BelGaN 在比利时的氮化镓功率半导体工厂去年关闭。据 eeNews Europe 的报道，有报道称三个财团有兴趣收购该设施，主要用于光子应用。报道还指出该工厂之前专注于汽车功率器件。报告称，关闭预计将使地方当局花费超过110万欧元，并补充说，欧洲全球化和调整基金将为2024年7月裁员的417名员工提供支持。报道中提到的竞标者包括 Silex Microsystems，它是世界上最大的纯 MEMS 晶圆厂。如 evertiq 所述，Silex Microsyste
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氮化镓 功率半导体 晶圆代工
虽然台积电计划在 2027 年退出氮化镓（GaN）晶圆代工业务，但行业巨头英飞凌正在加大力度。凭借其强大的 IDM 模式，英飞凌根据其新闻稿 ，正在推进其在 300 毫米晶圆上的可扩展氮化镓生产，首批客户样品定于 2025 年第四季度发布。根据 商业时报 的报道，台积电计划于 2027 年 7 月 31 日终止其氮化镓晶圆代工服务，称中国竞争对手带来的价格压力是主要驱动因素。 自由时报 补充说，由于对氮化镓的低利润前景持怀疑态度，台积电已决定逐步淘汰其氮化镓业务，并
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英飞凌 氮化镓 晶圆代工
台积电昨日在一份声明中表示，将在未来两年内逐步淘汰其化合物半导体氮化镓 （GaN） 业务，并援引市场动态。这家全球最大的合同芯片制造商表示，这一决定不会影响其之前宣布的财务目标。“我们正在与客户密切合作，以确保平稳过渡，并在此期间继续致力于满足他们的需求，”它说。“我们的重点仍然是为我们的合作伙伴和市场提供持续的价值。”台积电的最新举措出乎意料，因为这家芯片制造商在其年度报告中表示，它已经开发了第二代 650 伏和 100 伏 GaN 芯片，预计将于今年开始生产，同时它正在开发 8 英寸 650 伏增强型
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台积电 氮化镓 Powerchip
Renesas Electronics 表示，随着市场竞争加剧，公司正在加大对其氮化镓（GaN）功率器件的承诺，并转向使用 200 毫米晶圆和 650V d 模式器件。Navitas Semiconductor 也通过与大功率芯片和英飞凌技术的合作，转向使用 200 毫米晶圆，而英飞凌技术正在准备在更大的 300 毫米晶圆上进行生产。Renesas 的举措是基于与美国 Polar Semiconductor 的最近合作协议，以及在 2027 年开始在日本第二个 200 毫米晶圆厂的生产。该公司宣布已暂停碳
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瑞萨 氮化镓
本文阐释了在开关模式电源中使用氮化镓(GaN)开关所涉及的独特考量因素和面临的挑战。文中提出了一种以专用GaN驱动器为形式的解决方案，可提供必要的功能，打造稳固可靠的设计。此外，本文还建议将LTspice®作为合适的工具链来使用，以便成功部署GaN开关。
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开关电源 SMPS 氮化镓 GaN ADI
随着AI数据中心的快速发展、电动汽车的日益普及，以及全球数字化和再工业化趋势的持续，预计全球对电力的需求将会快速增长。为应对这一挑战，英飞凌科技股份公司近日推出EasyPACK™ CoolGaN™ 650 V晶体管模块，进一步扩大其持续壮大的氮化镓（GaN）功率产品组合。该模块基于Easy Power Module平台，专为数据中心、可再生能源系统、直流电动汽车充电桩等大功率应用开发。它能满足日益增长的高性能需求，提供更大的易用性，帮助客户加快设计进程，缩短产品上市时间。英飞凌EasyPACK™英飞凌科技
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英飞凌 EasyPACK CoolGaN 功率模块 氮化镓
氮化镓（GaN）单片双向开关正重新定义功率器件的电流控制范式。 传统功率器件（如MOSFET或IGBT）仅支持单向主动导通，反向电流需依赖体二极管或外接抗并联二极管实现第三象限传导。这种被动式反向导通不仅缺乏门极控制能力，更因二极管压降导致效率损失。为实现双向可控传导，工程师常采用背对背（B2B）拓扑级联两个器件，却因此牺牲了功率密度并增加了系统复杂度。由于有效的州电阻（RDSON）加倍，因此需要这些设备的平行组，以使返回到使用单向开关获得的值。可以执行此类四季度操作的单片设备可以通过用单个设备替换四个活
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英飞凌 氮化镓 双向开关
