近年来，随着科技的不断进步和全球对绿色低碳发展的需求日益增长，半导体行业迎来了前所未有的发展机遇。氮化镓（GaN）作为一种新型半导体材料，以其高功率、高效率、耐高温等特性，在消费电子、电动汽车、可再生能源等多个领域展现出巨大的应用潜力。作为全球功率系统和物联网领域的半导体领导者，英飞凌在氮化镓领域持续深耕，通过战略布局、技术创新、市场应用拓展等不断巩固其市场地位。近日，英飞凌在上海慕尼黑展会期间举办了一场专门的氮化镓新品媒体沟通会，会上英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务市场总监程文涛先生以及英飞凌科技
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氮化镓 英飞凌 GaN Systems
氮化镓材料相较于硅基材料，显著优势体现在节能、成本节约及材料省用上。其核心亮点在于其超快的开关速度，在硅、碳化硅与氮化镓三者中独占鳌头。这一特性直接促进了开关频率的大幅提升，进而允许大幅缩减被动元器件及散热器的尺寸与数量，有效降低了物料消耗，彰显了氮化镓在物料节省方面的卓越能力。此外，在效率层面，氮化镓与碳化硅并驾齐驱，通过实现极低的导通阻抗（即单位面积上可达到的最小电阻），相较于硅材料实现了数量级的优化。这种高效的导电性能，是氮化镓提升系统效率的关键所在。综合上述两方面优势，氮化镓的应用不仅促进了系统性
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氮化镓 GaN
在2024年7月11日的慕尼黑电子展上，EEPW采访了上海永铭电子股份有限公司（以下简称“永铭电子”）。其以23年的深厚技术积累和创新精神，再次成为行业关注的焦点。作为一家集研发、制造、销售于一体的电容器企业，永铭电子在新能源汽车电子、光伏逆变器、风力发电、5G通讯、IDC服务器、算力服务器以及人工智能等多个领域展现出了其技术实力和市场竞争力。本届慕展上的永铭电子展台永铭电子自2001年成立以来，一直致力于电容器的研发与创新。公司目前拥有十个事业部，专注于新能源汽车电子、光伏逆变器、风力发电、5G通讯、服
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电容 氮化镓 永铭电子 电容
7月12日消息，近日，西安电子科技大学广州研究院第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授课题组李祥东团队在蓝宝石基增强型e-GaN电力电子芯片量产技术研发方面取得突破性进展。研发成果6英寸增强型e-GaN电力电子芯片以“p-GaN Gate HEMTs on 6 Inch Sapphire by CMOSCompatible Process: A Promising Game Chang
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氮化镓 电力电子芯片
在当今能效需求日益增长的时代背景下，家电及HVAC系统的设计师们正全力以赴地追求更高的能效标准。与此同时，他们也积极响应消费者对可靠、静音、紧凑且经济实用的系统的期待。市场上的主要设计挑战在于，如何在不增加系统成本的前提下，设计并开发出更为小巧、高效且经济适用的电机驱动器。这一挑战要求设计师们不断创新，以实现能效与实用性的完美结合。基于以上背景，德州仪器（TI）再次走在行业前沿，通过其最新发布的DRV7308氮化镓（GaN）智能功率模块（IPM），为高压电机驱动系统带来了革命性的改变。近日，德州仪器在发布
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德州仪器 TI 氮化镓 IPM 智能电源模块
650V 智能电源模块 (IPM)集成了德州仪器的氮化镓 (GaN) 技术，助力家电和暖通空调（HVAC）系统逆变器达到99%以上效率。得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了对外部散热器的需求，工程师可以将解决方案尺寸缩减多达 55%。中国上海（2024 年 6 月 18 日）– 德州仪器 (TI)（纳斯达克股票代码：TXN）推出了适用于 250W 电机驱动器应用的先进 650V 三相 GaN IPM。这款全新的 GaN IPM 解决了工程师在设计大型家用电器及加热、通风和空调 (HVAC) 系统时通
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德州仪器 TI 氮化镓 IPM 智能电源模块
氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同，本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构，再对增强型和耗尽型的氮化镓HEMT结构进行对比，总结结构不同决定的部分特性。此外，对氮化镓功率器件的外延工艺以及功率器件的工艺进行描述，加深对氮化镓功率器件的工艺技术理解。在理解氮化镓功率器件结构和工艺的基础上，对不同半导体材料的特性、不同衬底材料的氮化镓HEMT进行对比说明。一、器件结构与制造工艺（一）器件结构对比GaN
HEMT是基于AlGaN/GaN异质结，目前市面上还未出现G
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氮化镓 GaN 结构 制造工艺
氮化镓 (GaN) 半导体在 20 世纪 90 年代初首次作为高亮度蓝色发光二极管 (LED) 投入商业应用，随后成为蓝光光盘播放器的核心技术。自此以后虽已取得长足进步，但在将近二十年后，该技术才因其高能效特性而在场效应晶体管 (FET) 上实现商业可行性。氮化镓目前是半导体行业增长最快的细分市场之一，复合年增长率估计在 25% 至 50% 之间，其驱动力来自对能效更高设备的需求，以期实现可持续发展和电气化目标。与硅晶体管相比，氮化镓晶体管可以设计出体积更小、效率更高的器件。氮化镓最初
