美国北卡罗来纳州达勒姆市的碳化硅(SiC)材料与功率半导体器件厂商 Wolfspeed 公司,收到美国国防部(DoW)战略资本办公室(OSC)出具的附条件贷款承诺函,最高可获得15 亿美元、期限 30 年的长期融资,用于支持碳化硅材料与宽禁带功率器件的美国本土研发及生产,同时重点面向美国国家安全相关应用。这笔 15 亿美元的贷款,除了支撑对美国国防与经济工业基础至关重要的本土宽禁带供应链之外,还将推进美国国防部多项重点项目。具体而言,Wolfspeed 计划将这笔资金用于(包括但不限于):升级氮化镓(Ga
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美国国防部
全球碳化硅技术引领者 Wolfspeed, Inc. 公司(纽约证券交易所代码:WOLF),今日宣布其全新 Premium 高端 200 mm n-型碳化硅(SiC)衬底正式商业化供货,进一步扩展公司 200 mm 碳化硅(SiC)材料产品组合。该全新产品采用更高品质起始基材,旨在通过减少缺陷和提升晶圆片形稳定性来提高良率。
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Wolfspeed发布2026财年第四季度业绩:本季收入约1.5亿美元(1.496亿),同比下滑约24%;但AI数据中心相关收入在2026财年同比增长超过一倍,第四季度环比再增长约20%。公司同期推出第五代SiC MOSFET,并在硅谷组建专门的数据中心解决方案团队,已获得LITEON、MACOM等电源供应商的设计订单,覆盖多家超大规模数据中心客户的HVDC架构项目。表面看是需求亮点,但经营基本面仍承压。本季GAAP毛利率为-25%、non-GAAP毛利率为-20%,仍为负值;净亏损1.454亿美元,现金
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公告亮点• Wolfspeed与光宝科技 (LITEON) 宣布建立战略合作伙伴关系,为下一代人工智能 (AI) 数据中心部署提供 800 VDC 功率解决方案。• 光宝科技 (LITEON) 正与 Wolfspeed 合作,在其下一代 800 VDC sidecar 电源平台中采用碳化硅 (SiC) MOSFET,目标定位领先的超大规模数据中心客户及未来设计合作机会。• 依托 Wolfspeed 业界领先的 200mm 碳化硅 (SiC) 制造平台,为人工智能 (AI) 基础设施部署提供供应链韧性保障与
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美国北卡罗来纳州达勒姆市碳化硅(SiC)材料及功率半导体厂商科锐(Wolfspeed),与中国台湾新竹市 AI 电源方案供应商光宝科技(LITEON) 宣布达成战略合作;科锐碳化硅器件已完成认证,将搭载于光宝 800V 直流侧边供电单元与计算机架电源(PSU)平台。该系列平台专为头部超算云厂商新一代 AI 数据中心打造,未来有望广泛落地于各大云服务商(CSP)机房项目。AI 算力需求爆发,正加速行业向 800V 直流供电架构转型。当下数据中心对电源模块(PSU)、电池后备单元(BBU)等核心设备,愈发看重
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针对美国北卡罗来纳州达勒姆市碳化硅材料与功率半导体厂商Wolfspeed向美国特拉华联邦地区法院提起的专利侵权诉讼,美国加利福尼亚州托伦斯市氮化镓功率集成电路及碳化硅技术企业Navitas明确表示不认同相关指控,将 “全力抗辩针对自身及旗下产品毫无依据的侵权指控”,并坚信本次诉讼自身能够胜诉。与此同时,Navitas称公司将 “持续全力推进自身发展战略,推出创新产品,满足市场对下一代功率半导体快速增长的需求”。Navitas表示,公司数十年间依托自主创新、顶尖工程研发能力,打造出行业领先技术,并布局完善的
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Navitas
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企业发起维权,捍卫氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)相关知识产权Wolfspeed已向美国特拉华州联邦地区法院提起诉讼,指控Navitas侵犯其多项专利权。本次诉讼指出,Navitas多款主力产品侵犯了Wolfspeed多项美国专利,专利号分别为:8169005、10998418、10886396、10749443、11888392。被诉侵权产品覆盖Navitas核心产品线,包含旗下氮化镓场效应管系列(GaNFast、GaNSlim、GaNSafe 产品家族),同时涉及Navitas GeneSiC 碳化
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氮化镓
在宽禁带半导体的产业浪潮中,碳化硅(SiC)正加速从高端尝鲜走向大规模普及,而技术迭代的速度,直接决定了厂商能否跟上下游应用的产品更新节奏。6 月 11 日,Wolfspeed 举办新一代碳化硅 MOSFET 技术媒体发布会,正式推出第五代(Gen 5)碳化硅 MOSFET 技术。值得注意的是,距离第四代(Gen 4)技术落地仅过去 18 个月,Wolfspeed 在不到两年的时间内完成了两代技术的迭代升级。这种快节奏的技术更新,恰好匹配了当下新能源汽车快速迭代的产品开发周期,也让车企与终端用户能够持续同
