- 瑞萨电子（Renesas Electronics）宣布推出业界首款 650V 级双向氮化镓（GaN）开关，旨在简化太阳能微型逆变器、人工智能数据中心、电动汽车车载充电器等应用的功率转换设计。该公司强调，这款新型 TP65B110HRU 器件在单一芯片中集成了双向电流阻断功能，无需采用传统的背靠背场效应晶体管（FET）配置。这一技术突破意义重大 —— 它解决了大功率转换设计中长期存在的能效与复杂度难题，同时契合了行业向更高集成度、更简化架构发展的趋势。迈向单级功率转换据介绍，传统功率转换系统依赖单向硅基或碳
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瑞萨电子
650V
双向氮化镓开关
氮化镓功率器件
- 简介CoolSiC MOSFET G2 沟槽式 MOSFET 发挥碳化硅的性能优势，通过降低能量损耗来提高功率转换过程中的效率。将 SiC 性能提升到一个新水平，同时满足所有常见电源方案组合的最高质量标准： AC-DC、DC-DC 和 DC-AC。与 Si 替代品相比，SiC MOSFET 可以在许多应用中提供额外的性能，其中包括光伏逆变器、热量存储系统、电动汽车充电、电源、电机驱动、牵引逆变器、板载充电器、DC 对 DC 转换器等。碳化硅器件必备要素 —— 立足当下布局，引领未来市场丰富的 CoolSi
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CoolSiC MOSFET 650V G2
功率转换
- 瑞萨电子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平台，该平台具有适用于高功率应用的 650 V、30 毫欧姆氮化镓器件。此次发布代表了该公司在收购 Transphorm 并与其控制器和驱动器 IC 产品线集成后对 GaN 技术的持续投资。与之前的 35 毫欧姆器件相比，Gen 4+ 平台的 RDS（on） 和芯片尺寸减小了 14%，直接降低了成本。开关品质因数提高了 50%，而输出品质因数提高了 20% 以上。在比较测试中，瑞萨电子在 4 kW 电源应用中的损耗比领先的碳化硅 MOSFET 和 JF
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器件
高功率应用
SiC
- 全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出了一款能够主动双向阻断电压和电流的氮化镓（GaN）开关——650V CoolGaN™ G5双向开关（BDS）。该产品采用共漏极设计和双栅极结构，是一款使用英飞凌强大栅极注入晶体管（GIT）技术和CoolGaN™技术的单片双向开关，能够有效替代转换器中常用的传统背靠背开关。650V CoolGaN™ G5双向开关这款CoolGaN™双向开关能够为功率转换系统带来多项关键优势。它通过将两个开关集成到一个器件中，简化了循环转换器拓扑结构的设计，实现
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G5双向开关
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。四款新器件是首批采用小型表贴DFN8×8封装的第3代SiC MOSFET的器件，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封装相比，其体
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SiC MOSFET
- 英飞凌科技股份公司近日推出分立式650V IGBT7 H7新品，进一步扩展其第七代TRENCHSTOP™ IGBT产品阵容。全新器件配备尖端的EC7共封装二极管，先进的发射器控制设计结合高速技术，以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微沟槽栅技术，具有出色的控制和性能，能够大幅降低损耗，提高效率和功率密度。因此，该半导体器件适合用于各种应用，如组串式逆变器、储能系统（ESS）、电动汽车充电应用以及如工业UPS和焊接等传统应用。 在分立式封装
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IGBT
- 全球知名半导体制造商ROHM（以下简称“ROHM”）将650V耐压的GaN（Gallium Nitride：氮化镓）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产，这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。据悉，电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半，为实现无碳社会，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键，SiC （Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。2022年，RO
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GaN HEMT
- 致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股近日宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NFAM5065L4B智能功率整合模块（IPM）的4KW 650V工业电机驱动方案。图示1-大联大世平基于onsemi产品的4KW 650V工业电机驱动方案的展示板图近年来，随着科技高速发展以及工业4.0的加速推进，工业市场对于电机的需求与日俱增。根据相关机构调查显示电机的耗电量约为全球电力供应的50%。这在节能减排、实现“双碳”的统一战略目标下，是一项亟待解决的问题。为了提升电机运转效率降低能源损
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工业电机驱动
- 半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装，TO-247 和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能，并具有更好的稳定性。由于采用了级联结构并优化了器件相关参数，Nexperia的氮化镓场效应管无需复杂的驱动和控制，应用设计大为简化；使用标准的硅MOSFET 驱动器也可以很容易地驱动它们。 新的氮化镓技术采用了贯穿外延层的过孔，减少了缺陷并且芯片尺寸可缩小约24%。TO-247
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氮化镓
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- 作为碳化硅技术全球领先企业的科锐公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET产品组合，适用于更广阔的工业应用，助力新一代电动汽车车载充电、数据中心和其它可再生能源系统应用，提供业界领先的功率效率。
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