在电机控制设计中,工程师们始终面临一个经典难题:如何在有限的空间内,实现更高的效率、更低的温升和更优的动态响应?传统硅基MOSFET方案受限于开关速度与损耗,往往不得不在性能与体积之间妥协。如今,英飞凌CoolGaN™低压氮化镓晶体管与全新PSOC™ Control C3微控制器的组合,为低压电机控制带来了系统级的突破——更小、更冷、更静、更快。从器件到系统:CoolGaN™的价值飞轮与硅基MOSFET相比,CoolGaN™低压GaN晶体管在器件层面具备显著优势:更低的导通电阻(RDS(on))与输出电荷
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低压氮化镓晶体管
低压电机控制
【2026年3月31日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出两款全新高压中间总线转换器（HV IBC）参考设计，帮助客户加速向±400 V和800 V直流（VDC）供电的AI服务器电源架构转型。这些参考设计采用英飞凌的650 V CoolGaN™开关，专为追求更高机架功率、更低配电损耗、更优散热性能的超大规模云服务提供商、电源架构提供商与服务器OEM厂商所设计。 英飞凌高压中间总线转换器（H
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AI数据中心
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IBC
参考设计
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出CoolGaN™ Drive HB 600 V G5产品系列，进一步扩大了其CoolGaN™产品组合。四款新产品IGI60L1111B1M、IGI60L1414B1M、IGI60L2727B1M和IGI60L5050B1M均采用半桥配置并在其中集成了两个600V氮化镓（GaN）开关，带有高低侧栅极驱动器与自举二极管，提供紧凑且散热优化的功率级，进一步降低设计复杂度。通过将诸多关键功能集成到一个
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集成式半桥
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Drive HB
氮化镓
简介英飞凌正式推出CoolGaN 100V G1系列车规级晶体管，并开始提供符合AEC-Q101汽车应用标准的预量产样品，包括CoolGaN高压（HV）车规级晶体管及多种双向开关。此举彰显了英飞凌为满足汽车行业不断变化的需求而持续提供创新解决方案的承诺——包括从适用于低压车载信息娱乐系统的新型100V GaN晶体管，到面向未来车载充电器和牵引逆变器的高压产品解决方案。 产品特色AEC-Q101 获得资格100 V e模功率晶体管双侧冷却封装无反向回收装药超低功绩 产品优点同级最佳功率密
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全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日宣布与领先的快充电源设备制造商安克（Anker）扩大合作，共同开发新一代高速充电器，实现高达 160W 功率的输出，同时保持紧凑、便携的口袋级尺寸。这一合作成果正在重新定义高功率密度和高效率的行业标准，尤其体现在安克推出的 160W Prime 充电器上。这款业界领先的设备采用英飞凌最新的 XDP™ 数字控制器以及基于氮化镓（GaN）的 CoolGaN™ 晶体管技术，
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反激式控制器
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安克
Prime充电器
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司为环隆科技股份有限公司（UMEC）提供CoolGaN™功率晶体管，应用于其新型250 W网络以太网供电（PoE）适配器。英飞凌CoolGaN™晶体管具备极高的可靠性和卓越的性能，助力环隆科技开发更安全且高效节能的技术，以应对当今电力系统的多重挑战。这些解决方案广泛适用于电信、工业电子、医疗健康技术、消费电子等多个行业的电力电子应用。环隆科技250W适配器基于氮化镓（GaN）的功率器件具备更高的效率，能有效减少热量产生与能源消耗。这类器件可在更高频率与
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环隆科技
PoE
以太网供电
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出了一款能够主动双向阻断电压和电流的氮化镓（GaN）开关——650V CoolGaN™ G5双向开关（BDS）。该产品采用共漏极设计和双栅极结构，是一款使用英飞凌强大栅极注入晶体管（GIT）技术和CoolGaN™技术的单片双向开关，能够有效替代转换器中常用的传统背靠背开关。650V CoolGaN™ G5双向开关这款CoolGaN™双向开关能够为功率转换系统带来多项关键优势。它通过将两个开关集成到一个器件中，简化了循环转换器拓扑结构的设计，实现
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G5双向开关
