NCP1345是次世代高度集成的准共振Flyback, 适用于设计高性能电源转换器为了单纯adapter 或 adapter with USB-PD (type−C or type-A) , 或 openframe 等电源转换器, 包括双 VCC 架构, 允许直接连接到辅助绕组, 以进行简化 VCC 管理零件计数减少并增加性能。CP1345 还具有精确的基于主要一次侧的输出限制电路，以确保恒定输出电流限制,无论设计输出电压或输出功率如何。准共振 (QR）专有波谷锁定电路，以确保稳定的波谷切换,当下降到第6
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现阶段硅元件的切换频率极限约为65~95kHz，工作频率再往上升，将会导致硅MOSFET耗损、切换损失变大；再者Qg的大小也会影响关断速度，而硅元件也无法再提升。因此开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体GaN氮化镓和SiC碳化硅功率电晶体，虽然它们比硅更难制造及更昂贵，但也具有独特的优势和优越的特性，使得这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以帮助下一个产品设计做出更适合的决定。 GaN氮化镓是最接近理想的半导体开关的器
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硅材料制作的功率器件，也被称为第一代半导体，而砷化镓（GaAs）等材料制作的功率器件，则被成为第二代半导体，第二代半导体在高频性能上优于硅器件，通常用于射频应用。氮化镓（GaN）或碳化硅（SiC）器件也被成为第三代半导体，其禁带宽度约是硅器件的3倍，击穿场强约是硅器件的10倍，因而具有更高的耐压能力以及更低的导通压降，转换效率高，也更适应高温工作环境。与硅材料和SiC相比，GaN材料电子饱和漂移速率更高，适合高频率应用场景，因而在电力电子应用中，GaN器件可以在MHz以上频率工作，大大减小了对外围电路中电
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半导体寒气袭人知谁暖？芯片行业的砍单潮已经将寒气传递给了众多企业，三星半导体部门负责人Kyung Kye-hyun就预计芯片销售大幅下滑态势将延续至明年；野村证券最近也将今年全球芯片出货成长率由原先预估的9.9%大砍至5.7%、2023年由衰退0.5%扩大至衰退6%；费城半导体指数 (SOX)近6个月（截至9月21日）更是跌了26.53%。但此时，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料却在迎来市场倍增与产能扩张。 安森美二季度财报发布后，就将其2022年碳化硅营收预期上调为“同比增长3倍”，而
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hofer powertrain为新一代电动汽车传动系统奠定基础。德国动力系统专家hofer powertrain选择前瞻性芯片技术，通过汽车领域氮化镓（GaN）技术领导者VisIC Technologies公司提供最新氮化镓芯片技术D3GaN（直驱D型）实现新的多级电力电子元件。新解决方案在效率和功率密度方面超过硅基技术的性能，最近的测试证明了它的成功。氮化镓半导体是提高效率、增加电动汽车行驶里程和寿命的关键。hofer powertrain和VisIC Technologies的目标是开发基于氮化镓的
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高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布，全球电源产品和电动汽车充电站供应商飞宏(Phihong)新推出的65W 2C1A USB PD适配器采用了该公司的氮化镓技术。这款适配器采用Transphorm的SuperGaN®第四代技术，这是一种氮化镓场效应管(FET)平台，具有以下优点：系统设计简单，元件数量少，性能更高，可靠性一流。飞宏的65W适配器外形小巧(51 x 55.3 x 29 mm)，配备两个US
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功率半导体组件与电源、电力控制应用有关，特点是功率大、速度快，有助提高能源转换效率，多年来，功率半导体以硅（Si）为基础的芯片设计架构成为主流，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三类半导体材料出现，让功率半导体组件的应用更为多元，效率更高。MOSFET与IGBT双主流各有痛点高功率组件应用研发联盟秘书长林若蓁博士（现职为台湾经济研究院研究一所副所长）指出，功率半导体组件是电源及电力控制应用的核心，具有降低导通电阻、提升电力转换效率等功用，其中又以MOSFET（金属氧化半导体场效晶体管）与IGBT（绝缘
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前言65W氮化镓充电器能够为手机和电脑提供理想的快充体验，同时不需要PFC，从成本和体积上都很有优势，是工厂和消费者选择的主力产品。随着近年来平面变压器技术的成熟，通过使用平面变压器取代传统绕线变压器，充电器从常规的方块形态进化成为饼干形态，更加便于携带。智融科技推出了多款可用于氮化镓充电器的协议降压二合一芯片，在车充和氮化镓快充中应用非常广泛。智融推出了用于氮化镓开关管的初级主控芯片SW1106，支持直驱增强型氮化镓开关管，进一步完善氮化镓快充产品线，致力于推出一站式氮化镓快充电源解决方案。充电头网已经
