由于市场对于音频设备的紧凑、轻便、高集成度和节能的需求越来越高，领先的音频设备制造商在不断提高音质的同时，也在努力满足这一需求。另外，他们还必须实现无缝连接、保证成本效益，并提供对用户友好的功能，这使得音频产品的开发变得更加复杂。为了解决这些难题，SounDigital在其全新1500 W D类放大器中集成了英飞凌科技股份公司的 CoolGaN™晶体管，支持800 kHz开关频率和五个通道，借助英飞凌先进的氮化镓（GaN）技术，将其能效提升了 5%，能量损耗降低了 60%。采
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英飞凌 CoolGaN 功率晶体管 SounDigital 放大器
作为宽禁带半导体，氮化镓（GaN）以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成为现代功率电子领域的新宠。然而，GaN器件的高速开关行为也对PCB布局设计提出了巨大挑战。因此想要充分发挥GaN的潜力，我们必须理解和管理PCB布局产生的寄生阻抗，确保电路正常、可靠地运行，并且不会引起不必要的电磁干扰（EMI）。《优化HV CoolGaN™功率晶体管的PCB布局》应用指南 ，主要讨论了在使用高压氮化镓（GaN）功率晶体管时，如何通过优化PCB布局来提升整体电气性能和热性能。以下是文件的核心内容提炼：1引言高
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英飞凌 功率晶体管 PCB布局
Si MOSFET 正常工作的驱动电路。关于制造商的应用说明和电路图的一般性说明：除少数例外，这些都不适合任何系列生产。基本上，驱动电路必须对栅极输入电容进行充电和放电，但这不是恒定的。当晶体管从 OFF 切换到 ON 或从 ON 切换到 OFF 时，晶体管将跨越其线性区域。由于 MOSFET 和 JFET 的跨导非常高，漏极和栅极之间的电容将成倍增加。因此，驱动器在跨越线性区域时将承受严重负载，这会导致栅极电压保持在稳定状态。因此，除非驱动器可以提供几安培的电流，否则开关速度将大大减慢。如此强大的输出级
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全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出全新CoolGaN™晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓（GaN）产品相比，该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%，从而提高效率，降低功率损耗，并提供了更具成本效益的解决方案。凭借电气特性与封装的优势结合，它们能够在消费类充电器和笔记本适配器、数据中心电源、可再生能源逆变器、电池存储等众多应用中发挥出色的性能。该产品系列包含13款器件，额定电压为700 V、导通电阻范围在20 mΩ至315 mΩ之间。由于器件规格粒度增多，再
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我是小七，干货满满。大家不要错过，建议收藏，错过就不一定找得到了，内容仅供参考，图片记得放大，观看。如果有什么错误或者不对，请各位大佬多多指教。今天给大家分享的是：TIP147一、TIP147是什么管？TIP147 是采用单片达林顿配置的硅外延基 PNP 功率晶体管，专为通用放大器和低频开关应用而设计，适用于电源线性和开关应用。TIP147实物图二、TIP147 引脚图TIP147 引脚图TIP147 引脚功能图三、TIP147 CAD 模型1、TIP147电路符号TIP147 符号2、TIP1
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MACOM Technology Solutions Inc.(“MACOM”)今日宣布推出一款开发工具包，旨在帮助商业OEM快速、轻松地调整其产品设计，以将基于氮化镓的射频能量源融合到烹饪、照明、工业加热/烘干、医疗/制药和汽车点火系统等各种应用之中。商业OEM将固态射频能量作为高效、精确的能源，可使未来几代产品实现全新的性能水平和承受能力。 MACOM的全新射频能量工具包(测试版)现已推出，可帮助系统设计人员简化和加快产品开发，使其能够轻松微调射频能量输出水平，从而
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Maxim推出双通道RF LDMOS偏置控制器MAX1385/MAX1386*/MAX11008。这些高度集成的器件采用7mm x 7mm封装，是业内最小的、集成了蜂窝基站控制所需的所有模拟至数字(A/D)、数字至模拟(D/A)接口以及逻辑功能的LDMOS偏置
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宜普电源转换公司(EPC)宣布推出450 V并通常处于断开状态的增强型功率晶体管(EPC2027)，可用于需要高频开关的应用，从而实现更高的效率及功率密度。受惠于采用高压并具备更快速开关特性的器件的应用包括超高频直流-直流转换器、医疗诊断仪器、太阳能功率逆变器及发光二极管照明等应用。