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ADI 氮化镓 功率元件
作为第三代半导体两大代表材料，SiC产业正在火热发展，频频传出各类利好消息；GaN产业热度也正在持续上涨中，围绕新品新技术、融资并购合作、项目建设等动作，不时有新动态披露。在关注度较高的扩产项目方面，上个月，能华半导体张家港制造中心（二期）项目在张家港经开区再制造基地正式开工建设。据悉，能华半导体张家港制造中心（二期）项目总投资6000万元，总建筑面积约10000平方米，将新建GaN外延片产线。项目投产后，将形成月产15000片6英寸GaN外延片的生产能力。而在近日，又有一个GaN外延片项目取得新进展。5
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碳化硅 氮化镓 化合物半导体
深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations近日宣布达成协议，收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商Odyssey Semiconductor Technologies的资产。这项交易预计将于2024年7月完成，届时Odyssey的所有关键员工都将加入Power Integrations的技术部门。此次收购将为该公司专有的PowiGaN™技术的持续开发提供有力支持。PowiGaN技术已广泛应用于该公司的众多产品系列，包括InnoSwitch™ IC、HiperPFS
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近日，Transphorm与伟诠电子宣布推出两款新型系统级封装氮化镓（GaN）器件（SiP），与去年推出的伟诠电子旗舰GaN SiP一起，组成首个基于Transphorm SuperGaN平台的系统级封装GaN产品系列。新推出的两款SiP器件型号分别为WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了伟诠电子的高频多模（准谐振/谷底开关）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。与上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，两
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功率半导体 氮化镓 GaN
全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.与适配器USB PD控制器集成电路的全球领导者Weltrend Semiconductor Inc.近日宣布推出两款新型系统级封装氮化镓器件（SiP），与去年推出的伟诠电子旗舰氮化镓 SiP 一起，组成首个基于Transphorm SuperGaN®平台的系统级封装氮化镓产品系列。新推出的两款SiP器件型号分别为WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了伟诠电子的高频多模（准谐振/谷底开关）反激式PWM控制器和T
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《科技日报》19日报导，电子科技大学信息与量子实验室透露，该实验室研究团队近日与北京清华大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所合作，在国际上首次研制出氮化镓量子光源芯片，这也是电子科技大学「银杏一号」城域量子互联网研究平台，取得的又一项重要进展，相关成果发表在《物理评论快报》上。据了解，量子光源芯片是量子互联网的核心器件，可以看作点亮「量子房间」的「量子灯泡」，让互联网使用者拥有进行量子信息交互的能力。研究团队通过迭代电子束曝光和干法刻蚀工艺，攻克了高质量氮化镓晶体薄膜生长、波导侧壁与表面散射损耗等技
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氮化镓 量子光源
据天府绛溪实验室官微消息，近日，电子科技大学信息与量子实验室、天府绛溪实验室量子互联网前沿研究中心与清华大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所合作，在国际上首次研制出氮化镓量子光源芯片，这是电子科技大学“银杏一号”城域量子互联网研究平台取得的又一项重要进展，也是天府绛溪实验室在关键核心技术领域取得的又一创新成果。据悉，研究团队通过迭代电子束曝光和干法刻蚀工艺，攻克高质量氮化镓晶体薄膜生长、波导侧壁与表面散射损耗等技术难题，在国际上首次将氮化镓材料运用于量子光源芯片。目前，量子光源芯片多使用氮化硅等材料
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氮化镓 量子光芯片
Cascode GaN FET 动态测试面临的挑战 Cascode GaN FET 比其他类型的 GaN 功率器件更早进入市场，因为它可以提供常关操作并具有更宽的栅极驱动电压范围。然而，电路设计人员发现该器件在实际电路中使用起来并不那么容易，因为它很容易发生振荡，并且其器件特性很难测量并获得可重复的提取。许多设计人员在电路中使用大栅极电阻时必须减慢器件的运行速度，这降低了使用快速 GaN 功率器件的优势。图 1 显示了关断时的发散振荡。图 2 显示了导通时的大栅极电压振铃。两者都与图 3 所示的 Cas
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氮化镓介绍
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