基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出9款新的功率双极性晶体管，扩大了具有散热和电气优势的DPAK封装的产品组合，涵盖2 A - 8 A 和45 V - 100 V应用。新的MJD系列器件与其他DPAK封装的MJD器件引脚兼容，且在可靠性方面有着显著优势。新的MJD系列双极性晶体管满足AEC-Q101汽车级器件和工业级器件标准，额定值为2 A 50 V (MJD2873/-Q)、3 A 100 V (MJD31CH-Q)、4 A 45 V (MJD148/-Q)和6 A 100 V（MJD4
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MJD系列 Nexperia 功率产品
由飞利浦（现为Nexperia）于1991年创立的半导体设备制造商ITEC，今日宣布成为独立实体。ITEC仍然是Nexperia集团的一部分。通过此举，ITEC能够及时解决第三方市场的问题，满足对半导体的喷井式需求。ITEC致力为全球半导体制造商提供经久耐用的创新性制造解决方案。 ITEC一直处于半导体生产的前沿。总经理Marcel Vugts表示：“ITEC扎根于半导体制造领域，作为飞利浦、恩智浦和Nexperia的合作伙伴，我们将30多年来的自动化专业知识与最先进的设备结合起来。ITEC致力于将最新的
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ITEC Nexperia
基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布已完成收购Newport Wafer Fab (NWF)的交易，此举可助力公司实现宏伟的增长目标和投资，进一步提高全球产能。通过此次收购，Nexperia获得了该威尔士半导体硅芯片生产工厂的100%所有权。Nexperia Newport将继续在威尔士半导体生态系统中占据重要地位，引领新港地区和该区域其他工厂的技术研发。 Nexperia是Newport Wafer Fab所提供晶圆代工服务的客户，并于2019年通过投资Neptune 6 Limite
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Nexperia Fab
基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出用于标准逻辑器件的全球最小且最薄的14、16、20和24引脚封装。例如，16引脚DHXQFN封装比行业标准DQFN16无引脚器件小45%。新封装不但比竞争产品管脚尺寸更小，而且还节省了25%的PCB面积。封装尺寸仅为2 mm x 2 mm（14 引脚）、2 mm x 2.4 mm（16引脚）、2 mm x 3.2 mm（20引脚）和2 mm x 4 mm（24引脚），0.4 mm间距的DHXQFN封装只有0.45 mm高。器件包括：十六路反向
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Nexperia DHXQFN封装
基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布，位于英国曼彻斯特的新8英寸晶圆生产线启动，首批产品使用最新的NextPower芯片技术的低RDS(on)和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。新生产线将立即扩大Nexperia的产能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件将具有行业内极低的Qrr品质因数(RDS(on) x Qrr)。Nexperia产品经理Mike Becker指出：“鉴于全球半导体短缺的情况下，Nexperia积极投资
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Nexperia MOSFET
基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布了全球增长战略最新举措，即在未来12个月至15个月期间投资7亿美元用于扩建欧洲的晶圆厂、亚洲的封装和测试工厂和全球的研发基地。 新投资将提高所有工厂的制造能力、支持氮化镓(GaN)宽带隙半导体和电源管理IC等领域的研发，并将支持举办招聘活动，吸引更多芯片设计师和工程师人才。 Nexperia首席运营官Achim Kempe表示：“全球半导体市场正逐渐走出去年上半年以来的颓势，并重新崛起。2020年，Nexperia 年销售额为14亿美元，销量从去年第三季度和第四
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Nexperia
基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出新型0.55 mΩ RDS(on) 40 V功率MOSFET，该器件采用高可靠性的LFPAK88封装，适用于汽车(BUK7S0R5-40H)和工业(PSMNR55-40SSH)应用。这些器件是Nexperia所生产的RDS(on) 值最低的40 V器件，更重要的是，它们提供的功率密度相比传统D2PAK器件提高了50倍以上。此外，这些新型器件还可在雪崩和线性模式下提供更高的性能，从而提高了耐用性和可靠性。Nexperia产品市场经理Neil M
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Nexperia 低RDS(on) MOSFET
奈梅亨，2021年5月10日：基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布扩充了旗下的Trench肖特基整流器产品组合，最新推出额定电压和电流分别高达100 V和20 A的全新器件，具有出色的开关性能和领先的热性能。新器件采用Nexperia的夹片式FlatPower (CFP)封装，管脚尺寸远小于SMA/SMB/SMC器件。 Trench工艺可在降低漏电流的同时，大幅减少存储在器件中的Qrr电荷。因而，Trench肖特基整流器能够实现超快的开关速度，既能减少整流器的开关损耗，又减少了同一换向单元中MOS
