新款紧凑、超薄电源设计采用高集成度、1700V额定耐压的PowiGaN™单HEMT IC，可节省空间、简化方案、提升可靠性并减少BOM元件数，同时实现高达88%的效率 中国台湾台北，2026年6月1日，台北国际电脑展(COMPUTEX)讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出两款全新超薄紧凑型辅助电源参考设计，专为800VDC AI数据中心打造。其中一款单路输出15W设计的尺寸仅为30mm×30mm，厚度为7
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Power Integration
辅助电源
参考设计
NVIDIA
Kyber
800VDC
AI数据中心
摘要电力电子领域最具影响力的盛会APEC 2026 3月底在美国圣安东尼奥召开，成为全球学术界与产业界的焦点。今年大会的30场工业报告中，超过五场聚焦于AI数据中心供电，其中三场更设为专题讨论；18场专业教育讲座里也有两场专门探讨数据中心供电。数据中心供电与单片集成双向开关（MBDS）已成为本届APEC最炙手可热的两大前沿话题。在数据中心供电议题中，高压直流架构与垂直供电尤为引人注目。英伟达、谷歌、Meta、英特尔、英飞凌、德州仪器、MPS、瑞萨等业界巨头均参与了相关讨论。本文特别摘取了英飞凌关于下一代高
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APEC 2026
AI数据中心
HVDC
800V
DC/DC
中国上海，2026年5月21日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。 随着生成式AI的快速发展，功耗不断上升已成为数据中心面临的紧迫课题。尤其是高功率AI服务器的广泛应用以及800V高压直流（HVDC）架构部署的增加，推动了市场对更高功率转换效率和更高功率密度电源系统的需求。针对下一代人工智能数据中心的这些需求，东芝开
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东芝
1200V
沟槽栅
SiC
MOSFET
AI数据中心
Microchip 面向数据中心服务器与 5G 虚拟化无线接入网（vRAN）系统，推出一款可插拔时序模块，该产品与英特尔合作开发，适配至强 6（Xeon 6）系统级芯片（SoC）平台。型号为MD-990-0011-B，用于简化基础设施中的时序同步 —— 时序精度直接影响分布式 AI 任务、云服务与实时网络功能。对 eeNews Europe 读者而言，这款新品意义重大：时序已从后端网络功能，升级为 AI 基础设施与 5G 系统的核心设计问题。该模块可帮助原始设备制造商（OEM）、原始设计制造商（ODM）快
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Microchip
时序模块
AI数据中心
5G
为吉瓦级算力基础设施内部的 800 伏直流配电提供完整产品组合意法半导体（STMicroelectronics）宣布，拓展其 800 伏直流电源转换产品线，新增两款先进架构方案：800 伏直流转 12 伏与800 伏直流转 6 伏。两款全新电源转换级方案依据英伟达（NVIDIA）800 伏直流参考设计开发，与此前推出的800 伏直流转 50 伏方案形成互补。拓展至 12 伏与 6 伏输出级，反映行业正向不同 AI 服务器架构演进。面向大规模训练集群、推理中心及高密度 AI 基础设施，需根据 GPU 代际、
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意法半导体
800V
DC
AI数据中心
电源产品线
人工智能产业热潮持续升温，促使北美各大主流云服务厂商（CSP）上调 2026 年资本开支预算，以此应对市场激增的 AI 数据中心建设需求。集邦咨询最新上调行业预测数据，2026 年全球排名前九大云服务商整体资本支出规模将达到 8300 亿美元，相较 2025 年同比大幅增长 79%。头部企业投入力度激增在美国四大头部云厂商中，微软将 2026 年资本开支上调至 1900 亿美元，同比增幅高达 130%。集邦咨询表示，受各类硬件元器件涨价影响，微软还将额外增加约 250 亿美元相关投入。谷歌把全年资本开支区
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AI数据中心
GPU集群
自研ASIC芯片
高压直流供电
海外算力布局
高功率密度算力
SemiQ 推出面向数据中心制冷与工业驱动的半桥系列产品，集成 1mΩ 导通电阻 SiC MOSFET 与并联碳化硅二极管，实现高功率转换效率。来源：Anattawut | Dreamstime.comSemiQ 公司开发的 QSiC Dual3 系列 1200V 半桥 MOSFET 模块，主要面向数据中心制冷系统中的电机驱动、储能系统电网变流器以及工业驱动设备。该系列共六款产品，其中两款的导通电阻 RDS (on) 仅 1mΩ，在 62mm×152mm 封装内实现 240W/in³ 的功率密度。QSiC
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SiC
AI数据中心
液冷
