企业发起维权，捍卫氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)相关知识产权Wolfspeed已向美国特拉华州联邦地区法院提起诉讼，指控Navitas侵犯其多项专利权。本次诉讼指出，Navitas多款主力产品侵犯了Wolfspeed多项美国专利，专利号分别为：8169005、10998418、10886396、10749443、11888392。被诉侵权产品覆盖Navitas核心产品线，包含旗下氮化镓场效应管系列（GaNFast、GaNSlim、GaNSafe 产品家族），同时涉及Navitas GeneSiC 碳化
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Wolfspeed
Navitas
专利诉讼
GaN
氮化镓
随着总统审查期结束，美国国际贸易委员会（US ITC）全体委员会于2026年5月7日作出的最终裁定获确认维持并正式生效。该裁定确认英诺赛科侵犯了英飞凌一项涉及氮化镓（GaN）的技术专利，因此对英诺赛科相关侵权产品实施进口及销售禁令。英飞凌科技高级副总裁、氮化镓系统业务线负责人 Johannes Schoiswohl 表示：“此次裁决再次彰显了英飞凌在知识产权体系方面的坚实基础，也进一步体现了我们积极保护英飞凌专利组合、维护行业公平竞争环境的承诺。凭借业界领先的300毫米氮化镓制造能力，我们具备独特优势，能
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AI算力爆发引领数据中心架构全新变革，单机柜功率面临从几千瓦级别向 600kW 乃至兆瓦级演进，传统 54V 低压母线架构受线缆载流、铜排空间、传输损耗三重物理约束，已无法适配下一代高密度 AI 算力集群。NVIDIA 推出 Kyber 液冷刀片式机柜，以 800VDC 高压直流母线重构机房配电体系，相比400VDC架构可将同等线缆下供电能力提升150%，大幅削减铜排占用空间，容纳更多GPU计算托盘。但 800V 高压、液冷狭小空间、无独立风冷散热、多隔离栅极驱动供电等严苛条件，对配套辅助电源提出全新设计
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1700V
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PI
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Kyber
液冷服务器
辅助电源
摘要安森美（onsemi）宣布推出全新GaNEXUS™氮化镓（GaN）功率产品组合。该系列专为在人工智能（AI）数据中心、工业自动化、机器人及能源基础设施等应用中实现更高能效、更高功率密度及更优热性能而设计。首批产品包括覆盖40V至650V电压范围的GaNEXUS FET样品，其中包含集成保护功能的650V GaN FET——GaNEXUS Smart器件，可简化系统集成并提升整体可靠性。新闻亮点· 安森美的GaNEXUS产品组合为下一代电源架构带来更快开关速度、更低开关损耗、更高功率密度及更
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GaNEXUS
氮化镓
功率半导体
安森美
安森美（onsemi）正式发布全新GaNEXUS 氮化镓（GaN）功率器件产品组合。首期上市产品包含覆盖 40V 至 650V 全电压档位的 GaNEXUS 场效应管（FET）样品，其中 650V GaNEXUS 智能氮化镓器件集成全套保护功能，可简化系统集成设计、提升整机可靠性。该系列器件经过专属架构优化，在 AI 数据中心供电、48V 电源系统、机器人与工业自动化、能源基础设施等高功耗应用场景下，能够实现更高能效、更高功率密度与更优异的散热性能。配图：安森美全新 GaNEXUS 氮化镓功率器件产品系列
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安森美
GaNEXUS
氮化镓
功率器件
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布推出 EiceDRIVER™ 2EDL90xG3。这是一款120 V，兼容硅（Si）和氮化镓（GaN）器件的驱动芯片。随着AI数据中心向更高的功率密度迈进，电源工程师会希望在不更改 PCB 的情况下，能够灵活地评估和比较硅与氮化镓方案。这对 HV/MV IBC 设计尤为重要。2EDL90xG3直接满足了这一需求。其独特的内置5 V 栅极钳位功能进一步简化了 GaN 栅极驱动电源的设计，从而实现与 Si 器件共 PCB。&nbs
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EiceDRIVER
2EDL90xG3
驱动芯片
氮化镓
