- 在中国中,电源|稳压器管理IC仍旧占据市场首要位置,(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)位于第二位,大功率晶体管位于第三位,此三大产品销售额占整体市场的80%以上。IGBT(绝缘栅双极晶体管)销售额虽然不大,但随着其在工业控制、消费电子领域中应用的不断增多,其市场销售额保持着较快的增长,是中国功率器件市场中的新兴产品。
从应用领域上看,消费电子领域销售额位列第一位,工业控制居于第二,计算机领域销售额位于第三位。这三大领域销售额占整体市场的68.9%,是功率器件的重要应用市场。同时,凭借笔记本电脑
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MOSFET 功率晶体管 消费电子 IC LDO 液晶电视
- 英飞凌科技股份公司(FSE/NYSE:IFX)在近期举行的IEEE MTT-S国际微波研讨会上,发布了专门面向700 MHz频段无线基础设施应用的全新射频功率晶体管系列。该频段在美国将用于承载4G(第四代)蜂窝、移动电视广播和其他移动宽带服务,其中包括LTE(长期演进)和下一代无线网络标准。这一全新系列产品拓展了英飞凌的射频功率晶体管组合,包括一个55 W驱动器及两个输出级晶体管(分别为170 W和240 W),在700 MHz频段提供业界最高水平的峰值功率。
基于英飞凌先进的LDMOS (横向
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英飞凌 射频 功率晶体管 放大器
- 恩智浦推出BLC7G22L(S)-130基站功率晶体管,这是恩智浦应用其业界领先的第七代横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术的首款产品,专为高功耗和Doherty放大器应用进行了优化。恩智浦的第七代LDMOS技术可以实现目前功效最高的LDMOS解决方案,与上一代产品相比,功率密度提高了20%,功率效率增长了两个百分点,而Rth热阻则降低25%以上。恩智浦第七代LDMOS基站前期晶体管的最初原型将于2008年美国乔治亚州亚特兰大举办的IEEE MTT-S国际微波研讨会期间进行展示。
恩智浦R
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恩智浦 LDMOS 基站 功率晶体管
功率晶体管介绍
耗散功率在 1瓦以上的晶体管。在电力电子器件中为一大类,包括双极型功率晶体管、功率场效应晶体管、功率静电感应晶体管、隔离栅晶体管、复合晶体管等。通常,功率晶体管是双极型功率晶体管的简称。
制造功率晶体管用的半导体材料多为单晶硅(也有用锗或砷化镓的)。器件的心片通常装在散热良好的金属块上。功率晶体管往往做成功率集成器件,其一个器件的心片上就含有数十个乃至上万个并联的晶体管单元。
功率晶体 [
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