随着AI数据中心的快速发展、电动汽车的日益普及，以及全球数字化和再工业化趋势的持续，预计全球对电力的需求将会快速增长。为应对这一挑战，英飞凌科技股份公司近日推出EasyPACK™ CoolGaN™ 650 V晶体管模块，进一步扩大其持续壮大的氮化镓（GaN）功率产品组合。该模块基于Easy Power Module平台，专为数据中心、可再生能源系统、直流电动汽车充电桩等大功率应用开发。它能满足日益增长的高性能需求，提供更大的易用性，帮助客户加快设计进程，缩短产品上市时间。英飞凌EasyPACK™英飞凌科技
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功率模块
氮化镓
前言人工智能（AI）的迅猛发展推动了数据中心处理能力的显著增长。如图1所示，英飞凌预测单台GPU的功耗将呈指数级上升，预计到2030年将达到约2000W [1] ，而AI服务器机架的峰值功耗将突破惊人的300kW。这一趋势促使数据中心机架的AC和DC配电系统进行架构升级，重在减少从电网到核心设备的电力转换和配送过程中的功率损耗。图2（右）展示了开放计算项目（OCP）机架供电架构的示例。每个电源架由三相输入供电，可容纳多台PSU；每台PSU由单相输入供电。机架将直流电压（例如，50V）输
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随着液晶屏幕技术的成熟，当下市场主打美观又轻便的超薄TV电视，同时要求提供超清画质。常见的超薄电视厚度在20毫米左右，因此市场也对TV电源提出更轻薄、更高效的需求。SAC推出的200W TV电源参考设计，主控采用Infineon PFC+LLC二合一IC IDP2308，高集成度数字控制，内置3颗Infineon CoolGaN™ 650 V G5 family氮化镓芯片。该方案可以直接嵌入电视内部，减小电视整机体积，简洁美观，轻薄增效。本方案除了支持TV电源外，还可以在电脑一体机、高端LED电源中应用，
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直流-直流（DC-DC）转换器在电动汽车和混合动力汽车中都是必不可少的，用于连接高压电池和低压辅助电路。这包括12 V电源的前大灯、车内灯、雨刮和车窗电机、风扇，以及48 V电源的泵、转向驱动装置、照明系统、电加热器和空调压缩机。此外，DC-DC转换器对于开发更多具有低压功能的经济节能车型也十分重要。TechInsights1的数据显示，2023年全球汽车DC-DC转换器的市场规模为40亿美元，预计到2030年将增长至110亿美元，预测期内的复合年增长率为 15%。其中，氮化镓（GaN）发挥着至
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DC-DC转换器
消费电子和工业应用领域正呈现出便携化、电气化、轻量化等多样化的发展趋势。而这些趋势都需要紧凑高效的设计，同时还需采用非常规 PCB设计，此类设计面临严格的空间限制，从而限制了外部元件的使用。为应对这些挑战，英飞凌科技股份公司近日推出CoolGaN™ Drive产品系列，进一步丰富了其氮化镓（GaN）产品组合。该产品系列包括CoolGaN™ Drive 650 V G5 单开关（集成了一个晶体管和栅极驱动器，采用PQFN 5x6和PQFN 6x8 封装）和CoolGa
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集成驱动器
单开关
半桥
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出全新CoolGaN™晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓（GaN）产品相比，该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%，从而提高效率，降低功率损耗，并提供了更具成本效益的解决方案。凭借电气特性与封装的优势结合，它们能够在消费类充电器和笔记本适配器、数据中心电源、可再生能源逆变器、电池存储等众多应用中发挥出色的性能。该产品系列包含13款器件，额定电压为700 V、导通电阻范围在20 mΩ至315 mΩ之间。由于器件规格粒度增多，再
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功率晶体管
英飞凌科技股份公司近日推出新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓（GaN）的应用范围扩大到40 V至700 V电压，进一步推动数字化和低碳化进程。在马来西亚居林和奥地利菲拉赫，这两个产品系列采用英飞凌自主研发的高性能 8 英寸晶圆工艺制造。英飞凌将据此扩大CoolGaNTM的优势和产能，确保其在GaN器件市场供应链的稳定性。据Yole Group预测，未来五年GaN器件市场的年复合增长率（CAGR）将达到46%。英飞凌科技电源与传感系统事
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英飞凌科技股份公司近日推出两项全新的CoolGaN™产品技术：CoolGaN™双向开关（BDS）和CoolGaN™ Smart Sense。CoolGaN™ BDS拥有出色的软开关和硬开关性能，提供40 V、650 V 和 850 V电压双向开关，适用于移动设备USB端口、电池管理系统、逆变器和整流器等。CoolGaN™ Smart Sense 产品具有无损电流检测功能，简化了设计并进一步降低了功率损耗，同时将各种晶体管开关功能集成到一个封装中，适用于消费类USB-
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