日本功率半导体厂商罗姆（ROHM Semiconductor）与德国设备制造商爱思强（AIXTRON）达成全新生产合作，扩大氮化镓（GaN）制造能力。根据合作协议，罗姆将在日本滨松工厂引入爱思强 G10-GaN 外延沉积平台，实现氮化镓外延工序自研自产。该设备已进入量产爬坡阶段，专注生产8 英寸氮化镓外延片，分别面向 650V 与 100V 功率器件平台。此次合作凸显：随着 AI 基础设施与电动汽车需求激增，行业正持续加码氮化镓产能投资。这一合作也表明，功率半导体厂商正愈发重视化合物半导体的供应链掌控与垂
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功率半导体
罗姆
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新研究表明：低压工况下氮化镓器件安全性提升、损耗进一步降低，但面向高压工业场景仍存在诸多技术难题。核心要点氮化镓器件凭借优异耐压性能，市场渗透率持续攀升；芯粒（Chiplet）等新型架构可实现更快开关速率，同时降低功率损耗；氮化镓率先落地低压消费电子领域，工业级高压应用仍需大量技术攻关。随着电能逐步替代化石能源渗透各行各业，系统设计人员亟需可耐受更高输入电压、扛住短路与过电压尖峰冲击的功率开关与变流器。氮化镓（GaN）等宽禁带半导体凭借更高击穿场强与导热系数，可满足高功率密度产品设计需求，备受器件研发人员
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氮化镓
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GaN
数十年来，摩尔定律一直主导着电子产业的发展。随着晶体管尺寸不断缩小、单颗芯片内的晶体管数量持续增加，电子设备的运算能力每两年便提升一倍。摩尔定律由英特尔联合创始人戈登・摩尔在 1965 年提出，如今它早已逼近物理极限。晶体管的尺寸已经缩小至原子级别，在这一尺度下，经典物理规律不再适用，芯片微型化的道路走到了尽头。与此同时，人工智能浪潮席卷全球，市场对算力的需求近乎无限。太空在轨制造初创企业 Space Forge 的联合创始人兼首席执行官约书亚・韦斯特表示，目前行业的主流做法，只是一味打造规模更大的计算设
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摩尔定律
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碳化硅
砷化镓
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采用氮化镓（GaN）场效应管的电源转换器，相比传统硅基场效应管，在转换效率与功率密度上实现大幅提升，但同时也带来了全新的设计难点。氮化镓器件开关速度极快，哪怕是微小的时序误差、电压偏差，都会被放大，进而影响设备性能与运行可靠性。氮化镓的开关跳变速度，已经超出传统控制方案与测量设备的能力范围。设计人员必须精准管控栅极电压，其安全工作区间通常仅为 + 6V ~ -4V；同时器件电压转换速率可超过 30V/ns，对电路控制要求极高。氮化镓场效应管本身的功耗远低于硅管。举例来说，采用 100V 规格氮化镓管搭建的
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氮化镓
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栅极驱动
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LTC789x
英飞凌（Infineon Technologies）正式启动一项欧洲重大研发计划，旨在面向可再生能源系统、电动汽车及铁路运输等领域，开发下一代可持续功率电子技术。这项为期三年的Moore4Power项目，由欧盟芯片联合执行机构（Chips Joint Undertaking）资助，汇聚了来自 15 个国家的 62 家合作机构，总预算达9100 万欧元。随着传统晶体管尺寸微缩逼近物理极限，该计划聚焦于半导体技术的智能化异构集成。该项目清晰指明了欧洲半导体生态的未来方向：先进异构集成、AI 辅助设计流程、面向
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半导体研发
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一种基于等离子体的简易边缘终端技术，成功制备出横向结构 10 千伏级氮化镓二极管。在电力电子领域的一众半导体技术中，氮化镓（GaN）已取得显著成功。这种材料在需要承受数百伏电压、同时实现极低功耗的场景中，性能无可匹敌。凭借这些优势，氮化镓功率器件已在各类移动设备快充领域，确立了 “杀手级” 应用地位。然而，在 1.7 千伏及以上高压场景 —— 这是电网、风力涡轮机、电力传动、高压电源等应用的关键区间 —— 氮化镓尚未实现商业化落地。目前商用高压器件包括：硅基绝缘栅双极晶体管（IGBT）、晶闸管（最高 6.
