利用基于氮化镓的解决方案为下一代 800 伏直流 AI 数据中心提供动力

Power Integrations 最近概述了 1,250 V 和 1,700V PowiGaN 技术在为下一代 AI 数据中心供电方面的实用性，强调了其 PowiGaN 氮化镓 （GaN） 技术在为下一代 AI 数据中心供电方面的效用。它在圣何塞举行的 2025 年 OCP 全球峰会上发布的白皮书中进行了介绍，NVIDIA 还在合作中提供了 800V DC 架构的最新信息，以加速向 800V 直流电源和兆瓦级机架的过渡。

本文揭示了1,250V PowiGaN HEMT的性能优势，强调了其经过现场验证的可靠性以及满足800V DC架构功率密度和效率要求的能力。它还表明，与堆叠式 650V GaN FET 和竞争的 1,200V 碳化硅 （SiC） 器件相比，单个 1,250V PowiGaN 开关可提供更高的功率密度和效率。

Power Integrations 的 InnoMux 2-EP IC 就是一个例子，这是一种用于 800V 直流数据中心辅助电源的解决方案。该器件的集成 1,700V PowiGaN 开关接受 1,000V 直流输入电压，而其 SR ZVS（同步整流器，零电压开关）作在液冷、无风扇系统中可提供超过 90.3% 的效率。

GaN 技术的一个主要优势是它可以在高频下运行，开关损耗几乎可以忽略不计，使其在效率方面优于 1,200V SiC。该解决方案提供易于集成和控制，同时减少外部组件数量。