第三代半导体材料氮化镓，传来新消息：日本半导体材料大厂信越化学为氮化镓外延生长带来了有力辅助。2024年9月3日，信越化学宣布研制出一种用于GaN（氮化镓）外延生长的300毫米（12英寸）QSTTM衬底，并于近日开始供应样品。图片来源：信越化学从氮化镓生产上看，尽管GaN器件制造商可以使用现有的Si生产线来生产GaN，但由于缺乏适合GaN生长的大直径基板，因此无法从增加材料直径中获益。上述的300毫米QST基板具有与GaN相同的热膨胀系数，可实现大直径的高质量厚GaN外延生长，并抑制SEMI标准厚度的QS
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信越化学 氮化镓 外延生长
根据韩媒报道，9月2日，三星电子在第二季度引入了少量用于大规模生产GaN功率半导体的设备。GaN是下一代功率半导体材料，具有比硅更好的热性能、压力耐久性和功率效率。基于这些优势，IT、电信和汽车等行业对其的需求正在增加。三星电子也注意到了GaN功率半导体行业的增长潜力，并一直在推动其进入市场。去年6月，在美国硅谷举行的“2023年三星代工论坛”上，该公司正式宣布：“我们将在2025年为消费电子、数据中心和汽车领域推出8英寸GaN功率半导体代工服务。”根据这一战略，三星电子第二季度在其器兴工厂引入了德国爱思
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三星 氮化镓 功率半导体
前言HUAWEI华为旗下快充产品相当多，除了随机附送的充电器外，这些年还陆续推出过多口充、超薄快充以及全能充等产品，其中全能充系列涵盖了快充充电器、车载充电器以及磁吸无线充移动电源等品类，功率也有66W、88W、100W可选。可以说光是这个系列的产品，就相当琳琅满目了。华为100W全能充多口充电器P0018是华为近期推出的新品，这款充电器除了配置代表性的干涉型融合端口外，还额外拥有一个独立的USB-C接口，这便使得充电器具有了同时为两个华为系设备供电的能力。下面充电头网就对华为这款新品进行详细拆解，一起来
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前言HP惠普是知名的国际电脑品牌，平时大家遇到的惠普电源多为大功率大尺寸的笔记本电源适配器，虽说大品牌的产品在用料规格和做工方面没得说，但终归不便携。而随着快充的普及，近期充电头网拿到了惠普一款符合当下主流消费者需求的65W氮化镓快充充电器。这款充电器配置2C1A三个主流USB接口，不仅支持最大65W快充，还支持45W+20W等输出策略，此外这款充电器还支持国内新兴的UFCS融合快充，可以说完全是一款针对国内市场推出的快充产品。下面充电头网就对其进行拆解，看看做工用料如何。惠普65W氮化镓快充充电器开箱包
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8月13日，瑞典企业SweGaN宣布，公司生产碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）晶圆的新工厂已开始出货，产品将用于下一代5G先进网络高功率射频应用。资料显示，SweGaN新工厂位于瑞典林雪平，于2023年3月动工建设，可年产4万片4/6英寸碳化硅基氮化镓外延片。SweGaN表示，旗下新工厂开始出货标志着公司从一家无晶圆厂设计厂商，正式转型为一家半导体制造商。合作方面，今年上半年，SweGaN与未公开的电信和国防公司签订了三份重要的供货协议，使其订单量翻了一番，达到1700万瑞典克朗（折合人民币约115
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全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）将于8月28日～30日参加在深圳国际会展中心（宝安新馆）举办的2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会（以下简称PCIM Asia）（展位号：11号馆D14）。届时，将聚焦碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体，展示其面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案。同时，罗姆工程师还将在现场举办的“宽禁带半导体器件— 氮化镓及碳化硅论坛”以及“电动汽车论坛”等同期论坛上发表演讲，分享罗姆最新的功率电子技术成果。展位效果图罗姆拥有世界先进的碳化硅
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近年来，随着科技的不断进步和全球对绿色低碳发展的需求日益增长，半导体行业迎来了前所未有的发展机遇。氮化镓（GaN）作为一种新型半导体材料，以其高功率、高效率、耐高温等特性，在消费电子、电动汽车、可再生能源等多个领域展现出巨大的应用潜力。作为全球功率系统和物联网领域的半导体领导者，英飞凌在氮化镓领域持续深耕，通过战略布局、技术创新、市场应用拓展等不断巩固其市场地位。近日，英飞凌在上海慕尼黑展会期间举办了一场专门的氮化镓新品媒体沟通会，会上英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务市场总监程文涛先生以及英飞凌科技
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氮化镓材料相较于硅基材料，显著优势体现在节能、成本节约及材料省用上。其核心亮点在于其超快的开关速度，在硅、碳化硅与氮化镓三者中独占鳌头。这一特性直接促进了开关频率的大幅提升，进而允许大幅缩减被动元器件及散热器的尺寸与数量，有效降低了物料消耗，彰显了氮化镓在物料节省方面的卓越能力。此外，在效率层面，氮化镓与碳化硅并驾齐驱，通过实现极低的导通阻抗（即单位面积上可达到的最小电阻），相较于硅材料实现了数量级的优化。这种高效的导电性能，是氮化镓提升系统效率的关键所在。综合上述两方面优势，氮化镓的应用不仅促进了系统性