AI数据中心用电需求快速增长。传统供电架构采用体积庞大的低频变压器，效率低、占地大，难以适配下一代数据中心高压直流配电需求。Navitas Semiconductor与洛桑联邦理工学院推出全新解决方案。2026年APEC展会上，两家机构联合发布了一款250kW固态变压器（SST）方案，在德克萨斯州圣安东尼奥首次公开亮相。该方案由 EPFL 电力电子实验室依托 HeatingBits 项目研发。核心技术是单级模块化桥式整流SST拓扑，直接从3.3kV交流电转换为800V直流电，输出功率250kW。去掉了传统
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固态变压器SST
AI数据中心
美国密苏里州人口不足 1.4 万的小镇费斯图斯（Festus），已成为全美反对 AI 数据中心入驻社区浪潮的焦点。据《政客》（Politico）报道，在市议会批准一项60 亿美元数据中心项目后，选民罢免了 8 名市议员中的 4 人，并发起请愿，要求罢免其余议员及市长。另有诉讼试图撤销该项目的审批决定。该获批项目将占地360 英亩，开发商身份未公开。当地居民已于周四对市政府提起诉讼，指控费斯图斯在表决前未给公众足够时间审议方案，为该项目作出违法的土地用途重新划分，并就项目召开本应公开却未公开的闭门会议。费斯
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AI数据中心
【2026年3月31日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出两款全新高压中间总线转换器（HV IBC）参考设计，帮助客户加速向±400 V和800 V直流（VDC）供电的AI服务器电源架构转型。这些参考设计采用英飞凌的650 V CoolGaN™开关，专为追求更高机架功率、更低配电损耗、更优散热性能的超大规模云服务提供商、电源架构提供商与服务器OEM厂商所设计。 英飞凌高压中间总线转换器（H
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英飞凌
800 VDC
AI数据中心
CoolGaN
IBC
参考设计
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）针对AI数据中心的DC-DC转换电压调节（VR）解决方案产品组合，新增两大产品系列，涵盖数字电压控制器与具有遥测功能的负载点（PoL）电压调节器产品系列。全新的数字多相PWM降压控制器XDPE1E与支持PMBus标准的负载点（PoL）TDA49720/12/06可帮助客户在缩短设计周期、加速平台落地的同时，提升每个机架的计算性能。 英飞凌推出面向多处理器AI平台和先进VR电感拓扑的3环路
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英飞凌
多相降压控制器
PMBus
负载点
PoL
AI数据中心
全球各类行业会议正聚焦电源设计面临的功率密度挑战。从得克萨斯州奥斯汀举办的APEC 展会、本周在举办的英飞凌 AI 日，到前不久在圣何塞举办的GTC 大会，半导体厂商纷纷推出新方案，缩小电源系统体积、提升通流能力。一、Power Integrations：GaN 赋能反激电源，功率上探 450WPower Integrations（PI）采用更高效的氮化镓（GaN） 技术，升级其核心产品线TOPSwitch。这款经典单端反激转换器全球应用广泛，最新 GaN 版本将功率上限从250W 提升至 450W，可用
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AI数据中心
GaN
Power Integrations
德州仪器
IsoShield
英飞凌
瑞萨
随着AI数据中心向更高功率密度和更高效能源分配演进，高压中间母线转换器（HV IBC）正逐渐成为下一代云计算供电架构中的关键器件。本文针对横向GaN HEMT、碳化硅MOSFET及SiC Cascode JFET（CJFET）三类宽禁带功率器件，在近1 MHz高频开关条件下用于高压母线转换器的性能展开对比分析。重点评估了导通损耗、开关特性、栅极电荷损耗及缓冲电路需求等关键指标。同时，本文亦探讨了三种谐振转换器拓扑——堆叠式LLC、单相LLC与三相LLC——对其系统效率与元件数量的影响。仿真结果表明，尽管三
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800V
半导体技术
AI数据中心
SiC
安森美
中国台湾地区正为守住自身在人工智能和先进半导体制造领域的优势面临新挑战 —— 这一优势对其维系半导体产业的核心竞争力至关重要，与此同时，岛内还在应对电力供应趋紧的问题。随着中国台湾科技企业纷纷兴建半导体制造工厂与人工智能数据中心，当地电力需求大幅攀升。据《电子时报》数据，到 2030 年，人工智能和半导体两大产业或将新增约 5 吉瓦的电力需求，足以满足超过 375 万户家庭的用电需求，这意味着到本世纪末，当地每年的电力负荷将新增约 1 吉瓦。全球对高端人工智能芯片的需求持续攀升，推动着相关产业的扩张，也让
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半导体制造