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氮化镓
2026 年一季度，中国宽禁带半导体产业（涵盖碳化硅 SiC与氮化镓 GaN）业绩分化明显。受 5G 基站建设、电动汽车车载充电机（OBC）强劲需求拉动，氮化镓射频（GaN RF）企业营收大涨；反观碳化硅功率器件厂商，受价格战加剧、产能扩张带来的折旧成本攀升影响，盈利压力持续加大。氮化镓射频领跑；设备、车用碳化硅开始兑现收益闻泰科技：乘风 5G 与卫星互联网闻泰科技一季度营收同比增长79.05%，领跑行业，核心动力来自子公司氮化镓射频业务。作为国内氮化镓射频龙头，其产品已批量供应 5G 宏基站、卫星互联网
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2026年5月11日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股旗下诠鼎集团宣布，携手英飞凌成功举办“CoolGaN™车规级氮化镓与AURIX™ TC4x 在车载OBC电源解决方案”线上研讨会。本次活动聚焦英飞凌CoolGaN™ 车规级氮化镓与AURIX™ TC4x多核MCU的整合应用，结合原厂观点与实际量产案例，帮助客户把握下一代车载OBC的主流架构与市场机会。研讨会期间，英飞凌工程师针对线上观众的提问进行了专业解答。 随着新能源汽车高压平台普及与能源互联生态成熟，车载电源
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针对与德国芯片厂商英飞凌的专利纠纷，英诺赛科于 5 月 8 日发布新闻稿宣布，美国国际贸易委员会（ITC）在第 337‑TA‑1414 号调查中作出最终裁定，确认英诺赛科当前在售氮化镓（GaN）功率器件未侵犯英飞凌专利，可不受限制地继续在美国进口与销售。据英诺赛科披露，委员会全体成员维持了行政法官的认定，判定英诺赛科未侵犯美国专利号 9,070,755；同时确认，英诺赛科经重新设计、现已用于量产销售的产品，不在美国专利号 9,899,481 的保护范围之内。委员会还宣告该’481 专利另有四项权利要求无效
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美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会维持了其于2025年12月作出的初步裁定，确认英诺赛科（Innoscience）侵犯了英飞凌的一项氮化镓（GaN）技术专利，并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。不过，ITC委员会的最终裁决及其颁布的相关禁令，仍需经过为期60天的美国总统审查期后才能生效。而作为对终裁的回应，英诺赛科宣布，ITC在第337‑TA‑1414号调查中作出最终裁定，确认英诺赛科当前的GaN功率器件产品未侵犯英飞凌的相关专利，并可不受限制地继续在美国进口和销售。原文如下：ITC全体委员一致同意英
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GaN
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意法半导体（STMicroelectronics）推出两款半桥氮化镓（GaN）栅极驱动器，专为电源转换与运动控制系统的高速开关应用设计。产品通过在单芯片内集成核心控制与保护功能，助力实现更紧凑、更高效的系统方案。对于从事工业驱动或电源级设计的读者而言，这一发布体现了宽禁带器件向高集成度发展的大趋势，控制精度与保护能力的重要性日益凸显。面向 GaN 开关的集成控制与保护STDRIVEG212 与 STDRIVEG612 专为驱动增强型 GaN HEMT 设计，提供稳定的 5V 栅极驱动信号。两款器件分别支持
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运动控制
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氮化镓
栅极驱动器
STDRIVEG212
STDRIVEG612
