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西电广研团队攻克1200V以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术
7月12日消息,近日,西安电子科技大学广州研究院第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授课题组李祥东团队在蓝宝石基增强型e-GaN电力电子芯片量产技术研发方面取得突破性进展。研发成果6英寸增强型e-GaN电力电子芯片以“p-GaN Gate HEMTs on 6 Inch Sapphire by CMOSCompatible Process: A Promising Game Chang
关键字:
氮化镓
电力电子芯片
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