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碳化硅MOSFET
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新能源汽车
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· Wolfspeed 第五代 (Gen 5) 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术在比导通电阻方面实现重大突破,相较目前市面同类 1200 V 竞品方案,效率最高可提升27%· 该项技术彰显 Wolfspeed 深耕碳化硅 (SiC) 功率器件、赋能实现真正耐久系统的坚定承诺· 依托 Wolfspeed 已完成认证、可爬坡量产且高度自动化的 200 mm 制造平台,为汽车及工业领域客户提供快速、低风险的市场化解决方案全球碳化硅技术引领者 Wolfspeed, Inc. 公司(纽约证券交易所
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碳化硅MOSFET
Gen5
美国俄亥俄州埃文代尔的通用电气航空是全球知名的航空动力、服务及系统供应商,总部位于北卡罗来纳州达勒姆的Wolfspeed则专注于碳化硅(SiC)材料与功率半导体器件研发制造。双方现已签署谅解备忘录,计划在工业、航空航天及国防领域联手推进高压碳化硅技术的规模化应用。两家企业将联合制定高压碳化硅功率模块行业标准,为固态变压器、工业电气化设备以及新一代航空航天与国防装备提供技术支撑,同时强化产业链供应链韧性。采用这类高压功率模块后,系统所需串联器件数量将减少,整体架构复杂度随之降低,助力打造体积更小巧、能效更出
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通用电气航空
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高压碳化硅
· 一项战略性布局决策,旨在推动从发电、储能到转换与配电的整个能源生命周期实现范式转变。 · 基于新型碳化硅 MOSFET 的模块系列,采用两种行业标准封装,为工程师提供了实现能源基础设施现代化、开启人工智能与电气化全部潜力的重要工具。 · 两款模块系列将于 2026 年
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3.3 kV
碳化硅
功率模块
过去十年里,碳化硅(SiC)功率器件的叙事主线几乎始终围绕新能源汽车展开。从650V、1200V到1700V,SiC MOSFET最重要的技术价值是替代传统硅基IGBT,提高逆变效率、降低散热压力并缩小系统体积。随着新能源汽车市场逐渐成熟,领先的SiC企业们纷纷谋求进入新的竞争阶段:谁能够率先突破“中高压”乃至“超高压”电力电子领域,谁就有机会成为下一代SiC竞争的赢家。 在这样的背景下,压力重重的Wolfspeed(欧胜)于2026年3月率先发布全球首款商业化10kV SiC MOSFET(C
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SiC
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英飞凌
罗姆
202606
创新型碳化硅功率解决方案的全球引领者 Wolfspeed 公司近日宣布与全球可再生能源解决方案创新者深圳市禾望电气股份有限公司(禾望电气,Hopewind)达成合作。两家公司通过将 Wolfspeed 尖端的 2.3 kV LM Pack 模块集成到禾望电气先进的高度模块化、轻量化的 950 Vac 风电变流器之中,共同推动下一代风电解决方案的开发。作为中国最大的风电变流器供应商之一,禾望电气对其风电解决方案采用了新颖的方法:该产品采用碳化硅(SiC)器件和高可靠性封装技术,实现了功率密度提升 38% 和
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Wolfspeed 宣布了一项重大高管任命:英飞凌前高管 Matthias Buchner 已加入公司,担任全球销售高级副总裁兼首席营销官 (CMO),该任命将于 2025 年 12 月 1 日生效。此举凸显了 Wolfspeed 加速其下一代 200 毫米 SiC 平台在市场采用的决心,因为它寻求在电动汽车 (EV) 和人工智能数据中心等快速增长的领域站稳脚跟。Buchner先生此前曾在英飞凌科技股份公司工作了20多年,最近担任电源和传感器系统部门的营销高级副总裁,负责监督一家年收入超过30亿美元的企业
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全球碳化硅技术引领者 Wolfspeed, Inc. 公司近日宣布已成功完成其财务重整流程,并已退出美国《破产法》第 11 章的保护。通过此次重整,Wolfspeed 将其总债务削减了约 70%,债务到期日延长至 2030 年,年度现金利息支出也随之降低了约 60%。此外,公司认为其保持有充足的流动性,可继续为客户提供领先的碳化硅解决方案。凭借由自由现金流生成能力支撑的自筹资金商业计划,Wolfspeed 已蓄势待发,将充分利用其垂直整合的 200 mm 制造基地,并以安全、可扩展的本土供应链为后盾,来推
