全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（以下“瑞萨”）近日宣布，已于2024年6月20日完成对氮化镓（GaN）功率半导体全球供应商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）的收购。随着收购的完成，瑞萨电子将立即开始提供基于GaN的功率产品和相关参考设计，以满足对宽禁带（WBG）半导体产品日益增长的需求。与传统的硅基器件相比，GaN和碳化硅（SiC）等WBG材料具有出色的功率效率、更高的开关频率和较小的占用空间，因此被视为下一代功率半导体的关键技术。受电动汽车（EV）
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瑞萨
Transphorm
根据Yole机构2024 Q1的预测，氮化镓 (GaN) 功率半导体器件市场2023至2029年平均复合年增长 (CAGR) 将高于45%，其中表现最为抢眼的是汽车与出行市场（automotive & mobility），“从无到有”，五年后即有望占据三分之一的GaN应用市场（图1）。而相比之下，碳化硅（SiC）应用市场成长则显得比较温和，CAGR远低于GaN（图1）。随着GaN“上车”进程加速，功率器件器件市场竞争格局或将被改写。图1：在GaN市场份额变化中，汽车与出行市场 “从无到有”，五年后
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GaN
车用功率器件
Transphorm
SiC
全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.与适配器USB PD控制器集成电路的全球领导者Weltrend Semiconductor Inc.近日宣布推出两款新型系统级封装氮化镓器件（SiP），与去年推出的伟诠电子旗舰氮化镓 SiP 一起，组成首个基于Transphorm SuperGaN®平台的系统级封装氮化镓产品系列。新推出的两款SiP器件型号分别为WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了伟诠电子的高频多模（准谐振/谷底开关）反激式PWM控制器和T
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Transphorm
伟诠
SiP氮化镓
氮化镓
加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）今日宣布推出两款采用 4 引脚 TO-247 封装（TO-247-4L）的新型 SuperGaN® 器件。新发布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分别具有 35 毫欧和 50 毫欧的导通电阻，并配有一个开尔文源极端子，以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能。新
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高功率服务器
工业电力转换
氮化镓场效应晶体管
碳化硅
SiC
1月12日消息，日前，半导体解决方案供应商瑞萨电子与氮化镓（GaN）器件领导者Transphorm达成最终协议，根据协议，瑞萨电子的子公司将以每股5.10美元的价格收购Transphorm，较Transphorm 在1月10日的收盘价溢价约35%，总估值约为3.39亿美元。此次收购将为瑞萨提供GaN的内部技术，从而扩展其在电动汽车、计算（数据中心、人工智能、基础设施）、可再生能源、工业电源以及快速充电器/适配器等快速增长市场的业务范围。据悉，瑞萨将采用Transphorm的汽车级GaN技术来开发新的增强型
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氮化镓
收购
Transphorm
2024 年 1 月 11 日 3:00 p.m. JST，日本东京 | 2024 年 1 月 10 日 10:00 p.m. PST 加利福尼亚州戈利塔讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（以下“瑞萨”，TSE：6723）与全球氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布双方已达成最终协议，根据该协议，瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股，较Transphorm在2024年1月
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GaN
Weltrend新参考设计表明，拥有成本优势的SuperGaN SiP IC，适用于65瓦和100瓦适配器 ，为客户带来规模经济以及无与伦比的氮化镓稳健性 2023 年 12 月 28 日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）与适配器USB-C PD控制器集成电路的全球领导者Weltrend Semiconductor Inc.（伟诠电子，TWSE：2436）宣布合作推出100瓦USB-C PD电源适配器参考设计。该参考设计电路
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Transphorm
伟诠
氮化镓系统级封装
2023 年 12月 21 日－全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码TGAN）宣布推出两款面向电动车充电应用的全新参考设计。300W和600W恒流/恒压（CC/CV）电池充电器采用 Transphorm 的70毫欧和150毫欧 SuperGaN® 器件，以极具竞争力的成本实现高效的 AC-DC 功率转换和高功率密度。这两款参考设计旨在帮助两轮和三轮电动车充电器快速实现量产。 据悉，印度和中国的两轮和三轮电动车年销量分别超过 1,
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三轮电动车
电池充电器
二轮电动车