EPC2027器件具备450 V额定电压、400 mΩ最高导通电阻(RDS(on))及4 A输出电流。器件使用含焊条的钝化晶片，从而可以实现高效散热及易于组装。EPC2027器件的尺寸是1.95毫米 x 1.95毫
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宜普电源转换公司宣布推出60 V增强型单片半桥式氮化镓晶体管(EPC2101)。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为单个器件，可以除去互连电感及电路板上元件之间所需的空隙，使得晶体管的占板面积减少50%。结果是增加效率(尤其是在更高频率时)及提高功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。EPC2101最理想的应用领域是高频直流-直流转换。
在EPC2101半桥式元件内，每一个器件的额定电压是60 V。 上面的场效应晶体管的导通电阻(RDS(on))典型值是8.4 mΩ，
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意法半导体的13.6MHz RF功率晶体管STAC250V2-500E具有市场领先的稳定性和高功率密度 (power density) 。采用热效率 (thermally efficient) 极高的微型封装，可用于大输出功率的E级工业电源。
STAC250V2-500E的负载失匹率 (load-mismatch) 为20:1，处于市场最高水平，最大安全功率高达600W。与采用传统陶瓷封装的解决方案相比，0.55x1.35吋STAC® 气室封装 (air-cavity package)
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宜普电源转换公司可帮助参赛者于谷歌与IEEE合办的「Little Box Challenge」公开赛通过采用氮化镓(eGaN®)功率晶体管设计出超小型功率逆变器以胜出该挑战赛。
宜普电源转换公司宣布全力支持参加谷歌与IEEE合办的「Little Box Challenge」公开赛的工程师创建更小体积的功率逆变器并赢取100万美元奖金。由于氮化镓场效应晶体管 (eGaN®FET)具有可处理高功率功能、超快开关速度及小尺寸等优势，因此它是功率逆变器的理想晶体管。
「Little
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致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 扩大其基于碳化硅衬底氮化镓(GaN on SiC)技术的射频(RF)晶体管系列，推出新型S波段 500W RF器件2729GN-500，新器件瞄准大功率空中交通管制机场监视雷达(ASR)应用，ASR用于监视和控制在机场大约100英里范围的飞机。
在2.7 至2.9 GHz频段上，2729GN-500晶体管具有无与伦比的500
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随着油电混合车和电动车技术的演进，逆变器驱动技术已经进入汽车领域，从空调机和加热系统等低功率应用，一直到驱动和再生制动系统等高功率应用，所有这些系统的共通点是需要通过保护逆变器设计中的功率开关晶体管来
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随着电子技术的不断发展和新型元器件的问世，开关电源以其体积小、重量轻、效率高、对电网电压适应范围...
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功率晶体管 二次击穿 防护
按IC Insight报道,在2009年下降16%之后, 全球功率晶体管销售额在2010年有望增长31%,达到创记录的109,6亿美元。自从功率晶体管在2000年达到创记录的增长32%后,此次的31%的增长也是相当亮丽。
IC Insight预测, 功率晶体管市场在2014年将达到145亿美元, 而2009年为84亿美元, 表示年均增长率CAGR达12%,并预计未来5年内出货量的CAGR达到14%, 从2009年的371亿个增加到713亿个。
在电池操作的移动电子产品增长以及全球更强调电子
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功率晶体管介绍
耗散功率在 1瓦以上的晶体管。在电力电子器件中为一大类，包括双极型功率晶体管、功率场效应晶体管、功率静电感应晶体管、隔离栅晶体管、复合晶体管等。通常，功率晶体管是双极型功率晶体管的简称。
制造功率晶体管用的半导体材料多为单晶硅（也有用锗或砷化镓的）。器件的心片通常装在散热良好的金属块上。功率晶体管往往做成功率集成器件，其一个器件的心片上就含有数十个乃至上万个并联的晶体管单元。
功率晶体 [
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