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氮化镓资讯

10KV氮化镓器件全新技术方案

一种基于等离子体的简易边缘终端技术，成功制备出横向结构 10 千伏级氮化镓二极管。在电力电子领域的一众半导体技术中，氮化镓（GaN）已取得显著成功。这种材料在需要承受数百伏电压、同时实现极低功耗的场景中，性能无可匹敌。凭...

10KV 氮化镓 2026-05-14

中国宽禁带芯片企业发展分化：氮化镓射频高歌猛进，碳化硅盈利承压

2026 年一季度，中国宽禁带半导体产业（涵盖碳化硅 SiC与氮化镓 GaN）业绩分化明显。受 5G 基站建设、电动汽车车载充电机（OBC）强劲需求拉动，氮化镓射频（GaN RF）企业营收大涨；反观碳化硅功率器件厂商，受...

宽禁带氮化镓 2026-05-14

氮化镓+MCU赋能高效OBC：大联大诠鼎与英飞凌共探车载电源新趋势

2026年5月11日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股旗下诠鼎集团宣布，携手英飞凌成功举办“CoolGaN™车规级氮化镓与AURIX™ TC4x 在车载OBC电源解决方案”线上研讨会。本次活...

氮化镓 MCU 2026-05-11

英诺赛科宣布 ITC 裁决胜诉：现有氮化镓器件未侵权，美国出货不受影响

针对与德国芯片厂商英飞凌的专利纠纷，英诺赛科于 5 月 8 日发布新闻稿宣布，美国国际贸易委员会（ITC）在第 337‑TA‑1414 号调查中作出最终裁定，确认英诺赛科当前在售氮化镓（GaN）功率器件未侵犯英飞凌专利，...

英诺赛科 ITC 2026-05-11

中国GaN半导体巨头专利侵权案ITC作出终裁

美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会维持了其于2025年12月作出的初步裁定，确认英诺赛科（Innoscience）侵犯了英飞凌的一项氮化镓（GaN）技术专利，并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。不过，ITC委员会的最...

GaN 氮化镓 2026-05-08

意法半导体集成保护功能的氮化镓栅极驱动器

意法半导体（STMicroelectronics）推出两款半桥氮化镓（GaN）栅极驱动器，专为电源转换与运动控制系统的高速开关应用设计。产品通过在单芯片内集成核心控制与保护功能，助力实现更紧凑、更高效的系统方案。对于从事...

运动控制电源 2026-04-14

氮化镓专栏

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氮化镓资料

氮化镓论坛

07-19 氮化镓已为数字电源控制应用做好准备

TI宣传员|浏览：1133|回复：0| TI宣传员 2022-07-19 10:58:24

06-20 用集成驱动器优化氮化镓性能

TI宣传员|浏览：1304|回复：0| TI宣传员 2022-06-20 10:47:31

06-20 氮化镓已为数字电源控制做好准备

TI宣传员|浏览：1614|回复：6| wayaj 2022-06-20 13:19:10

06-15 集成氮化镓改变了传统的智慧吗？

TI宣传员|浏览：1192|回复：2| 友蒂德 2022-06-16 10:06:02

05-05 用氮化镓重新考虑功率密度

TI宣传员|浏览：3143|回复：21| jwdxu2009 2022-05-08 13:06:18

04-24 从传统伺服电机应用到新型机器人：TI氮化镓、电容隔离和Fly-buck技术助你提高功率密度

TI宣传员|浏览：1496|回复：0| TI宣传员 2022-04-24 12:39:32

04-14 【转】氮化镓FET相比MOSFET有什么优势？

浮沉1988|浏览：3049|回复：3| Dummer3 2022-04-14 23:38:50

04-12 【转】6吋氮化镓单晶面世！关键技术揭秘

浮沉1988|浏览：2230|回复：5| 船长demons 2022-04-12 23:18:38

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氮化镓芯片到底是怎么做的呢？

氮化镓给生活带来怎样的便利

氮化镓的技术日渐壮大

半导体“黑科技”：氮化镓（GaN）是何物？

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