800Vdc 配电架构将提供未来 AI 处理器所需的功率密度和转换效率，同时最大限度地减少电源尺寸、重量和复杂性的增长，“TI 表示。Nvidia 的提议是在数据中心周边将 13.8kVac 电网功率直接转换为 800Vdc。英伟达表示，与使用 415Vac 将电力输送到机架相比，800Vdc 将通过相同尺寸的配电导体传输的电力增加 85%，该公司还预测，通过在每个机架内从 AC-DC 转换为 DC-DC 转换，效率会提高——因为它计划使用 1MW 机架。与英伟达合作开展该项目的其他公司包括：Infine
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Nvidia 800V DC 数据中心
近日NVIDIA表示，未来将会采用新的800V高压直流配电系统，替次世代数据中心供应电源。 而目前NVIDIA正式宣布一同合作开发电源解决方案的「功率芯片三雄」，分别为英飞凌（Infineon）、德州仪器（TI）及Navitas三家半导体业者。可以确定的是，这块应用在设计上的难度非常高，且公司势必得需要具备足够完整且多元的解决方案，才能够协助NVIDIA达成这个新目标，虽然NVIDIA势必会对更多功率半导体厂商张开双臂，但未来这个最高阶的新战场，初步来看，就是首波功率芯片三雄会占据绝对优势。据了解，NVI
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NVIDIA 800V 数据中心 配电系统
数据中心（特别是那些推动 AI 最新创新的数据中心）正在消耗越来越多的电力。高盛 （Goldman Sachs） 目前的研究表明，数据中心消耗了当今全球 2% 的电力，预计到 2030 年，这一数字将增加到 10%。这暴露了数据中心传统电力电子设备的缺点，从为服务器柱提供交流电的配电系统，到提供直流电源的稳压器，再到作为这一切核心的高性能 AI 芯片。数据中心的电源架构必须进行重大变革，以应对 AI 不断增长的电源需求，反过来，电子设计人员将不得不解决许多挑战。代沟：数据中心供电的演变要了解数据中心电源的
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48V 800V 数据中心 高压直流电源
深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations近日宣布推出五款面向800V汽车应用的全新参考设计，这些参考设计基于该公司的1700V InnoSwitch™3-AQ反激式开关IC实现。这些设计涵盖16W至120W的功率水平，采用绕线式变压器或扁平的平面变压器，适用于汽车应用中的DC-DC母线变换、逆变器应急电源、电池管理和辅助系统电源等场景。其IC采用了Power Integrations的新型宽爬电距离InSOP™-28G封装，该封装可在初级侧施加1000VDC的高压
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Power Integrations 开关IC 800V 纯电动汽车
快科技3月27日消息，比亚迪集团-品牌及公关处总经理李云飞日前发文称：前段时间我们发布了比亚迪超级e平台，含有兆瓦闪充、三万转电机和高耐压等级的碳化硅模块等近11项全球之最。但因为技术过于先进，很多人不相信，甚至有质疑。但比亚迪的风格一向都是：一发布即量产。目前，4000个兆瓦闪充站正在布局中，首批约500个将在4月初 汉L和唐L的上市阶段，就可启用。欢迎对兆瓦闪充技术不相信，有质疑的朋友前来体验、观看。李云飞还表示，关于电池的技术路线和补能方案，无论磷酸铁锂固态半固态，还是氢燃料，无论超充兆瓦闪充，还是
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比亚迪 800V/100V架构 充电 电机
对电动和混合动力汽车的需求不断增长，这给制造商带来了压力，要求他们开发更高效、更可靠的牵引逆变器系统。关键挑战之一是确保辅助电源在不同的故障条件下提供稳定的电源。这需要辅助电源能够处理宽输入电压范围并提供一致的输出功率，即使在恶劣的环境中也是如此。这款用于牵引逆变器系统的交钥匙辅助电源解决方案旨在满足电动、混合动力和插电式混合动力电动汽车（EV、HEV 和 PHEV）的苛刻电压和可靠性要求，为大功率牵引逆变器应用提供紧凑、高效和强大的解决方案。该设计具有 40V 至 1000V 的宽输入范围，提供 +22
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800V 牵引逆变器 45W 辅助电源 驱动逆变器
1 我国能源汽车已突破1000万辆，今年将增长24%据赛迪顾问 2024 年 12 月发布的数据预测显示，我国新能源汽车的新车全球市占率有望稳居七成以上，我国从汽车大国迈向汽车强国的步伐更加坚实。据中国汽车工业协会的统计数据显示，2024年我国汽车产销分别完成3128.2万辆和3143.6万辆，同比分别增长3.7％和4.5％，继续保持在3000万辆以上规模，产销总量连续16年稳居全球第一。其中，新能源汽车产销首次突破1000万辆，分别达到1288.8万辆和1286.6万辆，同比分别增长34.4％和35.5
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电驱 碳化硅 SiC 新能源汽车 800V
Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力，很高兴宣布推出CPC3981Z，一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。与标准SOT-223封装相比，这款新产品的SOT-223-2L封装去掉了中间引脚。 这将漏极与栅极之间的引脚间距从1.386毫米增加到超过4毫米。 爬电距离延长有利于开关模式电源设备（SMPS）或功率因数校正（PFC）启动电路等更高电压应用，因为设计人员可以避免昂贵的保形涂料或灌封。耗尽型MOSFET CPC3
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Littelfuse 800V N沟道耗尽型MOSFET
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