大家好，我是蜗牛兄，今天给大家分享的是：IGBT（绝缘栅双极型晶体管)在实际应用中最流行和最常见的电子元器件是双极结型晶体管 BJT 和 MOS管。IGBT实物图+电路符号图你可以把 IGBT 看作 BJT 和 MOS 管的融合体，IGBT具有 BJT 的输入特性和 MOS 管的输出特性。与 BJT 或 MOS管相比，绝缘栅双极型晶体管 IGBT 的优势在于它提供了比标准双极型晶体管更大的功率增益，以及更高的工作电压和更低的 MOS 管输入损耗。一、什么是IGBT？IGBT 是绝缘栅双
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IGBT 功率半导体
双脉冲测试将在电力电子的未来中发挥关键作用。电源设计人员和系统工程师依靠它来评估 MOSFET 和 IGBT 等功率半导体在动态条件下的开关特性。通过评估开关期间的功率损耗和其他指标，这些测试使工程师能够优化最新电源转换器、逆变器和其他电源电路的效率和可靠性。推动采用双脉冲测试的是它能够在设计过程的早期评估最坏情况下工作条件下的电力电子设备。这有助于降低将来出现不可预见问题的风险。然而，由于 SiC MOSFET 的开关速度更快，GaN 功率 FET 的频率更高，因此基于氮化
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动态测试 WBG 功率半导体
Kulicke and Soffa Industries Inc.（“Kulicke & Soffa”、“K&S”、“我们”或“公司”）宣布推出Asterion-PW超声波针焊接机，通过快速精确的超声波针焊接解决方案扩大其在功率元件应用领域的领先地位。这种先进的解决方案为Pin互连能力设定了新的标准，重新定义了效率、精度和可靠性。在可再生能源、汽车和铁路等应用中，越来越多的常用功率模块元件使用超声波焊接来实现Pin针和DBC的互连以满足信号传输和机械固定的要求。功率模块市场是增长最快的半导
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Kulicke & Soffa 功率半导体 Asterion-PW
随着Al工作负载日趋复杂和高耗能，能提供高能效并能够处理高压的可靠SiC JFET将越来越重要。我们将详细介绍安森美(onsemi)SiC cascode JFET，内容包括Cascode（共源共栅）关键参数和并联振荡的分析，以及设计指南。本文为第一篇，聚焦Cascode产品介绍、Cascode背景知识和并联设计。简介大电流操作通常需要直接并联功率半导体器件。出于成本或布局的考虑，并联分立器件通常是优选方案。另一种替代方案是使用功率模块，但这些模块实际上也是通过并联芯片实现的。本文总结了适用于所
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2025年2月19日 英国剑桥- 氮化镓（GaN）功率器件的领先创新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200万美元的C轮融资。该投资由一位战略投资者牵头、英国耐心资本参与，并获得了现有投资者 Parkwalk、英国企业发展基金（BGF）、剑桥创新资本公司（CIC）、英国展望集团（Foresight Group）和 IQ Capital 的支持。 &nbs
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驱动电路设计是功率半导体应用的难点，涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护，实践性很强。为了方便实现可靠的驱动设计，英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能，本系列文章以阅读杂谈的方式讲详细讲解如何正确理解和应用这些功能，也建议读者阅读和收藏文章中推荐的资料以作参考。驱动器的输入侧一个可靠的功率半导体驱动电路设计要从输入侧开始，输入端可能会受到干扰，控制电路也会发生逻辑错误，可能的误触发会造成系统输出混乱，甚至损坏器件。一个典型的无磁芯变压器耦合的隔离型驱动器输入测如框图所示，本文重点讲讲不起眼的IN
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驱动电路 功率半导体 驱动器
工业应用中，功率半导体的驱动电源功率不大，设计看似简单，但要设计出简单低成本的电路并不容易，主要难点有几点：1 电路要求简洁，占用线路板面积要小一个EasyPACK™ 2B 1200V 100A六单元IGBT模块，周长20cm，占板面积27cm²，很小，在四周要安排布置6路驱动和4-6路隔离电源并不容易，如果需要正负电源就更复杂。2 电力电子系统需要满足相应的安规和绝缘配合标准，保证合规的爬电距离和电气间隙，这使得PCB面积更捉襟见肘。3 对于中大功率的功率模块，驱动板会放在模块上方，会受热和直面较强的电
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1. 前言近年来，全球耗电量逐年增加，在工业和交通运输领域的增长尤为显著。另外，以化石燃料为基础的火力发电和经济活动所产生的CO2（二氧化碳）排放量增加已成为严重的社会问题。因此，为了实现零碳社会，努力提高能源利用效率并实现碳中和已成为全球共同的目标。在这种背景下，罗姆致力于通过电子技术解决社会问题，专注于开发在大功率应用中可提升效率的关键——功率半导体，并提供相关的电源解决方案。本白皮书将通过“Power Eco Family”的品牌理念，介绍为构建应用生
