双脉冲测试将在电力电子的未来中发挥关键作用。电源设计人员和系统工程师依靠它来评估 MOSFET 和 IGBT 等功率半导体在动态条件下的开关特性。通过评估开关期间的功率损耗和其他指标，这些测试使工程师能够优化最新电源转换器、逆变器和其他电源电路的效率和可靠性。推动采用双脉冲测试的是它能够在设计过程的早期评估最坏情况下工作条件下的电力电子设备。这有助于降低将来出现不可预见问题的风险。然而，由于 SiC MOSFET 的开关速度更快，GaN 功率 FET 的频率更高，因此基于氮化
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动态测试 WBG 功率半导体
从MOSFET 、二极管到功率模块，功率半导体产品是我们生活中无数电子设备的核心。从医疗设备和可再生能源基础设施，到个人电子产品和电动汽车(EV)，它们的性能和可靠性确保了各种设备的持续运行。第三代宽禁带（WBG）解决方案是半导体技术的前沿，如使用碳化硅（SiC）。与传统的硅（Si）晶体管相比，SiC的优异物理特性使基于SiC的系统能够在更小的外形尺寸内显著减少损耗并加快开关速度。由于SiC在市场上相对较新，一些工程师在尚未确定该技术可靠性水平之前，对从Si到SiC的转换犹豫不决。但是，等待本身也会带来风
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WBG SiC 半导体
对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事，即使是最好的超结硅 MOSFET 也难以胜任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾电流”且关断缓慢，因此仅限用于较低的工作频率。因此，硅 MOSFET 更适合低压、高频操作，而 IGBT 更适合高压、大电流、低频应用。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像 IGBT 一样进行高压
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SiC MOSFET IGBT WBG
减少能源转换损耗和提高能效是人们的不懈追求，新的宽带隙 (WBG) 半导体是一个切实可靠的节能降耗解决方案，可以通过系统方式减少碳足迹来减轻技术对环境的影响。例如，我们最新的 650 V、
750 V 和 1,200 V STPOWER 系列碳化硅 MOSFET 晶体管，可以让设计人员开发续航里程更长的电动汽车动力总成系统。更高的能效可以大幅简化冷却系统设计，更小更轻的电子设备有助于最大限度降低车自重，在相同电量条件下，自重更轻的汽车行跑得更远。意法半导体汽车和分立器件产品部(ADG) Fil
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202207 宽带隙 WBG 意法半导体
受访人：Filippo Di Giovanni（意法半导体汽车和分立器件产品部(ADG)）1.氮化镓和碳化硅同属第三代半导体，在材料特性上有什么相似之处和不同之处？根据其不同的特性，分别适用在哪些应用领域？贵公司目前在SiC和GaN两种材料的半导体器件方面都有哪些主要的产品？ 意法半导体的第三代碳化硅是我们的STPOWER SiC MOSFET技术改良研发活动取得的新进展，是为了更好地满足电动汽车厂商在用碳化硅设计的动力电机逆变器、车载充电机和DC-DC转换器时的严格要求。在高端工业领域，我们的第三代碳
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意法半导体 宽带隙 WBG
以GaN和SiC为代表第三代半导体正处于高速发展的阶段，Si和GaAs等第一、二代半导体材料也仍在产业中大规模应用。但不可否认，第三代半导体确实具有更多的性能优势。
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碳化硅 SiC 氮化镓 GaN 宽禁带 WBG
0 引言近年来，电力电子领域最重要的发展是所谓的宽禁带（WBG）材料的兴起，即碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。WBG 材料的特性有望实现更小、更快、更高效的电力电子产品。WBG 功率器件已经对从普通电源和充电器到太阳能发电和能量存储的广泛应用和拓扑结构产生了影响。SiC 功率器件进入市场的时间比氮化镓长，通常用于更高电压、更高功率的应用。电机在工业应用的总功率中占了相当大的比例。它们被用于暖通空调（HVAC）、重型机器人、物料搬运和许多其他功能。提高电机驱动的能效和可靠性是降低
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202106 MOSFET WBG 202106
我国正在大力兴起新基建，带来了5G、数据中心、工业互联网、汽车充电桩、特高压等对新一代电源产品的需求。为此，本刊邀请了部分业内领军企业，介绍了相关的市场机会与技术趋势。
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PWM WBG CARG EV 202009
全球领先的电子元器件供应商基美电子（“KEMET”），近日继续通过使用KONNEKT高密度封装技术扩展其广受欢迎的KC-LINK系列来增强其电源转换解决方案，从而满足业界对快速开关宽禁带（WBG）半导体、EV/HEV、LLC谐振转换器和无线充电应用不断增长的需求。这项技术将KC-LINK坚固耐用的专有C0G贱金属电极（BME）电介质系统与KONNEKT的创新型瞬态液相烧结（TLPS）材料相结合，创建了一种表面贴装多芯片解决方案，其非常适合高密度封装和高效率的应用使用，所产生的电容高达单个多层陶瓷电容器的四
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WBG BME TLPS
近日，推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON），推出另两个碳化硅（SiC） MOSFET系列，扩展了其宽禁带（WBG）器件系列。 这些新器件适用于各种高要求的高增长应用，包括太阳能逆变器、电动汽车（EV）车载充电、不间断电源（UPS）、服务器电源和EV充电桩，提供的性能水平是硅（Si） MOSFET根本无法实现的。安森美半导体的新的1200伏（V）和900 V N沟道SiC MOSFET提供比硅更快的开关性能和更高的可靠性。快速本征二
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SiC WBG
众所周知，封装技术是让宽带隙 (WBG) 器件发挥潜力的关键所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技术的性能表征，如单位面积的导通电阻 (RdsA)，同时同步降低电容以实现快速开关。新的分立封装即将推出，它能让用户更好地利用宽带隙快速开关性能。可用的标准模块越来越多，而且有越来越多的新先进技术通过实现快速开关、降低热阻与提高可靠性来提高产品价值。器件技术SiC 肖特基二极管销售额占了 SiC 销售额的 50% 以上，其中大部分是 650V、1200V 和1700V 等级。650V 二极管用于计
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WBG RdsA
汽车领域正迅速迈向采用纯电动汽车(EV)，并采用将最终实现全自动驾驶汽车的精密ADAS。安森美半导体在这一领域处于技术前沿，持续开发和推出器件及集成的系统方案，以使强固、可靠并完全符合最新汽车标准的高性能电子成分遍及整个车辆。
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安森美半导体 自动驾驶 WBG
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