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Nexperia Trench 肖特基整流器
基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比，新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，适用于2 kW至10 kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关模式电源(SMPS)，特别是必须满足80 PLUS®钛金级效率认证的服务器电源和高效率要求的电信电源。该器件也非常适合相同功率范围内的太阳能逆变器和伺服驱动器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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Nexperia MOSFET GaN
基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布推出一系列ESD保护器件，专门用于保护汽车应用中越来越多的高速接口，特别是与信息娱乐和车辆通讯相关的车载网络(IVN)。 随着数据传输速率的提高和车载电子含量的增加，EMC保护的需求变得越来越重要，提供正确的保护类型已成为设计工程师的巨大挑战。Nexperia的TrEOS技术优化了ESD保护的三大关键参数（信号完整性、系统保护和鲁棒性），以提供具有低电容、低钳位电压和高ESD鲁棒性的理想组合的器件。 全新的PESD4USBx系列总共包括十二款采用Tr
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Nexperia 高速接口 ESD
基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布与国内汽车行业主要供应商联合汽车电子有限公司（简称UAES）在功率半导体氮化镓（GaN）领域展开深度合作，旨在满足未来对新能源汽车电源系统不断提升的技术需求，共同致力于推动GaN工艺技术在中国汽车市场的研发和应用。 随着汽车电气化、5G通信、工业4.0市场的不断增长，基于GaN的主流设计正渐入佳境，势必推动2021年及未来功率半导体的需求增长。Nexperia GaN FET产品已与UAES在电动汽车的车载充电器、高压DC-DC直流转换器等项目中开展研发合作。N
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Nexperia 联合汽车电子 氮化镓
关键半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布推出一系列采用节省空间的LFPAK56D封装技术的半桥（高端和低端）汽车MOSFET。采用两个MOSFET的半桥配置是许多汽车应用（包括电机驱动器和DC/DC转换器）的标准构建模块。这种新封装提供了一种单器件半桥解决方案。与用于三相电机控制拓扑的双通道MOSFET相比，由于去掉了PCB线路，其占用的PCB面积减少了30%，同时支持在生产过程中进行简单的自动光学检测(AOI)。LFPAK56D半桥产品采用现有的大批量LFPAK56D封装工艺，并具有成熟的汽车级
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Nexperia MOSFET AEC-Q101
奈梅亨，2021年2月9日：基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布将在2021年度大幅增加制造能力和研发方面的全球投资。 新投资与公司的发展战略相吻合。去年，Nexperia的母公司闻泰科技承诺投资120亿元人民币（18.5亿美元）在上海临港新建一座300mm（12英寸）功率半导体晶圆厂。该晶圆厂将于2022年投入运营，预计年产40万片晶圆。 Nexperia今年的计划包括提高生产效率，并在其位于德国汉堡和英国曼彻斯特的欧洲晶圆厂试试全新的200mm技术。汉堡晶圆厂还会增加对宽带隙半导体制造新技术的
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Nexperia 闻泰科技
半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia今天首次宣布推出80 V RET（配电阻晶体管）系列。这些新的RET或“数字晶体管”提供了足够的余量，可用于48 V汽车板网（如轻度混合动力和EV汽车）和其他更高电压的电路，这些电路经常受到较大的尖峰和脉冲影响，以前的50 V器件无法处理。 通过在与晶体管相同的SOT23 (250 mW Ptot)或SOT323 (235 mW Ptot)封装中组合偏置电阻和偏置发射极电阻，RET可以节省空间并降低制造成本。SOT363封装还提供双RET（两个晶体管和两
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Nexperia RET
半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia今天发布获得AEC-Q101认证的新重复雪崩专用FET (ASFET)产品组合，重点关注动力系统应用。该技术已通过十亿个雪崩周期测试，可用于汽车感性负载控制，例如电磁阀和执行器。除了提供更快的关断时间（高达4倍）外，该技术还能通过减少BOM数量简化设计。 在汽车动力总成中的电磁阀和执行器控制领域，基于MOSFET的电源方案通常围绕着升压、续流二极管或主动钳位拓扑结构进行构建。第四个选择是重复雪崩设计，利用MOSFET的重复雪崩能力来泄放在其关
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Nexperia AEC-Q101 MOSFET
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