全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.近日宣布与为运动控制和节能系统提供电源及传感半导体技术的全球领先企业Allegro MicroSystems, Inc.（Allegro）开展合作，使用Transphorm 的 SuperGaN®场效应晶体管和Allegro的AHV85110隔离式栅极驱动器，针对大功率应用扩展氮化镓电源系统设计。Transphorm 的 SuperGaN FET可用于各种拓扑结构，并能够提供多种封装形式，支持广泛的功率级，满足不同终端
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Allegro
氮化镓电源
加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代电力系统的未来、氮化镓(GaN)功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封装的 SuperGaN® FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，这意味着TOLL封装的SuperGaN功率管可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件还具备Transphorm经验证的高压动态(开关)导通电阻可
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Transphorm
氮化镓
GaN
氮化镓功率半导体产品的全球领先企业Transphorm, Inc.近日发布了题为『Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势』的最新白皮书。该技术文献科普了共源共栅 (常闭) d-mode氮化镓平台固有的优势。重要的是，该文章还解释了e-mode平台为实现常闭型解决方案，从根本上 (物理层面) 削弱了诸多氮化镓自身的性能优势。要点白皮书介绍了 normally-off d-mode 氮化镓平台的几个关键优势，包括：1.性能更高：优越的 TCR (~25%)，更低的动态与静态导通电阻比
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常闭耗尽型
D-Mode
增强型
E-Mode
氮化镓
1 专注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化镓）功率半导体领域的全球领先企业，致力于设计和制造用于新世代电力系统的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（ 目前处于开发阶段）氮化镓器件。Transphorm 拥有1 000 多项专利，氮化镓器件为单一业务。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商业模式运营的上市公司，这意味着在器件开发的每个关键阶段，我们均能做到自主可控和创新——包括GaN HEMT 器件设计、外延片材料、晶圆制程工艺，直至最终氮化镓场效应晶体管芯片。
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202310
SuperGaN
氮化镓
GaN
Transphorm
新世代电力系统的未来，氮化镓（GaN）功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.近日宣布，DAH Solar Co., Ltd.的世界首个集成型光伏（PV）系统采用了Transphorm氮化镓平台，DAH Solar是安徽大恒新能源技术公司的子公司。该集成型光伏系统已应用在大恒能源的最新SolarUnit 产品。DAH Solar对系统中所使用的Transphorm的GaN FET器件给予高度评价，认为能够生产出更小、更轻、更可靠的太阳能电池板系统，同时还能以更低的能耗提供更高的总发电量
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氮化镓器件
DAH Solar
大恒能源
微型逆变器光伏系统
新世代电力系统的未来，氮化镓（GaN）功率半导体产品的全球领先供应商Transphorm, Inc.近日宣布，利用该公司的一项专利技术，在氮化镓功率晶体管上实现了长达5微秒的短路耐受时间（SCWT）。这是同类产品有记录以来首次达到的成就，也是整个行业的一个重要里程碑，证明 Transphorm 的氮化镓器件能够满足伺服电机、工业电机和汽车动力传动系统等传统上由硅 IGBT 或碳化硅（SiC）MOSFET 提供支持的坚固型功率逆变器所需的抗短路能力 --- 氮化镓在这类应用领域未来五年的
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氮化镓器件
电机驱动
抗短路稳健性
加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代电力系统的未来, 氮化镓（GaN）功率转换产品的全球领先供应商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）发布了一款高性能、低成本的驱动器解决方案。这款设计方案面向中低功率的应用，适用于LED照明、充电、微型逆变器、UPS和电竟电脑，加强了公司在这个30亿美元电力市场客户的价值主张。 不同于同类竞争的 e-mode GaN 解决方案需要采用定制驱动器或栅极保护器件的电平移位电路，Transphorm 的 SuperG
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SuperGaN FET
驱动器
加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始规格书。TP120H070WS功率管是迄今为止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半导体，领先同类产品。这款产品的发布展现Transphorm有能力支持未来的汽车电力系统，以及已普遍用于工业、数据通信和可再生能源市场的三相电力系统。与替代技术相比，这些应用可受益于1
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1200伏
GaN-on-Sapphire器件
常关型
氮化镓.三相电力系统