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高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc. 近日宣布推出七款参考设计，旨在加快基于氮化镓的USB-C PD电源适配器的研发。该参考设计组合包括广泛的开放式框架设计选项，覆盖多种拓扑结构、输出和功率（45W至140W）。SuperGaN®技术的差异化优势 电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET，具有设计简单、可靠性高和性能强劲的优势，这些特点已经成为Transphorm氮化镓器件的代名词。在最近的对比分析中，与1
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基于氮化镓器件的逆变器参考设计EPC9173无论是在尺寸、性能、续航里程、精度和扭矩方面，优化了电机系统且简化设计和加快产品推出市场的时间。我们可以把这种微型逆变器放进电机外壳中，从而把电磁干扰减到最小、实现最高的功率密度和最轻的重量。宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC9173，它是一款三相无刷直流电机驱动逆变器，采用具备嵌入式栅极驱动器功能的EPC23101 eGaN®集成电路和一个3.3 mΩ导通电阻的浮动功率氮化镓场效应晶体管。EPC9173在20 V和85 V之间的输入电源电压下工作，峰值电
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宜普电源转换公司（EPC）新推40 V、1.1 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2066），为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面积受限的应用。全球行业领先供应商宜普电源转换公司 为业界提供增强型氮化镓（eGaN®）功率场效应晶体管和集成电路，新推40 V、典型值为0.8 mΩ的EPC2066氮化镓场效应晶体管，为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以立即发货。EPC2066的低损耗和小尺寸使其成为用于最新服务器和人工智能的高功率密度、40 V~60 V/12 V DC/
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深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations近日宣布InnoSwitch™4-CZ系列高频率、零电压开关(ZVS)反激式开关IC再添新品。当与Power Integrations的ClampZero™有源钳位IC或者最近发布的HiperPFS™-5氮化镓功率因数校正IC搭配使用时，新IC可轻松符合最新的USB PD 3.1标准，设计出高达220W的适配器和充电器。“商务旅行者需要轻便、紧凑、强大的适配器，能够为他们所有的重要设备快速充电。新型InnoSwitch4-C
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基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia近日宣布与国际著名的为汽车行业提供先进电子器件的供应商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作关系，携手研发车规氮化镓(GaN)功率模块。双方长期保持着紧密的联系，此次进一步合作的目标是共同开发GaN功率器件在电动汽车(EV)上的应用。随着客运车辆日益电气化，市场对功率半导体的要求也在不断提高，需要在越来越高的功率密度下提供高效的功率转换。高压功率氮化镓场效应晶体管(GaN FET)与创新型封装技术相结合，可以满
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● 产品达到成本和性能双重目标，现进入认证测试阶段● 实现弹性量产和供货取得巨大进展服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)和世界排名前列的电信、工业、国防和数据中心半导体解决方案供应商MACOM技术解决方案控股有限公司(以下简称“MACOM”) 宣布，射频硅基氮化镓(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功。基于这一成果，意法半导体和MACOM将继续携手，深化合作。射频硅基氮化
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在这篇文章里，imec氮化镓电力电子研究计划主持人Stefann Decoutere探讨在200V GaN-on-SOI智能功率芯片（IC）平台上，整合高性能萧基二极管与空乏型高电子迁移率晶体管（HEMT）的成功案例。该平台以p型氮化镓（GaN）HEMT制成，并成功整合多个GaN组件，将能协助新一代芯片扩充功能与升级性能，推进GaN功率IC的全新发展。同时提供DC/DC转换器与负载点（POL）转换器所需的开发动能，进一步缩小组件尺寸与提高运作效率。电力电子半导体的最佳解答：氮化镓（GaN）过去
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