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第 11 章:备案和减债:Wolfspeed 于 2025 年 6 月 30 日申请了第 11 章,以实施债权人支持的重组计划。该计划将把债务削减~70%(从约65亿美元削减至~20亿美元),并将年度现金利息削减~60%[1].破产计划获批(9月8日):2025 年 9 月 8 日,美国破产法院确认了 Wolfspeed 的计划。首席执行官罗伯特·费尔 (Robert Feurle) 称赞这是一个“重要的里程碑”,为变得更强大和“加强我们在碳化硅领域的领导地位”扫清了道路。股份交换(9月29日)
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股价
全球碳化硅(SiC)技术引领者 Wolfspeed 公司近日宣布,Wolfspeed 200 mm 碳化硅材料产品开启大规模商用。这一重要里程碑标志着 Wolfspeed 加速行业从硅向碳化硅转型的使命迈出关键一步。先前在初步向部分客户提供 200 mm 碳化硅产品之后,市场反响积极且效益显著,因此 Wolfspeed 决定开启大规模商用,全面推向市场。Wolfspeed 还同步推出可供即时认证的 200 mm 碳化硅外延片,结合其 200 mm 裸晶圆,能够实现突破性的规模化量产与更为优异的品质,助力下
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碳化硅材料
为了实现零排放的未来,汽车行业迫切需要重塑。我们今天所了解和驾驶的燃油车历经了数十年的演变发展。新型电动汽车的舒适度、驾驶体验、耐用期限和安全性应能够与燃油车相媲美。为此,汽车制造商必须加速推出性能相当甚至超越燃油车的新款差异化电动车型,这需要做出大胆决策、尝试新材料,并寻找拥有同样愿景和创新渴望的合作伙伴。图1 功率逆变器模块解剖构造为了支持其汽车合作伙伴并加速汽车电气化进程,Wolfspeed 与恩智浦 (NXP) 携手推出了一款经过全面测试的 800 V 牵引逆变器参考设计。该设计能够帮助电动汽车系
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800V
牵引逆变器
在几乎所有电机驱动、电动汽车、快速充电器和可再生能源系统中,都会配备低功耗辅助电源。虽然相比于主要的功率级,此类电源通常受到的关注较少,但它们仍是帮助系统高效运行的关键组成部分。提高系统可靠性、减小系统尺寸以及缩减系统成本,同时最大限度地降低风险并支持多源采购——设计人员不断面临这些经常相互矛盾的挑战。Wolfspeed 推出的工业级 C3M0900170x 和获得车规级认证 (AEC-Q101) 的 E3M0900170x 碳化硅 MOSFET 产品系列,可在 20 至 200 W 范围内增强辅助电源的
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辅助电源系统
面对 Wolfspeed 即将面临的破产,瑞萨已与碳化硅巨头签署了重组支持协议 (RSA),预计在 2025 财年上半期(1 月至 6 月)将亏损约 2500 亿日元,如其在 新闻稿 中所述。在这一挫折之后,日本媒体 东京新闻 和 日经 报道称,瑞萨将销售目标推迟了五年。据报道,瑞萨公司因半导体市场更加严峻而将业务目标推迟了五年,并承认原定时间表已不再现实。据报道,该公司曾计划在2022年基础上,到2030年实现超过200亿美元(约合2.9万亿日
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汽车电子
作为加强资本结构的一部分,位于美国北卡罗来纳州达勒姆的 Wolfspeed Inc(生产碳化硅 (SiC) 材料和功率半导体器件)已与主要贷款人签订重组支持协议 (RSA),这些贷款人包括 (i) 其 97% 以上高级担保票据的持有人,(ii) 瑞萨电子公司的美国子公司,以及 (iii) 持有超过 67% 的已发行可转换票据的可转换债务持有人。RSA 设想的交易预计将使公司的总债务减少约 70%(46 亿美元),并将年度现金利息支付总额减少约 60%。因此,Wolfspeed 希望能够更好地执行其长期增长
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重组协议
根据 MoneyDJ 报道,Wolfspeed 据称即将在未来申请破产。与 Wolfspeed 签有供应协议的日本半导体巨头瑞萨电子宣布,该公司已与 Wolfspeed 签署了重组支持协议(RSA)。在其 新闻稿中,瑞萨预计在 2025 财年上半期(1 月至 6 月)将录得约 2500 亿日元的损失。该公司表示,这一估计是初步的,可能会根据各种因素发生变化,报道补充说。签署 RSA 后,瑞萨同意将根据碳化硅晶圆供应协议支付的 20.62 亿美元存款转换为 Wolfspeed
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瑞萨
2025财年第3季度公司现金储备约13亿美元,可为客户和供应商支付提供充足短期流动性支持
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Wolfspeed