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安森美（onsemi）在2024年先后推出两款超强功率半导体模块新贵，IGBT模块系列——SPM31 IPM，QDual 3。值得注意的是，背后都提到采用了最新的FS7技术，主要性能拉满，形成业内独特的领先优势。解密FS7“附体”的超能力众所周知，IGBT是一种广泛应用于电力电子领域的半导体器件，结合了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和双极结型晶体管（BJT）的优点，具有高输入阻抗和低导通电压降的特点。而安森美的Field Stop技术则是IGBT的一种改进技术，通过在器件的漂移区引入一个场截
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智能电源和智能感知技术的领导者安森美（onsemi）再次荣膺电子行业资深媒体集团ASPENCORE颁发的2024亚洲金选奖（EE Awards Asia)之车用电子解决方案供应商奖，彰显其在车用领域的卓越表现和领先地位。同期，安森美第 7 代 1200V QDual3 IGBT功率模块获得年度最佳功率半导体奖，基于新的场截止第 7 代 (FS7) IGBT 技术带来出色的效能表现获得业界肯定。作为全球领先的汽车半导体供应商，安森美致力于以创新的智能电源和智能感知技术推动汽车电气化和智能化创新。安森美在多个
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自德州仪器官网获悉，日前，德州仪器公司（TI）宣布已开始在日本会津工厂生产基于氮化镓(GaN)的功率半导体。随着会津工厂的投产，结合其在德克萨斯州达拉斯的现有GaN制造能力，德州仪器的内部GaN基功率半导体制造能力将翻四倍。德州仪器技术与制造高级副总裁穆罕默德·尤努斯（Mohammad Yunus）表示，在GaN芯片设计和制造方面拥有十多年的丰富经验后，TI成功地将200mm GaN技术（这是目前制造GaN的最具可扩展性和成本竞争力的方法）应用于会津工厂的量产。这一里程碑使德州仪器能够在内部制造更多的Ga
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● 通过高压开关矩阵实现一次性测试，进而提高生产效率● 该系统旨在提高操作人员与设备的安全性；同时确保符合相关法规要求是德科技推出适用于功率半导体的 3kV高压晶圆测试系统是德科技（Keysight Technologies, Inc.）近日推出全新的 4881HV 高压晶圆测试系统，进一步扩展了其半导体测试产品组合。该解决方案通过在一次性测试中高效完成高达3kV的高低压参数测试，从而显著提升了功率半导体制造商的生产效率。传统上
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根据韩媒报道，9月2日，三星电子在第二季度引入了少量用于大规模生产GaN功率半导体的设备。GaN是下一代功率半导体材料，具有比硅更好的热性能、压力耐久性和功率效率。基于这些优势，IT、电信和汽车等行业对其的需求正在增加。三星电子也注意到了GaN功率半导体行业的增长潜力，并一直在推动其进入市场。去年6月，在美国硅谷举行的“2023年三星代工论坛”上，该公司正式宣布：“我们将在2025年为消费电子、数据中心和汽车领域推出8英寸GaN功率半导体代工服务。”根据这一战略，三星电子第二季度在其器兴工厂引入了德国爱思
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● 安森美 (onsemi) 将实施高达 20 亿美元的多年投资计划，巩固其面向欧洲和全球客户的先进功率半导体供应链● 垂直整合的碳化硅工厂将为当地带来先进的封装能力，使安森美能够更好地满足市场对清洁、高能效半导体方案日益增长的需求 ● 安森美与捷克共和国政府合作制定激励方案，以支持投资计划落实● 该投资将成为捷克共和国历史上最大的私营企业投资项目之一，属于对中欧先进半导
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近期，市场各方消息显示，功率半导体市场逐渐开启新一轮景气上行周期，新洁能、扬杰科技、台基股份等多家功率半导体公司股价纷纷上涨，包括华润微、扬杰科技、华虹半导体等在内的企业产能利用率接近满载，部分高性能功率器件已率先开启涨价潮。在此市场景气上行之际，功率半导体市场也将迎来新一轮放量周期，近期士兰微投资120亿元的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线正式开工，除此之外，包括芯联集成、捷捷微电、芯粤能多家企业功率半导体项目也在上半年有最新动态。多家企业产能利用率接近满载从市场需求端看，消费电子行业从去年末开始缓慢
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功率半导体介绍
《功率半导体 器件 与应用》基于前两章的半导体物理基础，详细介绍了目前最主要的几类功率半导体器件，包括pin二极管、晶闸管、门极关断晶闸管、门极换流晶闸管、功率场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管。 [
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