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电力消耗
本白皮书将重点围绕实现上述目标的转换器拓扑结构与半导体技术展开探讨。 内容主要聚焦于原边的拓扑选择与半导体器件；副边假定采用低压硅基 MOSFET ， 并配置为中心抽头电流倍增器或全桥结构。第一篇已经介绍了高压IBC中的半导体技术、器件的关键评估指标包括导通损耗、 开关特性与缓冲电路等。本文将介绍转换器拓扑、系统规格、转换器损耗等。转换器拓扑谐振式转换器拓扑具有超高的功率密度， 但代价是在宽输入或输出电压范围内效率降低。 由于高压 IBC具有固定的输入输出电压比以及对超高功率密度的需求， 因此谐振拓扑非常
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安森美
AI数据中心
高压中间母线
随着AI数据中心向更高功率密度和更高效能源分配演进 ，高压中间母线转换器 （ HV IBC） 正逐渐成为下一代云计算供电架构中的关键器件。本文针对横向GaN HEMT 、 碳化硅MOSFET 及SiC Cascode JFET （CJFET ） 三类宽禁带功率器件， 在近1 MHz 高频开关条件下用于高压母线转换器的性能展开对比分析。 重点评估了导通损耗、 开关特性、 栅极电荷损耗及缓冲电路需求等关键指标。 同时， 本文亦探讨了三种谐振转换器拓扑——堆叠式LLC 、 单相LLC 与三相LLC —
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安森美
AI数据中心
转换器
日益增长的AI与高性能计算负载要求电源解决方案兼具高效、可靠和可扩展性。集成电源模块有助于简化设计、降低能耗，并为先进数据中心提供所需稳定性能。Microchip Technology（微芯科技公司）今日宣布推出MCPF1525电源模块。这款高度集成的器件配备16V Vin降压转换器，单模块输出电流达25A，并支持高达200A的堆叠输出。MCPF1525可在相同机架空间内实现更高的功率输出，并集成可编程PMBus™与I2C控制功能。该器件专为AI部署中所需的新一代PCIe®交换机及高性能计算MPU应用场景
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Microchip
电源模块
AI数据中心
人工智能的持续发展正在重塑数据中心设计与开发的基础。随着工作负载日益复杂且资源密集，运营商面临着数据中心性能、可靠性和安全性方面的重重挑战。若无法持续满足工作负载需求，基础设施将难以实现无中断的扩展。在本文中，我们将探讨日益迫切的安全数据中心的控制需求，安全与信任如何与可管理性相结合，以及现场可编程门阵列（FPGA）为何能够成为构建安全人工智能基础设施的关键战略使能器件。人工智能数据中心需求的转变人工智能模型不仅改变了数据中心的功能，还改变了其构建方式。随着工作负载以前所未有的速度增长，数据中心架构变得高
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FPGA
人工智能数据中心
AI数据中心
据路透社报道，Meta正成立一个名为 “Meta Compute” 的部门，负责其计算基础设施的大规模扩张。马克・扎克伯格（Mark Zuckerberg）于周一宣布，Meta Compute 计划在本十年内部署电力消耗达数十千兆瓦的基础设施，并在更长远的未来逐步扩展至数百千兆瓦规模。该部门将由全球基础设施负责人、工程联合主管桑托什・贾纳丹（Santosh Janardhan）与丹尼尔・格罗斯（Daniel Gross）联合领导。“今天，我们启动一项全新的顶层计划 ——Meta Compute，” 扎克伯
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Meta
Meta Compute
千兆瓦级
AI数据中心
2025 年初，Arm 曾预测：Arm 架构将占据近半数 2025 年出货到头部云服务提供商的算力。根据今年前三个季度的实际出货数据，市场正向着这一预测目标稳步迈进。这些搭载 Arm 架构的服务器的意义远不止于一个统计数字，更重要的是它们构成了融合型人工智能 (AI) 数据中心这一新型基础设施的计算核心。从云原生服务到最具挑战性的 AI 工作负载，超大规模云服务提供商正逐步将基于 Arm 的定制化计算作为标准路径，以此实现性能、功耗与规模的平衡。近期发布的 Amazon Graviton5 正是这一新模式
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Arm
融合型AI数据中心
AI数据中心
新闻重点：● Arm与NVIDIA持续深化合作，在AI时代推动协同设计与合作迈向新高度。● 生态系统合作伙伴可将高效的Arm架构计算能力集成至NVIDIA NVLink Fusion生态系统，实现全缓存一致性与高带宽互连。● 随着 AI 数据中心对Neoverse的需求持续增长，客户在将工作负载加速器连接至 Arm 平台时拥有更多选择。人工智能 (AI) 正在重塑数据中心计算
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Arm Neoverse
NVIDIA NVLink Fusion
AI数据中心
