- 据云塔科技官微消息，1月15日，中国科学技术大学微电子学院孙海定教授牵头的国家重点研发计划“战略性科技创新合作”重点专项“基于第三代半导体氮化镓和氮化钪铝异质集成射频微系统芯片研究”项目启动会暨实施方案论证会在云塔科技（安努奇）举行。据悉，该项目是由中国科学技术大学牵头，香港科技大学作为香港方合作单位以及安徽安努奇科技有限公司作为参研单位，共同开展联合攻关。面向国家在高频、大带宽和高功率密度战略性高端通信芯片和射频模组的迫切需求，开展基于第三代半导体氮化镓和氮化钪铝（GaN/AlScN）异质集成射频微系统
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- 就在几个月之前，一则消息被各大媒体平台报道：2023年7月3日，为维护国家安全和利益，中国相关部门发布公告，决定自8月1日起，对镓和锗两种关键金属实行出口管制。至此有不少不关注该领域的读者突然意识到，不知道从什么时候开始，我国的镓和锗已经悄悄成为了世界最大的出口国。根据一份中国地质科学院矿产资源研究所2020年的一份报告显示，目前镓的世界总储量约 23 万吨，中国的镓金属储量居世界第一，约占世界总储量的 80%-85%，而我国的镓产量则是压倒性的占到了全球产量的90%到95%。而作为镓的化合物，砷化镓、氮
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- 1月12日消息，日前，半导体解决方案供应商瑞萨电子与氮化镓（GaN）器件领导者Transphorm达成最终协议，根据协议，瑞萨电子的子公司将以每股5.10美元的价格收购Transphorm，较Transphorm 在1月10日的收盘价溢价约35%，总估值约为3.39亿美元。此次收购将为瑞萨提供GaN的内部技术，从而扩展其在电动汽车、计算（数据中心、人工智能、基础设施）、可再生能源、工业电源以及快速充电器/适配器等快速增长市场的业务范围。据悉，瑞萨将采用Transphorm的汽车级GaN技术来开发新的增强型
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- 美国弗吉尼亚理工学院、州立大学和NexGen电力系统公司首次对垂直氮化镓（GaN）功率晶体管的动态电阻（ RON）和阈值电压（VTH）稳定性进行了实验表征。研究人员研究了额定电压高达1200V（1.2kV）的NexGen结型场效应晶体管（JFET）器件。动态 RON描述了开关晶体管的电阻相对于稳定直流状态下的电阻的增加。该团队评论道：“这个问题可能会导致器件的导通损耗增加，并缩短器件在应用中的寿命。”研究人员将NexGen的650V/200mΩ和1200V/70mΩ级GaN JFET（
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- 第三代半导体材料是指以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料。与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度，更高的击穿电场、热导率以及电子饱和速率，并且在抗辐射能力方面也具有优势。这些特性使得第三代半导体材料制备的半导体器件适用于高电压、高频率场景，并且能够以较少的电能消耗获得更高的运行能力。因此，第三代半导体材料在5G基站、新能源车、光伏、风电、高铁等领域具有广泛的应用潜力。其中，碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，在汽车电子领域具有广泛的应用前景。在新能源汽车领域，
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- PC公司的氮化镓专家将在国际消费电子展(CES)上分享氮化镓技术如何增强消费电子产品的功能和性能 增强型氮化镓(eGaN®)FET和IC领域的全球领导者宜普电源转换公司(EPC)将在CES 2024展会展示其卓越的氮化镓技术如何为消费电子产品在功能和性能方面做出贡献 ，包括实现更高效率、更小尺寸和更低成本的解决方案。CES展会期间，EPC的技术专家将于1月9日至12日在套房与客户会面、进行技术交流、讨论氮化镓技术及其应用场景的最新发展。氮化镓技术正在改变大批量消费应用的关键领域包括：推动人工智能
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- 意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片，利用宽禁带半导体技术简化电源设计，实现最新的生态设计目标。意法半导体的MasterGaN产品家族集成两颗650V高电子迁移率GaN晶体管(HEMT)与优化的栅极驱动器、系统保护功能，以及在启动时为器件供电的集成式自举二极管。集成这些功能省去了设计者处理GaN晶体管栅极驱动开发难题。这两款产品采用紧凑的电源封装，提高了可靠性，减少了物料成本，简化了电路布局。这两款新器件内置两个连接成半桥的Ga