Transphorm将在APEC2023会议上展出该产品(展位#853)。加州戈利塔和台湾新竹—March 1, 2023 -- 高可靠性、高性能氮化镓(GaN)功率转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)与伟诠电子 (Weltrend Semiconductor Inc.，TWSE: 2436)今天宣布双方合作推出首款系统级封装(SiP)的氮化镓电源控制芯片。伟诠电子是用于适配器USB PD的控制器IC的全球领导者之一，新推出的WT7162R
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集成式GaN SiP
高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今日发布了针对其氮化镓功率管的最新可靠性评估数据。评估可靠性使用的失效率（FIT）是分析客户现场应用中失效的器件数。迄今为止，基于超过850亿小时的现场应用数据，该公司全系列产品的平均失效率(FIT)小于0.1。现有氮化镓功率解决方案的全功率可靠性评估中，这一失效率是业界报道过的最好的评估结果之一。Transphorm在构建其氮化镓平台时考虑了可靠性的要求, 了解宽禁带技术进入市
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氮化镓功率管
可靠性评估
Transphorm拓展中国区业务,扩大氮化镓应用实验室大中华区新增办事处提升服务亚太区域电力电子客户的能力 加州戈利塔—2022年12月1 日--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm, Inc. 宣布在中国深圳开设新的办事处。作为一家外商独资企业(WFOE)，Transphorm的深圳办事处将负责加强当地客户支持、销售和市场营销工作，另外，该办事处将作为当地支持客户开发氮化镓电源系统的应用实验室，并同时支持全球研发工作。深圳办事处将由Transphorm
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氮化镓
加州戈利塔—2022年12月1 日--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布在中国深圳开设新的办事处。作为一家外商独资企业(WFOE)，Transphorm的深圳办事处将负责加强当地客户支持、销售和市场营销工作，另外，该办事处将作为当地支持客户开发氮化镓电源系统的应用实验室，并同时支持全球研发工作。深圳办事处将由Transphorm现任亚洲销售副总裁Kenny Yim管理，他同时也担任中国区总经理一职。Trans
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氮化镓
加州戈利塔----高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今天宣布，公司已赢得一份美国能源部先进能源研究计划署(ARPA-E)的合同。该项目是ARPA-E CIRCUITS计划的一部分，通过与伊利诺伊理工大学的分包合同开展，包括提供基于氮化镓的四象限双向开关管(FQS)。这些开关管可用于多种电源转换应用，如电流源型逆变器、变频器用于驱动器和微型逆变器、矩阵式开关和固态断路器等新型应用。此项计划的开展得益于Transph
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美国能源部
先进能源研究计划署
四象限氮化镓开关
高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布，全球电源产品和电动汽车充电站供应商飞宏(Phihong)新推出的65W 2C1A USB PD适配器采用了该公司的氮化镓技术。这款适配器采用Transphorm的SuperGaN®第四代技术，这是一种氮化镓场效应管(FET)平台，具有以下优点：系统设计简单，元件数量少，性能更高，可靠性一流。飞宏的65W适配器外形小巧(51 x 55.3 x 29 mm)，配备两个US
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飞宏
USB PD
适配器
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氮化镓
高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布，新增的TP65H050G4BS器件扩充了其表面贴装封装产品系列。这款全新高功率表面贴装器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封装的650V SuperGaN®场效应晶体管 (FET)，典型导通阻抗为50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD，丰富了目前面向中低功率应用的PQFN器件。TP65H050G4BS通过了J
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高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc. 近日宣布推出七款参考设计，旨在加快基于氮化镓的USB-C PD电源适配器的研发。该参考设计组合包括广泛的开放式框架设计选项，覆盖多种拓扑结构、输出和功率（45W至140W）。SuperGaN®技术的差异化优势 电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET，具有设计简单、可靠性高和性能强劲的优势，这些特点已经成为Transphorm氮化镓器件的代名词。在最近的对比分析中，与1
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推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor)，和功率转换器专家Transphorm，先前宣布双方建立了合作关系，把基于氮化镓(GaN)的电源方案推出市场，今天美国时间宣布推出联名的NTP8G202N (TPH3202PS)和NTP8G206N (TPH3206PS) 600 V GaN共源共栅(cascade)晶体管和使用这些器件的240 W参考设计。
安森美半导体电源分立分部副总裁兼总经理Paul Leonard说：“GaN晶体管为开关电源和其它在能效及功率密
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