航嘉深耕电源领域30余年，始终以技术创新与安全标准引领行业发展。此前航嘉推出的充吧产品持续迭代，如充吧高能 W68，以 68W 双 C 口快充、七合一接口布局（2C2A+3AC）和 AI 智能分流技术，成为桌面充电领域的经典。该产品采用第三代氮化镓技术，体积缩减 40% 的同时实现 68W 高效输出，搭配双 C 口盲插功能与 10 重电路防护，完美适配笔记本、手机、平板等多设备快充需求。如今，面对用户对更便携的高功率用电的需求，航嘉推出全新充吧灵动 H67，以 67W GaN 快充与七口聚合设计（3AC+
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航嘉 氮化镓
● 双方签署氮化镓（GaN）技术联合开发协议，致力于为AI数据中心、可再生能源发电与存储、汽车等领域打造面向未来的功率电子技术● 英诺赛科可借助意法半导体在欧洲的制造产能，意法半导体可借助英诺赛科在中国的制造产能服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 （STMicroelectronics，简称ST）与8英寸高性能低成本硅基氮化镓（GaN-on-Si）制造全球领军企业英诺赛科，共同宣布签署了一项氮化镓技术开发与制造协议。双方将充分发挥各自优
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近日，九峰山实验室发布国内首个100 nm硅基氮化镓商用工艺设计套（PDK），性能指标达到国内领先、国际一流水平。作为全球第二个、国内首个商用方案，其技术指标可支撑高通量Ku/Ka频段低轨卫星通信，能够满足下一代移动通信、商用卫星通信与航天领域、车联网及工业物联网、手机终端等多领域对高频、高功率、高效率氮化镓器件的需求，推动我国相关领域器件从“进口替代”迈向“技术输出”。PDK（Process Design Kit，工艺设计套件）是半导体制造中不可或缺的工具包。它为芯片设计者提供工艺参数、器件模型、设计规
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九峰山实验室 100nm 氮化镓 PDK平台
本期充电头网继续为大家带来航嘉灵动F40 Pro 40W氮化镓快速充电器的拆解，这款产品基于此前经典G35 Pro款进行设计，除新增可折叠插脚设计外，外观以及大小等基本没有变化，不过功率提升至40W，并且还支持20W+20W输出，可以满足两部iPhone 16新机快充需求。下面一起来看看产品内部有何不同。此前充电头网还拆解过航嘉20W安全快充充电器、航嘉迷你30W安全快充、航嘉100W氮化镓双认证安全快充、航嘉65W 1A1C氮化镓快充充电器等产品，欢迎查阅。航嘉灵动F40 Pro安全快充开箱包装盒正面印
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氮化镓 快速充电器 拆解
据英诺赛科官微消息，12月30日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”）在香港联合交易所主板挂牌上市。据了解，英诺赛科是一家专注于第三代半导体氮化镓研发与制造的高新技术企业，拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，产品覆盖氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、合封芯片、模组等，可广泛应用于消费与家电、数据中心、汽车电子、新能源与工业等领域。据悉，英诺赛科此番战略配售，吸引了包括意法半导体（STMicroelectronics）、江苏国企混改基金、东方创联以及苏州高端装备在内的4名基石投资者，合共认
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12 月 12 日消息，日本半导体制造商罗姆 ROHM 当地时间本月 10 日宣布同台积电就车载氮化镓 GaN 功率器件的开发和量产事宜建立战略合作伙伴关系。罗姆此前已于 2023 年采用台积电的 650V 氮化镓 HEMT（注：高电子迁移率晶体管）工艺推出了 EcoGaN 系列新产品。罗姆、台积电双方将致力于把罗姆的氮化镓器件开发技术与台积电业界先进的 GaN-on-Silicon（硅基氮化镓）工艺技术优势结合起来，满足市场对高耐压和高频特性优异的功率器件日益增长的需求。台积电在新闻稿中提到，
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12月4日，据GlobalFoundries（格芯）官网消息，其又从美国政府获得了950万美元（折合人民币约6900万元）的联邦资助，用于推进其位于美国佛蒙特州埃塞克斯交界的工厂的硅基氮化镓（GaN）半导体的生产。据介绍，这笔资金由美国国防部可信接入项目办公室（TAPO）提供，是美国联邦政府为支持格芯在佛蒙特州的氮化镓项目而投入的最新资金。获得这笔资金后，格芯将继续为其氮化镓IP产品组合和可靠性测试增加新的工具、设备和原型开发能力，其将更接近在佛蒙特州全面制造8英寸氮化镓芯片。据悉，自2020年以来，包括
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氮化镓介绍
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