4 月 9 日，英特尔代工服务（Intel Foundry Services）宣布重大技术突破，成功研发出全球最薄氮化镓（GaN）芯粒。其硅衬底厚度仅19 微米，约为人类头发丝直径的 1/5。该芯粒基于300 毫米（12 英寸）硅基氮化镓晶圆制造，采用英特尔自研隐切减薄工艺，在实现极致超薄形态的同时，保持结构完整性与性能稳定性。更具突破性的是，团队首次实现氮化镓功率晶体管与硅基数字逻辑电路的单片集成。通过将复杂计算功能直接嵌入电源芯粒，无需额外辅助芯片，大幅简化系统架构并降低组件间能量损耗。性能测试结果显
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英特尔
氮化镓
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芯粒
意法半导体（ST）发布两款全新高速半桥栅极驱动器，可将氮化镓（GaN）的高效性、热性能与小型化优势，广泛应用于各类电源及运动控制领域。STDRIVEG212 与 STDRIVEG612 可向增强型氮化镓高电子迁移率晶体管（eGaN HEMT）输出精准受控的 5V 栅极驱动信号，高端工作电压分别最高支持 220V 与 600V。两款驱动器集成度极高，在紧凑的 QFN 封装内集成了高端与低端 5V 线性稳压器（LDO）、高端自举二极管，以及欠压锁定（UVLO）等保护功能。内置的快速启动稳压器可稳定驱动器输出级
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STDRIVEG212
STDRIVEG612
意法半导体
氮化镓
GaN
高速半桥栅极驱动器
瑞萨电子推出业内首款双向 650V 级氮化镓（GaN）开关，旨在简化太阳能微型逆变器、人工智能数据中心、电动汽车车载充电器等应用中的功率转换设计。该公司表示，新款 TP65B110HRU 在单颗器件中集成了双向电流阻断功能，无需传统的背对背场效应晶体管（FET）配置。这一研发成果意义重大，它解决了大功率转换设计中长期存在的能效与复杂度难题，同时契合行业向更高密度、更简化架构发展的趋势。迈向单级功率转换据官方介绍，传统功率转换系统依赖单向硅基或碳化硅（SiC）开关，这就需要采用多级架构。以太阳能微型逆变器为
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瑞萨电子
氮化镓
双向开关
2026 年 3 月，当全球半导体产业仍在后摩尔定律的迷雾中探索前行时，氮化镓（GaN）正以惊人的速度从「替代技术」蜕变为「必需技术」。Yole 与集邦咨询的最新数据为这一判断提供了坚实注脚：2026 年全球 GaN 功率器件市场规模预计将达到 9.2 亿美元，较 2025 年增长 58%——这不仅兑现了年初「暴增 50%」的行业预测，更标志着宽禁带半导体正式进入大规模商业化落地的临界点。在这场由人工智能、电动汽车和能源转型共同驱动的「功率革命」中，GaN 已不再是硅基器件的配角，而是正在重塑电
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氮化镓
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出CoolGaN™ Drive HB 600 V G5产品系列，进一步扩大了其CoolGaN™产品组合。四款新产品IGI60L1111B1M、IGI60L1414B1M、IGI60L2727B1M和IGI60L5050B1M均采用半桥配置并在其中集成了两个600V氮化镓（GaN）开关，带有高低侧栅极驱动器与自举二极管，提供紧凑且散热优化的功率级，进一步降低设计复杂度。通过将诸多关键功能集成到一个
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集成式半桥
CoolGaN
Drive HB
氮化镓
德州仪器(TI)正研发氮化镓功率器件，为人形机器人打造更小型、更高能效的电机关节。随着全身人形机器人的兴起，支撑其运动的电机控制器、功率电子器件和散热系统，必须提供比以往更强的动力、更高的精度和更高的效率。为了实现与人类相近的活动范围，机器人全身通常需要部署约40 个伺服电机—— 一般是永磁同步电机（PMSM）或无刷直流电机（BLDC）。这些电机分布在身体不同部位，主要集中在颈部、躯干、手臂、腿部、脚趾及其他关节（手部除外）。为模拟人类的灵巧性，单只机械手可集成超过 10 个额外电机，用于控制独立手指与抓
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氮化镓
人形机器人
高效电机关节
TI
功率器件