根据 MoneyDJ 援引日经新闻的一份报告,电动汽车 (EV) 市场增长放缓,加上中国制造商增产导致供应过剩,导致价格下跌,据报道,这促使日本半导体巨头瑞萨电子放弃了生产电动汽车碳化硅功率半导体的计划。日经新闻指出,瑞萨电子最初计划于 2025 年初在其位于群马县的高崎工厂开始生产用于电动汽车的 SiC 功率芯片。然而,该公司此后解散了高崎工厂的 SiC 团队。日经新闻补充说,预计与中国竞争对手的价格竞争将在中长期内加剧,这使得瑞萨电子作为后来者很难从 SiC 芯片生产中快速获利。根
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价格战
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瑞萨电子
SiC
据当地媒体《一财全球》和IT之家报道,据报道,美国碳化硅 (SiC) 巨头 Wolfspeed 在与快速崛起的中国竞争对手的激烈竞争中徘徊在破产边缘,中国最大的碳化硅晶圆厂已在武汉正式投产,旨在供应该国国内产量的 30%。YiCai 报告称,一个 SiC 晶圆模型的车载测试最快将于下个月开始,而另外近 10 个模型已经在验证中。不久之后将进行大规模生产和交付。IT Home 表示,该工厂的一期重点是功率器件,计划年产 360,000 片 6 英寸 SiC 晶圆。另一方面,益财国际补充说,这足以支持超过 1
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碳化硅
Wolfspeed
据日本媒体《日刊工业新闻》报道,据报道,总部位于美国的碳化硅晶圆生产商 Wolfspeed 正在申请第 11 章破产保护。报告指出,这一发展促使日本公司(包括与 Wolfspeed 签订了 10 年供应协议的瑞萨电子以及 Rohm)重新评估其战略计划。正如日刊工业新闻所说,瑞萨电子可能会受到影响,因为其与 Wolfspeed 于 2023 年签署了 20 亿美元的预付款 10 年碳化硅晶圆供应协议。报告指出,如果 Wolfspeed 根据美国破产法第 11 章申请破产保护,瑞萨电子可能
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破产
瑞萨电子
SiC
据《华尔街日报》和路透社报道,面对来自快速扩张的中国竞争对手的激烈竞争以及工业和汽车市场的疲软需求,据报道,Wolfspeed 正准备在几周内申请破产。据报道,受约 65 亿美元债务的拖累,这家美国碳化硅巨头也在努力应对持续的与关税相关的不确定性,这给本已紧张的业务增加了更多压力。3 月下旬,该公司在一份新闻稿中表示,它正在探索有关其可转换票据的替代方案,并仍在与包括 Apollo 和 Renesas 在内的贷方进行对话。但报道称,随着这些谈判的破裂,Wolfspeed 在拒绝了多项庭外重组提议后,现在正
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申请破产
在特朗普政府缩减美国《芯片法案》并提升汽车关税后,Wolfspeed(欧胜)的新任首席执行官需要面临更为严峻的现金危机。作为车用碳化硅行业的领导厂商,Wolfspeed近年来投入数十亿美元在美国建立SiC制造能力,可惜备受汽车经济低迷和关税前景的打击陷入持续亏损中,现在公司转向提供AI数据中心电源以促进增长,不过该公司正在寻求第11章法规的债权保护。“作为我们贷方谈判的一部分,我们可能会选择在法庭内或庭外寻求选择,”两周前接任首席执行官的罗伯特·费尔 (Robert Feurle) 说。据报道,资产管理公
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SiC
简介本白皮书重点介绍 Wolfspeed 专为高功率电子应用而设计的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。基于在碳化硅创新领域的传承,Wolfspeed 定期推出尖端技术解决方案,重新定义行业基准。在第 4 代发布之前,第 3 代碳化硅 MOSFET 凭借多项重要设计要素的平衡,已在广泛用例中得到验证,为硬开关应用的全面性能设定了基准。市场上的某些厂商只关注特定品质因数 (FOM),如导通损耗、室温下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg,而 Wolfspeed 则采用了一
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碳化硅
高功率应用
简介本白皮书重点介绍 Wolfspeed 专为高功率电子应用而设计的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。基于在碳化硅创新领域的传承,Wolfspeed 定期推出尖端技术解决方案,重新定义行业基准。在第 4 代发布之前,第 3 代碳化硅 MOSFET 凭借多项重要设计要素的平衡,已在广泛用例中得到验证,为硬开关应用的全面性能设定了基准。市场上的某些厂商只关注特定品质因数 (FOM),如导通损耗、室温下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg,而 Wolfspeed 则采用了一种更为广泛
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