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Nexperia推出采用行业领先顶部散热型封装X.PAK的1200V SiC MOSFET

  • Nexperia正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。该系列器件在温度稳定性方面表现出色,采用创新的表面贴装 (SMD) 顶部散热封装技术X.PAK。X.PAK封装外形紧凑,尺寸仅为14 mm ×18.5 mm,巧妙融合了SMD技术在封装环节的便捷优势以及通孔技术的高效散热能力,确保优异的散热效果。此次新品发布精准满足了众多高功率(工业)应用领域对分立式SiC MOSFET不断增长的需求,该系列器件借助顶部散热技术的优势,得以实现卓越的热性
  • 关键字: Nexperia  SiC MOSFET  

Nexperia扩展GaN FET产品组合,现可支持更多低压和高压应用中的功率需求

  • Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET产品组合新增12款新器件。本次产品发布旨在满足市场对更高效、更紧凑系统日益增长的需求。这些新型低压和高压E-mode GaN FET适用于多个市场,包括消费电子、工业、服务器/计算以及电信,尤其着重于支持高压、中低功率以及低压、中高功率的使用场景。自2023年推出E-mode GaN FET以来,Nexperia一直是业内少有、同时提供级联型或D-mode和E-mode器件的供应商,为设计人员在应对设计过程中的不同挑战提供了更多便捷性。Nexperia
  • 关键字: Nexperia  GaN FET  

Nexperia全新推出高精度和超低静态电流的汽车级LDO系列

  • Nexperia今日新推出一系列符合AEC-Q100标准的超低静态电流通用低压差(LDO)稳压器。该新系列同时包含高精度带输出跟随的LDO,集成输出保护功能,且输入电压范围较宽,因此可直接连接汽车电池。这些LDO采用热优化设计,在冷启动条件下,也能够为信息娱乐系统、ADAS、远程信息处理及照明系统等汽车应用中的纹波敏感负载提供稳定电压源。带输出跟随功能的LDO具有出色的输出保护能力,可以在车身控制模块、区域控制单元及动力系统中表现出优异性能,可用于涉及车外负载(如传感器)的场景。  除了汽车应用
  • 关键字: Nexperia  低静态电流  汽车级LDO  LDO  

Nexperia发布首款符合10BASE-T1S开放技术联盟标准的车规级ESD保护二极管

  • Nexperia今日宣布推出首款符合开放技术联盟要求、适用于10BASE-T1S汽车以太网应用的ESD保护二极管。这些二极管具有非常低的电容(0.4 pF),意味着可以用于保护车内网络中采用更高数据速率的100BASE-T1或1000BASE-T1应用,同时仍能保持出色的信号完整性。根据IEC 61000-4-2标准,这些二极管提供高达18 kV的单线路ESD保护解决方案,并且按照开放技术联盟的标准,在1000次放电后仍可达到最高15 kV的保护水平。  这些器件基本覆盖了各个范围的汽
  • 关键字: Nexperia  ESD保护二极管  

Nexperia推出具有超低静态电流的新款降压DC-DC转换器以提高设计灵活性

  • Nexperia今日宣布推出全新系列降压DC-DC转换器。这些器件具有出色的待机和工作效率,为工程师在消费电子、工业和汽车终端市场中设计各种固定和便携电池供电应用提供更高的灵活性。NEX30606是一款高效、高精度的降压转换器,可在1.8 V至5.0 V的输入电压范围内提供16种电阻可调的输出电压选择。它提供高达600 mA的输出电流和220 nA的超低工作静态电流(Iq),在业内脱颖而出。这一特性使其非常适合助听器、医疗传感器、贴片和监护设备等可穿戴消费电子应用。同时,它也能满足智能电表、资产追踪、工业
  • 关键字: Nexperia  降压DC-DC转换器  