OpenAI Group PBC 已要求白宫为人工智能数据中心建设者提供芯片晶圆厂的税收抵免。彭博社今天报道了这一请求。OpenAI 在 10 月 27 日致白宫科技办公室政策主任迈克尔·克拉齐奥斯 （Michael Kratsios） 的一封信中要求提供税收抵免和其他几项人工智能行业激励措施。该文件由人工智能提供商的首席全球事务官克里斯托弗·勒哈恩 （Christopher Lehane） 撰写。2022 年《芯片与科学法案》为美国半导体行业提供了价值 2800 亿美元的融资。赠款约占总额的五分之一，其
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OpenAI
CHIPS
AI数据中心
● 英飞凌携手SolarEdge，推动面向人工智能（AI）及超大规模数据中心的新一代高效固态变压器（SST）技术发展。● 全新的固态变压器（SST）专为实现在中压至800–1500伏直流电（DC）转换而设计，其转换效率超过99%，同时减小设备体积、降低重量，并有效减少了碳排放足迹。● 此次合作将SolarEdge在直流电（DC）领域的专业技术与英飞凌的半导体创新相结合，不仅助力构建可持续、可扩展的电力基础设施，还进一步推动AI数据中心
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英飞凌
SolarEdge
AI数据中心
电力基础设施
热管理解决方案全球头部制造商塔克热系统（Tark Thermal Solutions，前身为莱尔德热系统（Laird Thermal Systems））宣布，在OptoTEC™ MBX 热电制冷器 （TEC）系列中推出全新的客制选项，旨在应对超高速光收发器中新出现的热挑战，更好地赋能下一波由人工智能驱动的数据中心。随着超大规模数据中心和人工智能集群需要部署越来越大的模型，并需要互连更多的服务器，计算和存储节点之间所需的更高带宽使传输速度从每条链路800Gbps提高到1.6Tbps。这些高速链路在较小空间内
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塔克热系统
热电制冷器
AI数据中心
随着云服务，尤其是人工智能（AI）相关服务的快速增长，数据中心的能耗目前已占到全球总能耗的2%以上。该数字预计将进一步攀升，在2023至2030年间将实现165%的指数级增长。因此，持续提升从电网到核心的功率转换过程中的效率、功率密度及信号完整性对于在提升计算性能的同时降低总体拥有成本（TCO）至关重要。为满足这一需求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了TDM22545T双相功率模块。这是业界首款针对高性能AI数据中心设计的
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英飞凌
AI数据中心
跨电感电压调节器
TLVR
电源模块
Power Integrations 最近概述了 1,250 V 和 1,700V PowiGaN 技术在为下一代 AI 数据中心供电方面的实用性，强调了其 PowiGaN 氮化镓 （GaN） 技术在为下一代 AI 数据中心供电方面的效用。它在圣何塞举行的 2025 年 OCP 全球峰会上发布的白皮书中进行了介绍，NVIDIA 还在合作中提供了 800V DC 架构的最新信息，以加速向 800V 直流电源和兆瓦级机架的过渡。本文揭示了1,250V PowiGaN H
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氮化镓
800伏
直流
AI数据中心
PI
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布，支持NVIDIA宣布的800伏直流电源架构的高效电源转换和分配，推动下一代更智能、更快速的人工智能（AI）基础设施发展。随着GPU驱动的AI工作负载日益密集，数据中心功耗攀升至数百兆瓦级别，现代数据中心亟需兼具能效优化与可扩展性的电源架构。GaN FET开关为代表的宽禁带半导体，凭借其更快的开关速度、更低的能量损耗，及卓越的热管理性能，正迅速成为关键解决方案。此外，GaN功率器件将推动机架内800V直流母线的发展，在通过DC/DC降压转换器支持48V组件复用的同时
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瑞萨
功率半导体
AI数据中心
楷登电子（美国 Cadence 公司）近日宣布，Cadence® Reality™ Digital Twin Platform利用搭载 DGX GB200 系统的 NVIDIA DGX SuperPOD 数字孪生系统实现了库的重大扩展。借助 NVIDIA 高性能加速计算平台的新模型，数据中心设计人员与操作人员将能够在 AI 工厂的构建中轻松部署世界领先的 AI 加速器。作为一款创新解决方案，Cadence Reality Digital Twin Platform 能够在物理实施之前，根据特定服务等级协议
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Cadence
NVIDIA
数字孪生
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