- 美国加州大学洛杉矶分校 （UCLA） 和密歇根大学安娜堡分校声称增强模式 N 极性深凹槽 （NPDR） 氮化镓 （GaN） 高电子迁移率晶体管 （HEMT） 具有破纪录的小信号性能 [Oguz Odabasi 等人，IEEE 电子器件快报，2025 年 7 月 3 日在线发表]。特别是，122GHz 的高频率T截止频率可实现 9.1GHz-μm f 的高值TxLG尽管栅极长度很短，但品质因数很短 （LG).该团队认为该器件结构在高频、高功率应用中很有前途。研究人员认为 N 极性氮化镓的优势包括“
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