通过创新PMIC降低BOM成本,Nexperia增强能源采集产品组合

  • Nexperia正在通过全新NEH71x0电源管理IC(PMIC)系列扩展能源采集产品组合。新发布的先进PMIC系列结合了卓越的性能、高性价比和多功能性,为低功耗应用的可持续设计建立了新的标准。与竞争产品不同的是,这些全新PMIC消除了对外部电感器的需求,从而大大减少了电路板空间和物料清单(BOM)成本。新产品采用紧凑的4 mm x 4 mm QFN28封装,适合于遥控器、密钥卡(key fob)、智能标签、资产跟踪器、传感器、环境监测器、可穿戴设备、键盘、胎压监测器以及大量的物联网(IoT)应用。&nb
  • 关键字: PMIC  Nexperia  能源采集  

CCPAK1212封装将再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表现

  • Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。这些产品均采用创新型铜夹片CCPAK1212封装,具有业内领先的功率密度和优越性能。创新型铜夹片设计能够承载高电流、寄生电感更低且热性能出色,因此这些器件非常适合电机控制、电源、可再生能源系统和其他耗电应用。该系列还包括专为AI服务器热插拔功能设计的特定应用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封装的MOSFET提供顶部和底部散热选项,可实现高功率密度和可靠的解决方案。所有器件封装均已在JEDEC注册,并配备Nexperia交
  • 关键字: CCPAK1212封装  Nexperia  功率MOSFET  

Nexperia推出微型无引脚逻辑IC,助力汽车应用节省空间并增强可靠性

  • Nexperia近日发布了一系列采用微型车规级MicroPak XSON5无引脚封装的新型逻辑IC。这些微型逻辑IC专为空间受限的应用而设计,适用于汽车领域的各种复杂应用场景,如底盘安全系统、电池监控、信息娱乐系统以及高级驾驶辅助系统(ADAS)。MicroPak XSON5采用热增强型塑料外壳,相较于传统的有引脚微型逻辑封装,PCB面积缩小75%。此外,该封装还具有侧边可湿焊盘,支持对焊点进行自动光学检测(AOI)。此次产品发布巩固了Nexperia在逻辑器件行业中的领先地位,其创新型封装技术满足了汽车
  • 关键字: Nexperia  无引脚逻辑IC  

Nexperia推出新款120V/4A半桥栅极驱动器,进一步提高工业和汽车应用的鲁棒性和效率

  • Nexperia近日宣布推出一系列高性能栅极驱动器IC,可用于驱动同步降压或半桥配置中的高边和低边N沟道MOSFET。这些驱动器包含车规级和工业级版本,性能上兼具高电流输出和出色的动态性能,可大幅提高应用效率和鲁棒性。其中,NGD4300-Q100达到车规级标准,非常适合电动助力转向和电源转换器应用;NGD4300则设计用于消费类设备、服务器和电信设备中的DC-DC转换器以及各种工业应用中的微型逆变器。这些IC中的高边驱动器可以在不超过120 V的直流总线电压下工作,其中集成了二极管的自举电源有助于缩小P
  • 关键字: Nexperia  半桥栅极驱动器  

Nexperia推出新款120V/4A半桥栅极驱动器,进一步提高工业和汽车应用的鲁棒性和效率

  • Nexperia近日宣布推出一系列高性能栅极驱动器IC,可用于驱动同步降压或半桥配置中的高边和低边N沟道MOSFET。这些驱动器包含车规级和工业级版本,性能上兼具高电流输出和出色的动态性能,可大幅提高应用效率和鲁棒性。其中,NGD4300-Q100达到车规级标准,非常适合电动助力转向和电源转换器应用;NGD4300则设计用于消费类设备、服务器和电信设备中的DC-DC转换器以及各种工业应用中的微型逆变器。这些IC中的高边驱动器可以在不超过120 V的直流总线电压下工作,其中集成了二极管的自举电源有助于缩小P
  • 关键字: Nexperia  栅极驱动器  

