- 随着AI数据中心的快速发展、电动汽车的日益普及，以及全球数字化和再工业化趋势的持续，预计全球对电力的需求将会快速增长。为应对这一挑战，英飞凌科技股份公司近日推出EasyPACK™ CoolGaN™ 650 V晶体管模块，进一步扩大其持续壮大的氮化镓（GaN）功率产品组合。该模块基于Easy Power Module平台，专为数据中心、可再生能源系统、直流电动汽车充电桩等大功率应用开发。它能满足日益增长的高性能需求，提供更大的易用性，帮助客户加快设计进程，缩短产品上市时间。英飞凌EasyPACK™英飞凌科技
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英飞凌 EasyPACK CoolGaN 功率模块 氮化镓
- 由于市场对于音频设备的紧凑、轻便、高集成度和节能的需求越来越高，领先的音频设备制造商在不断提高音质的同时，也在努力满足这一需求。另外，他们还必须实现无缝连接、保证成本效益，并提供对用户友好的功能，这使得音频产品的开发变得更加复杂。为了解决这些难题，SounDigital在其全新1500 W D类放大器中集成了英飞凌科技股份公司的 CoolGaN™晶体管，支持800 kHz开关频率和五个通道，借助英飞凌先进的氮化镓（GaN）技术，将其能效提升了 5%，能量损耗降低了 60%。采
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英飞凌 CoolGaN 功率晶体管 SounDigital 放大器
- 前言人工智能（AI）的迅猛发展推动了数据中心处理能力的显著增长。如图1所示，英飞凌预测单台GPU的功耗将呈指数级上升，预计到2030年将达到约2000W [1] ，而AI服务器机架的峰值功耗将突破惊人的300kW。这一趋势促使数据中心机架的AC和DC配电系统进行架构升级，重在减少从电网到核心设备的电力转换和配送过程中的功率损耗。图2（右）展示了开放计算项目（OCP）机架供电架构的示例。每个电源架由三相输入供电，可容纳多台PSU；每台PSU由单相输入供电。机架将直流电压（例如，50V）输
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- 过去几十年间，人口和经济活动的快速增长推动了全球能源消耗的稳步增长，并且预计这一趋势还将持续。这种增长是线下与线上活动共同作用的结果。因此，数据中心的快速扩张显著增加了全球电力需求。据估计，2022 年全球数据中心耗电量约为240-340 太瓦时（TWh）。近年来，全球数据中心的能源消耗以每年20-40% 的速度持续增长[1]。图1 1910年以来全球二氧化碳排放量（单位：千兆吨）：总量（上）；按行业划分（下）随着能源消耗的增加，相关的二氧化碳排放量也在2022年达到创纪录的37 千兆吨。为应对这一问题，
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- 随着液晶屏幕技术的成熟，当下市场主打美观又轻便的超薄TV电视，同时要求提供超清画质。常见的超薄电视厚度在20毫米左右，因此市场也对TV电源提出更轻薄、更高效的需求。SAC推出的200W TV电源参考设计，主控采用Infineon PFC+LLC二合一IC IDP2308，高集成度数字控制，内置3颗Infineon CoolGaN™ 650 V G5 family氮化镓芯片。该方案可以直接嵌入电视内部，减小电视整机体积，简洁美观，轻薄增效。本方案除了支持TV电源外，还可以在电脑一体机、高端LED电源中应用，
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- 直流-直流（DC-DC）转换器在电动汽车和混合动力汽车中都是必不可少的，用于连接高压电池和低压辅助电路。这包括12 V电源的前大灯、车内灯、雨刮和车窗电机、风扇，以及48 V电源的泵、转向驱动装置、照明系统、电加热器和空调压缩机。此外，DC-DC转换器对于开发更多具有低压功能的经济节能车型也十分重要。TechInsights1的数据显示，2023年全球汽车DC-DC转换器的市场规模为40亿美元，预计到2030年将增长至110亿美元，预测期内的复合年增长率为 15%。其中，氮化镓（GaN）发挥着至
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- 消费电子和工业应用领域正呈现出便携化、电气化、轻量化等多样化的发展趋势。而这些趋势都需要紧凑高效的设计，同时还需采用非常规 PCB设计，此类设计面临严格的空间限制，从而限制了外部元件的使用。为应对这些挑战，英飞凌科技股份公司近日推出CoolGaN™ Drive产品系列，进一步丰富了其氮化镓（GaN）产品组合。该产品系列包括CoolGaN™ Drive 650 V G5 单开关（集成了一个晶体管和栅极驱动器，采用PQFN 5x6和PQFN 6x8 封装）和CoolGa
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英飞凌 CoolGaN Drive 集成驱动器 单开关 半桥
- 全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出全新CoolGaN™晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓（GaN）产品相比，该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%，从而提高效率，降低功率损耗，并提供了更具成本效益的解决方案。凭借电气特性与封装的优势结合，它们能够在消费类充电器和笔记本适配器、数据中心电源、可再生能源逆变器、电池存储等众多应用中发挥出色的性能。该产品系列包含13款器件，额定电压为700 V、导通电阻范围在20 mΩ至315 mΩ之间。由于器件规格粒度增多，再
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英飞凌 CoolGaN 功率晶体管
- 英飞凌科技股份公司近日推出新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓（GaN）的应用范围扩大到40 V至700 V电压，进一步推动数字化和低碳化进程。在马来西亚居林和奥地利菲拉赫，这两个产品系列采用英飞凌自主研发的高性能 8 英寸晶圆工艺制造。英飞凌将据此扩大CoolGaNTM的优势和产能，确保其在GaN器件市场供应链的稳定性。据Yole Group预测，未来五年GaN器件市场的年复合增长率（CAGR）将达到46%。英飞凌科技电源与传感系统事
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- 英飞凌科技股份公司近日推出两项全新的CoolGaN™产品技术：CoolGaN™双向开关（BDS）和CoolGaN™ Smart Sense。CoolGaN™ BDS拥有出色的软开关和硬开关性能，提供40 V、650 V 和 850 V电压双向开关，适用于移动设备USB端口、电池管理系统、逆变器和整流器等。CoolGaN™ Smart Sense 产品具有无损电流检测功能，简化了设计并进一步降低了功率损耗，同时将各种晶体管开关功能集成到一个封装中，适用于消费类USB-
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