其位于达拉斯郊外的得州工厂挂牌出售。该工厂所在数据中心通过Loopnet挂牌,价格未公布,含四栋建筑,是26英亩企业科技园区一部分,且四栋建筑不可单独出售。其中A栋为半导体制造厂,设有实验室、工厂车间和办公空间;B、D栋分别是办公空间与仓库,G楼数据中心可扩展至28MW,设施配备多台变压器、柴油发电机及UPS。Wolfspeed在2025年第一季度财报电话会议表明,公司旨在为简化业务,专注200毫米碳化硅晶圆,因150mm晶圆需求下降,得州工厂关闭致75人
  • 关键字: Wolfspeed  德州  

Wolfspeed拟获美商务部7.5亿美元拨款

  • 10月16日消息,美国半导体开发商和制造商Wolfspeed当地时间10月15日宣布,已经与美国商务部签署了一份不具约束力的初步条款备忘录(PMT),美国商务部拟根据《芯片和科学法案》直接提供高达7.5亿美元的资金。此外,由阿波罗、包普斯特集团(The Baupost Group)、富达管理与研究公司(Fidelity Management & Research Company)和资本集团(Capital Group)牵头的投资基金财团已同意向Wolfspeed公司提供额外的7.5亿美元新融资。另
  • 关键字: 晶圆厂  Wolfspeed  芯片法案  

久旱逢甘霖,SiC 晶圆巨头 Wolfspeed 同美国政府签署 7.5 亿美元补贴备忘录

  • 10 月 16 日消息,美国商务部当地时间昨日宣布同碳化硅晶圆巨头、8 英寸 SiC 晶圆领军企业 Wolfspeed 签署一份不具约束力的初步条款备忘录,拟根据美国《CHIPS》法案提供最高 7.5 亿美元(IT之家备注:当前约 53.46 亿元人民币)的直接资金支持。这笔补贴将用于支持 Wolfspeed 在北卡罗来纳州 Siler City 建设 John Palmour 碳化硅制造中心并扩建 Wolfspeed 位于纽约州 Marcy 的现有碳化硅器件制造工厂。▲ John Palmou
  • 关键字: Wolfspeed  碳化硅晶圆厂  晶圆代工  

EPC Power 携手 Wolfspeed,以碳化硅打造可靠的模块化电网级储能方案

  • 几十年来,电网一直是电力生产单位和消费者之间可靠的桥梁,只需轻轻一按开关,便能畅通无阻地将电力源源不断地输送到千家万户。然而,随着太阳能和风能等可再生能源发电需求的不断增长,现有电网唯有成功应对新的挑战(包括整合储能系统),才能确保在用电高峰期电力供应充足。 EPC Power 作为一家提供尖端功率转换解决方案的知名地面电站逆变器制造商,现已携手 Wolfspeed 开发解决方案,共同应对储能挑战。此次强强联合,双方利用碳化硅的强大性能,打造出业界首款地面电站组串式逆变器“M”,使并网储能系统比以往任何时
  • 关键字: EPC Power  Wolfspeed  碳化硅  模块化  电网级储能  

EPC Power携手Wolfspeed,以碳化硅打造可靠的模块化电网级储能方案

  • 几十年来,电网一直是电力生产单位和消费者之间可靠的桥梁,只需轻轻一按开关,便能畅通无阻地将电力源源不断地输送到千家万户。然而,随着太阳能和风能等可再生能源发电需求的不断增长,现有电网唯有成功应对新的挑战(包括整合储能系统),才能确保在用电高峰期电力供应充足。EPC Power 作为一家提供尖端功率转换解决方案的知名地面电站逆变器制造商,现已携手 Wolfspeed 开发解决方案,共同应对储能挑战。此次强强联合,双方利用碳化硅的强大性能,打造出业界首款地面电站组串式逆变器“M”,使并网储能系统比以往任何时候
  • 关键字: EPC Power  Wolfspeed  碳化硅  电网级储能方案  

功率器件模块:一种满足 EMI 规范的捷径

  • 由于功率模块的设计和几何形状可以实现 EMI 建模,从而使设计人员能够在设计流程的早期预测和了解其系统中的 EMI 反应。相邻或共用导电回路的电子器件容易受到电磁干扰 (EMI) 的影响,使其工作过程受到干扰。要确保各电气系统在同一环境中不干扰彼此的正常运行,就必须最大限度地减少辐射。通常,由于硅 (Si) IGBT 和碳化硅 (SiC) MOSFET 等功率半导体器件在工作期间需要进行快速开关,因此通常会产生传导型 EMI。在开关状态转换过程中,器件两端的电压和流经器件的电流会迅速改变状态。开、关状态间
  • 关键字: WOLFSPEED  功率器件  EMI  

设计基于SiC的电动汽车直流快速充电机

  • 电动汽车(EV)直流快速充电机绕过安装在电动汽车上的车载充电机,直接为电池提供快速直流充电。如下图所示,直流快速充电机由一级 AC-DC 和一级 DC-DC 组成:图 1. 直流快速充电机由一级 AC-DC 和一级 DC-DC 组成在优化系统效率的同时最大限度缩短充电时间是直流快速充电机的主要关注点。在设计此类系统时,必须考虑器件选型、电压范围和负载要求、运行成本、温度、坚固性和环境保护,以及可靠性。相比传统硅(Si)和 IGBT 器件,基于碳化硅(SiC)的器件由于具有工作温度更高、导通损耗更小、漏电流
  • 关键字: SiC  电动汽车  直流快速充电机  Wolfspeed  

总投资50亿美元,Wolfspeed全球最大碳化硅工厂封顶

  • 据Wolfspeed官微消息,全球碳化硅技术引领者Wolfspeed在位于美国北卡罗来纳州查塔姆县的“John Palmour 碳化硅制造中心”举办建筑封顶庆祝仪式。据悉,John Palmour 碳化硅制造中心总投资50亿美元,占地445英亩,一期建设预计将于2024年底竣工。该制造中心将制造200mm碳化硅(SiC)晶圆,显著扩大Wolfspeed材料产能,满足对于能源转型和AI人工智能至关重要的新一代半导体的需求。产能的爬坡将为近期签订的客户协议(瑞萨、英飞凌、以及其他企业等)提供支持,推动具有重要
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