Nexperia与KOSTAL就先进车规级宽禁带器件达成战略合作伙伴关系

  • Nexperia近日宣布已与领先的汽车供应商KOSTAL(科世达)建立战略合作伙伴关系,旨在生产更符合汽车应用严苛要求的宽禁带(WBG)器件。根据合作条款,Nexperia将开发、制造和供应由Kostal设计和验证的宽禁带功率电子器件。此次合作初期将专注于开发用于电动汽车(EV)车载充电器(OBC)的顶部散热(TSC) QDPAK封装的碳化硅(SiC) MOSFET器件。KOSTAL Automobil Elektrik拥有百年行业经验,在全球汽车行业中有着关键的地位。全球近一半的汽车配备有KOSTAL的
  • 关键字: Nexperia  KOSTAL  车规级宽禁带器件  宽禁带器件  

Nexperia的AC/DC反激式控制器可实现更高功率密度的基于GaN的反激式转换器

  • Nexperia今天推出了一系列新的AC/DC反激式控制器,进一步壮大其不断扩展的电源IC产品组合。NEX806/8xx和NEX8180x专为基于GaN的反激式转换器而设计,用于PD(Power Delivery)快速充电器、适配器、壁式插座、条形插座、工业电源和辅助电源等设备以及其他需要高功率密度的AC/DC转换应用。 NEX806xx/NEX808xx是准谐振/多模反激式控制器,可在宽VCC范围(10-83V)下工作,而NEX81801/NEX81802是自适应同步整流控制器。这些IC可与N
  • 关键字: Nexperia  AC/DC反激式控制器  GaN  反激式转换器  

Nexperia优化齐纳二极管产品组合,以解决过冲和噪声现象

  • Nexperia今日宣布对其丰富的齐纳二极管产品组合进行两项优化,以消除不良的过冲和噪声行为,这在齐纳技术领域是重大进步。首先,新型50 µA齐纳系列二极管推出B-selection (Vz +/-2%),Vz范围从1.8 V到51 V,提供标准版和汽车版。这使得它们非常适合汽车应用,例如电动汽车(EV)的车载充电器,以及广泛的工业和消费应用,例如通用计算单元、电池管理系统、设备充电器和智能手表。 Nexperia的全新50 µA器件系列目前即使在高电压(高达75 V)下也能提供完整的齐纳功能。它们的设计
  • 关键字: Nexperia  齐纳二极管  

Nexperia扩展功率器件产品组合,新增标准和车规级理想二极管

  • Nexperia宣布为其持续扩展的功率器件产品组合新增两款理想二极管IC。其中,NID5100适用于标准工业和消费应用,而NID5100-Q100已获得认证,可用于汽车应用。这两款理想二极管均以MOSFET为基础,拥有比传统二极管更低的正向压降,非常适合用来替换系统中的标准二极管,进而满足相关的超高能效要求。NID5100和NID5100-Q100理想二极管采用小型TSSP6/SOT363-2有引脚塑料封装,尺寸仅为2.1 mm×1.25 mm×0.95 mm。NID5100理想二极管的电气性能出色,能为
  • 关键字: Nexperia  理想二极管  

Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D-3封装的热门功率BJT

  • Nexperia近日宣布其广受欢迎的功率双极结型晶体管(BJT)产品组合再次扩展,推出采用DFN2020D-3封装的十款标准产品和十款汽车级产品。这些新器件的额定电压为50 V和80 V,支持NPN和PNP极性的1 A至3 A电流范围,进一步巩固了Nexperia作为市场领先供应商的地位。通过此次发布,Nexperia通过DFN封装提供了其大部分的功率BJT,可满足设计人员对节省空间和能源的封装的需求,以此取代旧的SOT223和SOT89封装。与有引脚的器件相比,DFN2020D-3封装器件可显著节省电路
  • 关键字: Nexperia  DFN2020D-3  功率BJT  
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