九峰山实验室推出全国首个100nm高性能氮化镓流片PDK平台

近日，九峰山实验室发布国内首个100 nm硅基氮化镓商用工艺设计套（PDK），性能指标达到国内领先、国际一流水平。

作为全球第二个、国内首个商用方案，其技术指标可支撑高通量Ku/Ka频段低轨卫星通信，能够满足下一代移动通信、商用卫星通信与航天领域、车联网及工业物联网、手机终端等多领域对高频、高功率、高效率氮化镓器件的需求，推动我国相关领域器件从“进口替代”迈向“技术输出”。

PDK（Process Design Kit，工艺设计套件）是半导体制造中不可或缺的工具包。它为芯片设计者提供工艺参数、器件模型、设计规则等关键信息，快速实现从电路设计到实际制造的转化，是连接芯片设计与制造的“桥梁”。

近年来，随着人们对高速率、低延迟通信需求的急剧增长，通信技术正经历着快速迭代。在这一背景下，市场对高性能氮化镓（GaN）器件的需求显著提升。其中硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术凭借其高效率、高功率和高频率的优异性能，同时兼具硅基大尺寸、低成本的优势，成为高频高通量通信领域（如商用卫星通信）最具潜力的主流解决方案之一，也是全球各国竞相争夺的技术高地。

九峰山实验室发布的这款PDK是国内首个100 nm硅基氮化镓商用工艺设计套（PDK），已获得多项自主知识产权。其核心技术优势体现在：

1、跨代际开发

为满足高通量卫星通信等场景对更高传输速率和更大带宽的需求，跳过150 nm以下节点，采用100 nm栅长技术，显著提升器件的截止频率，使其能够覆盖DC到Ka波段的毫米波频段应用。

2、高性能

通过外延和器件结构设计，有效降低电流崩塌，减小接触电阻，提高器件效率，这一系列技术突破使应用终端在功耗和功率密度方面得到显著提升。

3、低成本

硅基氮化镓技术既结合了氮化镓材料的高频、高功率和高效率性能优势，又兼具硅基价格优势，未来，该技术可向8寸及以上大尺寸拓展，与CMOS工艺兼容，实现成本的进一步降低。