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氮化镓资讯

薄 p 型氮化镓欧姆接触的制备

日、美、中多国研究团队提出一种改进工艺：通过沉积超薄镁（Mg）层并进行短时热退火，实现薄 p 型氮化镓（p‑GaN）欧姆接触。该研究团队由名古屋大学、康奈尔大学、伊利诺伊大学厄巴纳‑香槟分校、麻省理工学院、香港城市大学以...

氮化镓欧姆 2026-08-28

受数据中心、电动汽车与工业系统拉动，功率氮化镓器件市场年复合增长率 35%

据 Yole 集团年度报告《功率氮化镓 2026》，过去数年间功率氮化镓（GaN）在消费级快充充电器领域完成技术验证，但这一发展阶段即将落幕。氮化镓现已迈入多市场广泛应用周期，AI 数据中心、电动汽车、工业系统以及可再生...

功率氮化镓 2026-08-25

创新立足需求技术落地价值英飞凌深耕中国助推产业升级

2026年作为“十五五”开局之年，我国产业发展迈入高效化、低碳化、智能化的全新迭代周期，智能网联新能源汽车、算电协同、新型电力系统、具身智能等新赛道不断崛起，半导体作为产业数字化与电气化融合的核心纽带，战略价值持续凸显。...

英飞凌英飞凌2026媒体日 2026-08-10

MIT用激光与超快X射线看清芯片内部热流：微米褶皱让传热骤降4倍

MIT 的研究团队把激光加热与超快 X 射线结合在一起，第一次在实验中看清热量如何穿过多层材料和界面流动，并且能定位到单个微米级的缺陷。这项方法针对的是电子器件里一个长期被低估的问题：当芯片越堆越薄、越叠越多层，表面平均...

MIT X射线 2026-08-07

Power Integrations推出面向新一代高压电力系统的2200V氮化镓技术

加利福尼亚州圣何塞——2026年8月5日：专注于高能效电源转换高压集成电路研发Power Integrations（纳斯达克代码：POWI，简称PI），今日宣布其PowiGaN™氮化镓（GaN）技术额定电压已提升至220...

PowerIntegrations AI数据中心 2026-08-06

氮化镓增强型GaN晶体管结构简介

氮化镓晶体管内部构造简介GaN 氮化镓晶体管（HEMT）的基本结构如下图1所示，以 GaN/AlGaN 异质结为主体，在AlGaN/ GaN的异质结界面处，由于氮化镓材料的自发极化效应与压电极化效应，形成了一层高电子浓度...

英飞凌氮化镓 2026-07-28

氮化镓专栏

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氮化镓资料

氮化镓论坛

07-19 氮化镓已为数字电源控制应用做好准备

TI宣传员|浏览：1260|回复：0| TI宣传员 2022-07-19 10:58:24

06-20 用集成驱动器优化氮化镓性能

TI宣传员|浏览：1466|回复：0| TI宣传员 2022-06-20 10:47:31

06-20 氮化镓已为数字电源控制做好准备

TI宣传员|浏览：1797|回复：6| wayaj 2022-06-20 13:19:10

06-15 集成氮化镓改变了传统的智慧吗？

TI宣传员|浏览：1373|回复：2| 友蒂德 2022-06-16 10:06:02

05-05 用氮化镓重新考虑功率密度

TI宣传员|浏览：3651|回复：21| jwdxu2009 2022-05-08 13:06:18

04-24 从传统伺服电机应用到新型机器人：TI氮化镓、电容隔离和Fly-buck技术助你提高功率密度

TI宣传员|浏览：1666|回复：0| TI宣传员 2022-04-24 12:39:32

04-14 【转】氮化镓FET相比MOSFET有什么优势？

浮沉1988|浏览：3263|回复：3| Dummer3 2022-04-14 23:38:50

04-12 【转】6吋氮化镓单晶面世！关键技术揭秘

浮沉1988|浏览：2527|回复：5| 船长demons 2022-04-12 23:18:38

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氮化镓给生活带来怎样的便利

氮化镓的技术日渐壮大

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