氮化镓（GaN）功率器件正加速拓展至人工智能数据中心、机器人、电动汽车、可再生能源等多个行业，同时还切入数字医疗、量子计算等新兴领域，这一趋势推动氮化镓市场从今年到 2030 年实现显著增长。尤其在数据中心市场，采用新型拓扑结构的氮化镓电源相比硅基电源，能实现更高的效率和功率密度，功耗损耗最多可降低 30%，助力打造更高效、更紧凑的数据中心架构。应用于人形机器人的氮化镓电机驱动器，体积可缩小 40%，还能提升精细动作的控制精度。英飞凌氮化镓业务线高级副总裁兼总经理约翰内斯・朔伊斯沃尔博士在接受《欧洲电子工
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人工智能
机器人
氮化镓
功率器件
意法半导体近日推出全新的智能功率器件，使家用电器和工业驱动设备能够利用最新的氮化镓（GaN）技术，显著提升能效、增强性能并降低成本。目前市场上已有的GaN电源适配器和充电器可为笔记本电脑和USB-C快充提供高功率输出，并实现极高的转换效率，以满足日益严苛的生态设计法规要求。而意法半导体此次推出的新型GaN集成电路（IC），首次将该技术拓展至电机驱动领域，适用于洗衣机、吹风机、电动工具以及工厂自动化等产品。意法半导体专用产品部总经理Domenico Arrigo表示：“我们的全新GaNSPIN系统级封装（S
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意法半导体
氮化镓
电机控制
从以可再生能源为主的电网到人工智能数据中心，各领域的电力需求都在持续攀升，这也对电力电子器件提出了更高要求 —— 需要在更小的空间内实现更优性能。电力的传输需要经过复杂的直流 - 直流转换流程，电压等级会从电网的高压逐步降至高端处理器所需的毫伏级。为应对这些挑战，新一代直流 - 直流转换器应运而生，实现了多项技术突破：直流微电网中灵活电力流的新拓扑结构。基于SiC和GaN的新型电源开关，用于电动汽车（EV）中的紧凑高频开关。磁性和被动集成的新创新，旨在减少服务器机架深层的损耗。用于直流微电网的不同直流-直
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高密度
转换器
TAB
氮化镓
直流微电网
简介英飞凌正式推出CoolGaN 100V G1系列车规级晶体管，并开始提供符合AEC-Q101汽车应用标准的预量产样品，包括CoolGaN高压（HV）车规级晶体管及多种双向开关。此举彰显了英飞凌为满足汽车行业不断变化的需求而持续提供创新解决方案的承诺——包括从适用于低压车载信息娱乐系统的新型100V GaN晶体管，到面向未来车载充电器和牵引逆变器的高压产品解决方案。 产品特色AEC-Q101 获得资格100 V e模功率晶体管双侧冷却封装无反向回收装药超低功绩 产品优点同级最佳功率密
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CoolGaN 100V G1系列
晶体管
汽车
氮化镓
绿色
很难想象，首款蓝光 LED 的问世时间竟然晚至 1993 年。这类器件看似构造简单，但表象往往具有迷惑性（见图 1）。1. 图像显示一个蓝色InGaN基LED带金线触点（0.4 × 0.4毫米）（a）。作为商业产品包装的LED（b）。德州仪器工程师詹姆斯·R·比亚德和加里·E·皮特曼于1961年意外制造了第一个LED灯。当时，他们合作开发了用于X波段雷达接收器的低噪声参数放大器，并发现了一种安装在砷化镓基板上、能发射红外光的二极管。1962年，首款商业LEDSNX-100 GaAs LED（铵气管）问世。
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LED
亚硒化锌
氮化镓
MOCVD
_____2025年12月，汇川联合动力与英诺赛科共同宣布，采用650V氮化镓的新一代6.6kW车载充电系统在长安汽车成功装车。这标志着氮化镓技术在中国新能源汽车领域迈出关键一步。该系统将车载充电器与车载直流变换器高度集成，功率密度达4.8kW/L，较传统方案提升30%，重量减轻20%。这意味着，更小体积的电源模块却能提供更高功率的充电效率。随着800V高压平台在电动汽车中的普及，对电源系统的要求日益提高。技术的成熟和成本的下降，使得氮化镓有望在多个领域替代传统件可能成为未来发展方向。尽管氮化镓技术前景广
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