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在2024年7月11日的慕尼黑电子展上，EEPW采访了上海永铭电子股份有限公司（以下简称“永铭电子”）。其以23年的深厚技术积累和创新精神，再次成为行业关注的焦点。作为一家集研发、制造、销售于一体的电容器企业，永铭电子在新能源汽车电子、光伏逆变器、风力发电、5G通讯、IDC服务器、算力服务器以及人工智能等多个领域展现出了其技术实力和市场竞争力。本届慕展上的永铭电子展台永铭电子自2001年成立以来，一直致力于电容器的研发与创新。公司目前拥有十个事业部，专注于新能源汽车电子、光伏逆变器、风力发电、5G通讯、服
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7月12日消息，近日，西安电子科技大学广州研究院第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授课题组李祥东团队在蓝宝石基增强型e-GaN电力电子芯片量产技术研发方面取得突破性进展。研发成果6英寸增强型e-GaN电力电子芯片以“p-GaN Gate HEMTs on 6 Inch Sapphire by CMOSCompatible Process: A Promising Game Chang
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在当今能效需求日益增长的时代背景下，家电及HVAC系统的设计师们正全力以赴地追求更高的能效标准。与此同时，他们也积极响应消费者对可靠、静音、紧凑且经济实用的系统的期待。市场上的主要设计挑战在于，如何在不增加系统成本的前提下，设计并开发出更为小巧、高效且经济适用的电机驱动器。这一挑战要求设计师们不断创新，以实现能效与实用性的完美结合。基于以上背景，德州仪器（TI）再次走在行业前沿，通过其最新发布的DRV7308氮化镓（GaN）智能功率模块（IPM），为高压电机驱动系统带来了革命性的改变。近日，德州仪器在发布
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德州仪器 TI 氮化镓 IPM 智能电源模块
650V 智能电源模块 (IPM)集成了德州仪器的氮化镓 (GaN) 技术，助力家电和暖通空调（HVAC）系统逆变器达到99%以上效率。得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了对外部散热器的需求，工程师可以将解决方案尺寸缩减多达 55%。中国上海（2024 年 6 月 18 日）– 德州仪器 (TI)（纳斯达克股票代码：TXN）推出了适用于 250W 电机驱动器应用的先进 650V 三相 GaN IPM。这款全新的 GaN IPM 解决了工程师在设计大型家用电器及加热、通风和空调 (HVAC) 系统时通
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氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同，本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构，再对增强型和耗尽型的氮化镓HEMT结构进行对比，总结结构不同决定的部分特性。此外，对氮化镓功率器件的外延工艺以及功率器件的工艺进行描述，加深对氮化镓功率器件的工艺技术理解。在理解氮化镓功率器件结构和工艺的基础上，对不同半导体材料的特性、不同衬底材料的氮化镓HEMT进行对比说明。一、器件结构与制造工艺（一）器件结构对比GaN
HEMT是基于AlGaN/GaN异质结，目前市面上还未出现G
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氮化镓 GaN 结构 制造工艺
氮化镓 (GaN) 半导体在 20 世纪 90 年代初首次作为高亮度蓝色发光二极管 (LED) 投入商业应用，随后成为蓝光光盘播放器的核心技术。自此以后虽已取得长足进步，但在将近二十年后，该技术才因其高能效特性而在场效应晶体管 (FET) 上实现商业可行性。氮化镓目前是半导体行业增长最快的细分市场之一，复合年增长率估计在 25% 至 50% 之间，其驱动力来自对能效更高设备的需求，以期实现可持续发展和电气化目标。与硅晶体管相比，氮化镓晶体管可以设计出体积更小、效率更高的器件。氮化镓最初
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作为第三代半导体两大代表材料，SiC产业正在火热发展，频频传出各类利好消息；GaN产业热度也正在持续上涨中，围绕新品新技术、融资并购合作、项目建设等动作，不时有新动态披露。在关注度较高的扩产项目方面，上个月，能华半导体张家港制造中心（二期）项目在张家港经开区再制造基地正式开工建设。据悉，能华半导体张家港制造中心（二期）项目总投资6000万元，总建筑面积约10000平方米，将新建GaN外延片产线。项目投产后，将形成月产15000片6英寸GaN外延片的生产能力。而在近日，又有一个GaN外延片项目取得新进展。5
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碳化硅 氮化镓 化合物半导体
氮化镓介绍
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