- 富士电机计划生产采用碳化硅作为原料的功率半导体，并在2012年前于该公司位于日本长野县的松元制作所增设一条产线，此为该公司首次在自家工厂设置碳化硅功率半导体的产线，未来预计在2012年春季开始量产。
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富士电机 功率半导体
- 根据IMS Research的最新报告，功率半导体市场2010年强劲反弹，年增长率达到43%，销售额大概为160亿美元，模块产品增长率达到了65%，远高于分立功率器件。
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英飞凌 功率半导体
- 美国明导科技宣布，基于该公司MicReD部门与德国英飞凌科技AutomotivePowerApplication部门2005年共同发表...
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LED 封装 JEDEC 功率半导体
- 瑞萨电子计划上市SiC(碳化硅)功率半导体。耐压600V的SiC肖特基势垒二极管(SiC-SBD)“RJS6005TDPP”将从2011年3 月底开始样品供货。除了空调等白色家电外，预计还可用于通信基站和服务器等配备的PFC(功率因数校正)电路以及逆变器电路。瑞萨计划从2011年10月开始少量量产，2012年3月以后以10万个/月的规模量产。该公司还打算在2011年度内，样品供货耐压提高至1200V的SiC-SBD。
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瑞萨 功率半导体
- 通过风能获得太阳的能量并非新鲜事物，但当今的功率半导体器件与控制系统却使这种能源更加适用。在现...
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功率半导体
- 英飞凌科技股份公司连续七年高居全球功率半导体和模块市场榜首。尽管面临困难的经济环境，英飞凌在2009年仍然提高了市场份额。据IMS Research*最新报告，全球功率半导体市场规模缩减21.5%，由2008年的140亿美元降至2009年的110亿美元。尽管市场规模缩减，但英飞凌的市场份额却提高至10.7%。英飞凌在EMEA地区(欧洲、中东和非洲)继续保持着领先地位，市场份额上升1.3个百分点，达到24.3%;在北美和南美地区，其市场份额上升0.4个百分点，达到11.5%。
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英飞凌 功率半导体
- 根据市调机构IMSResearch的最新报告显示，尽管2009年遭遇全球景气低潮，英飞凌(Infineon)仍全力达成巩固市场地位，并提升市占率之目标，亦即2009年全球功率半导体市场出现萎缩--从140亿美元缩减为110亿美元，降幅达21.5%，但英飞凌的市占率仍逆势成长10.7%。
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英飞凌 功率半导体
- 英飞凌科技股份公司连续七年高居全球功率半导体和模块市场榜首。尽管面临困难的经济环境，英飞凌在2009年仍然提高了市场份额。据IMS Research*最新报告，全球功率半导体市场规模缩减21.5%，由2008年的140亿美元降至2009年的110亿美元。尽管市场规模缩减，但英飞凌的市场份额却提高至10.7%。英飞凌在EMEA地区(欧洲、中东和非洲)继续保持着领先地位，市场份额上升1.3个百分点，达到24.3%;在北美和南美地区，其市场份额上升0.4个百分点，达到11.5%。
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英飞凌 功率半导体 太阳能
- 【 导读：在新能源领域的大多数功率变换装置中，IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是最为重要的器件，与欧洲、日本和美国相比，中国在该领域还相对落后，尽管国内也有一些企业和科研机构在进行研发，但产业化进程缓慢，技术上也落后于国外。】
今年6月，功率半导体业界的盛会“PCIMChina2010”在上海光大会展中心举行，国内外知名功率半导体厂商向与会观众展示了各自推出的新产品和众多高能效解决方案。记者观察到，功率半导体在新能源领域的应用成为本届展会的热点，而中国功率器件产业的未来发展
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功率半导体 IGBT
- 功率半导体下游需求旺盛，发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强，iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为2833亿美元，增长率达到23.2%.
MOSFET市场前景广阔。2007年全球MOSFET的销售额大约为52.89亿美元，MOSFET的销售额占全部功率半导体的比重大约为20%,MOSFET主要应用于消费电子、计算机、工业控制、网络通信、汽车电子和电力设备六大领域。
IGBT:节能减排的先锋。2007年全球IGBT的销售额大约为31.36亿美元，IGBT的销售额占全部功率半
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MOSFET IGBT 功率半导体
- 两家半导体大鳄且MCU全球市场排名前两位的瑞萨科技和NEC电子的合并，一直受到业内的重点关注。其合并的原因?合并后形成的航母级企业的整合效果?将对业界产生怎样的影响?
问：瑞萨与NEC电子合并后的新名称?哪些因素促使瑞萨与NEC电子进行这次合并?属于哪种类型的合并?
答：瑞萨与NEC电子合并后，于2010年4月1日，以瑞萨电子株式会社的新公司名称正式开始商业运营，并且得到来自大股东NEC、日立制作所和三菱电机的总额约2000亿日元(约合20亿美元)的增资，财务实力大幅增强。
NEC电
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瑞萨电子 SoC 模拟 功率半导体
- 华润上华科技有限公司(简称“华润上华”)与电子科技大学(简称“电子科大”)共建DMOS联合实验室的签约仪式于2010年3月30日在电子科技大学举行。华润上华副总经理苏巍和电子科大副校长杨晓波分别代表双方在协议上签字，华润上华董事长陈正宇博士、电子科大校长汪劲松教授出席了签字仪式，并就合作的未来进行了深度交流和展望。
在华润上华与电子科技大学微电子与固体电子学院张波教授团队多年的合作基础上，双方将充分利用该联合实验室平台，发挥各自的优势展开深入密切的
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华润上华 功率半导体 DMOS
- 2010年2月25日，株式会社瑞萨科技(以下简称瑞萨)宣布推出包括BCR16CM-16LH在内的新型800V三端双向可控硅产品，其所具有的业内最佳高换向性*特点和150°C结温(Tj)，使其成为洗衣机和真空吸尘器等家电内AC电机驱动应用的理想之选。该产品样品将于2010年4月起在日本发售。
新型三端双向可控硅是用于控制AC电路内电源开关的功率半导体器件，具有如下主要特性：
(1) 提高换向性，减少元件总量
新型三端双向可控硅具有800V的额定电压，实现了业内最高的换向性。其临
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瑞萨 功率半导体 三端双向可控硅 BCR16CM-16LH
- Microsemi公司今天宣布将于本周在加利福尼亚州棕榈泉(Palm Springs)的棕榈泉会议中心(Palm Springs Convention Center)所举行的应用功率电子学会议和展览会 (APEC 2010)上展出它的一系列功率器件产品，并在2个技术交流会上进行演讲。
Microsem所展示的主要产品(展台 #122)：
· 应用于太阳能逆变器的一组超薄功率模块。
· 以太网驱动(PoE)芯片集和模块，其中包括Microsem公司第四代的I
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Microsemi 功率半导体
功率半导体介绍
《功率半导体 器件 与应用》基于前两章的半导体物理基础，详细介绍了目前最主要的几类功率半导体器件，包括pin二极管、晶闸管、门极关断晶闸管、门极换流晶闸管、功率场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管。 [
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