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- IT之家 12 月 11 日消息，据中国科学院微电子研究所消息，近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队在氮化镓电子器件可靠性及热管理方面取得突破，六项研究成果入选第 14 届氮化物半导体国际会议 ICNS-14（The 14th International Conference on Nitride Semiconductors）。氮化物半导体材料在光电子、能源、通信等领域具有广泛的应用前景。随着下游新应用的快速发展以及衬底制备技术的不断突破，氮化物半导体功率器件实现了成本和效率的大幅改善，
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- ● 助力工程师开发系统尺寸减半且效率超过 95% 的交流/直流解决方案，从而简化散热设计● 全新氮化镓器件可兼容交流/直流电源转换中常见的拓扑结构德州仪器 (TI)近日发布低功耗氮化镓 (GaN) 系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系统效率，同时缩小交流/直流消费类电力电子产品和工业系统的尺寸。德州仪器的 GaN 场效应晶体管 (FET) 全系列产品均集成了栅极驱动器，能解决常见的散热设计问题，既能让适配器保持凉爽，又能在更小的尺寸中提供更高功率。德州仪
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- 多年前，仅仅65W左右的笔记充电器如同砖头一般大小，外出携带十分不便，但随着随着氮化镓器件的全面使用，充电器的功率密度已经翻了一倍有余，同样65W的充电器只有之前的一半大小，很轻松就可以放入包内携带。但随着充电器集成度越来越高，对ACDC芯片的要求也愈加苛刻。为应对市场需求，钰泰半导体潜心研发，相继推出ETA8003、ETA8047、ETA8056、ETA80033多款ACDC芯片。钰泰半导体ACDC芯片钰泰半导体ETA8003、ETA8047、ETA8056、ETA80033多款ACDC芯片部分规格如图
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- 伦敦2023年11月15日 /美通社/ -- 随着Omdia预测电动汽车 (EV) 革命将引发新型半导体激增，电力半导体行业的几十年旧规范正面临挑战。人工智能热潮是否会产生类似的影响？功率分立器件、模块和IC预测Omdia半导体元件高级分析师卡勒姆·米德尔顿表示：“长期以来依赖硅技术的行业正受到新材料制造的设备的挑战和推动。氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的开发始于上个世纪，但它们的技术成熟度与可持续发展运动相匹配，新材料制造的设备在能源匮乏的世界中有着显著的效率提升。”2018 年，特斯拉首次
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- 在功率器件选择过程中，以氮化镓、碳化硅为代表的宽禁带半导体越来越受到了人们的重视，在效率、尺寸以及耐压等方面都相较于硅有了显著提升，但是如何定量分析这三类产品的不同？Power Intergrations（PI）资深培训经理Jason Yan日前结合公司新推出的1250V氮化镓(GaN)产品，详细解释了三类产品的优劣，以及PI对于三种产品未来的判断，同时还介绍了PI氮化镓产品的特点及优势。在功率器件选择过程中，以氮化镓、碳化硅为代表的宽禁带半导体越来越受到了人们的重视，在效率、尺寸以及耐压等方面都相较于硅
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- 加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代电力系统的未来、氮化镓(GaN)功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封装的 SuperGaN® FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，这意味着TOLL封装的SuperGaN功率管可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件还具备Transphorm经验证的高压动态(开关)导通电阻可
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- 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日发布全球额定耐压最高的单管氮化镓(GaN)电源IC。该IC采用了1250V的PowiGaN™开关技术。InnoSwitch™3-EP 1250V IC是Power Integrations的InnoSwitch恒压/恒流准谐振离线反激式开关IC产品系列的最新成员。它具有同步整流和FluxLink™安全隔离反馈功能，并且提供丰富的开关选项，包括725V硅开关、1700V碳化硅开关以及其它衍生出
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Power Integrations 1250V 氮化镓 开关IC
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