Nexperia近日宣布，公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合，并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化，可在服务器、电源、快速充电器和USB-PD等各种应用以及各种电信、电机控制和其他工业设备中提供高效率和低尖峰。设计人员可以从80 V和100 V器件中进行选择，RDS(on)选型从1.8 mΩ到15 mΩ不等。许多MOSFET
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Nexperia NextPower MOSFET
Nexperia今天推出了采用D2 PAK真双引脚 (R2P) 封装的650V两种超快速恢复整流二极管，可用于各种工业和消费应用，包括充电适配器、光伏 (PV)、逆变器、服务器和开关模式电源 (SMPS)。这些整流二极管结合了平面芯片技术和最先进的结高压终端 (JTE) 设计，具有高功率密度、快速开关时间、软恢复能力和出色的可靠性。它们采用D2PAK真双引脚封装 (SOT8018)，封装尺寸与标准D2PAK封装相同，但只有两个
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Nexperia 整流二极管 D2PAK 真双引脚封装
致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商—大联大控股近日宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NCP10672BD060R2G PWM控制器和安世（Nexperia）PNU65010EP快速恢复二极管的4.5W非隔离辅助电源方案。图示1-大联大世平基于onsemi和Nexperia产品的4.5W非隔离辅助电源方案的展示板图随着电子技术的不断进步，小型家电在日常生活中的应用场景愈发多样化。在这些家电应用中，辅助电源的设计尤为重要。其既要满足低功耗、高效率的运行需求，以降低能源消耗，又要确保设备
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大联大 世平集团 onsemi Nexperia 非隔离辅助电源
半导体制造商Nexperia近日宣布，计划投资2亿美元（约合1.84亿欧元）研发下一代宽禁带半导体产品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，并在汉堡工厂建立生产基础设施。同时，晶圆厂的硅(Si)二极管和晶体管产能将会增加。此项投资是在该工厂成立100周年之际，与汉堡经济部长Melanie Leonhard博士共同宣布的。为了满足对高效功率半导体日益增长的长期需求，Nexperia将从2024年6月开始在德国研发和生产SiC、GaN和Si三种技术。这一举措充分展现了Nexperia对电气化和数
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Nexperia
Nexperia近日宣布，其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管现已符合汽车标准(PSC1065H-Q)，并采用真双引脚(R2P) DPAK (TO-252-2)封装，适用于电动汽车和其他汽车中的多种应用。此外，为了进一步扩展其SiC二极管产品组合，Nexperia现还提供采用TO-220-2、TO-247-2和D2PAK-2封装的额定电流为6 A、16 A和20 A的工业级器件，以提高设计灵活性。这些二极管解决了要求高电压和高电流的应用的挑战，包括开关电源、AC-DC和DC-DC转换器
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Nexperia SiC二极管
Nexperia近日宣布，公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品，它将使其SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括RDSon值为17、30、40、60和80 mΩ 且封装灵活的器件。随着NSF0xx120D7A0的发布，Nexperia正在满足市场对采用D2
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Nexperia SiC MOSFET D2PAK-7
Nexperia近日宣布了2023年的财务业绩，包括其关键汽车细分市场的强劲增长以及研发投资的增加。Nexperia的总收入为21.5亿美元（2022年为23.6亿美元），其财务业绩也反映出这一年半导体行业充满了挑战。尽管收入略有下降，市场需求疲软，但强劲的传统汽车细分市场的产品收入大幅增长。2023年，Nexperia从多方面高度关注绿色能源转型。首先，公司发布了首份ESG报告，巩固了其对环境、社会和治理（ESG）原则的专注。另一个里程碑是Nexperia获得了其首笔8亿美元的高级可持续性关联贷款（SL
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Nexperia
专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售Nexperia的NEX1000xUB电源IC。这些新型、省空间、可编程、高效率的双输出LCD偏压电源专为空间受限的应用而设计，可延长智能手机、平板电脑、虚拟现实 (VR) 头显设备和LCD模块的电池续航时间与视频显示寿命。贸泽供应的Nexperia NEX1000xUB电源IC结合了LDO稳压器、集成式升压转换器和集成了有源输出放电功能的负电荷泵，采用小于标准晶圆级封装，尺寸为1.16m
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贸泽 Nexperia 电源IC
Nexperia今天宣布推出能量平衡计算器。这是一款功能强大的网络工具，旨在帮助电池管理工程师最大限度地延长其应用的电池寿命或实现无电池应用。该计算器为工程师提供精确的数据，帮助他们做出明智的决策，以便将Nexperia的能量采集PMIC集成到其系统中。Nexperia能量采集PMIC的核心是最大功率点跟踪(MPPT)算法，可帮助各种消费电子产品和物联网设备从环境中高效采集能量。为了充分利用这些PMIC的潜力，计算器使用实际技术参数。它计算传递给负载的能量和能量补偿。因此，可以深入了解潜在的电池寿命延长或
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Nexperia 能量平衡计算器 能量采集
奈梅亨，2024年3月5日：全球基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出全新的专用于监测和保护1.8 V电子系统的4通道和8通道模拟开关系列产品。该系列多路复用器包含适用于汽车应用的AEC-Q100认证型号，以及适用于更广泛的消费类和工业应用的标准版本，例如用于传感器监测与诊断、企业计算以及家用电器等场景。在使用模拟开关时，由于控制电路的电压与模拟开关的电源电压不匹配，设计人员通常需要额外采用电平转换器。相比之下，NMUX1308和NMUX1309开关中的控制引脚可以不受其供电电压范
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Nexperia 低压模拟开关 模拟开关
奈梅亨，2024年2月29日：Nexperia再次在APEC上展示产品创新，今天宣布发布几款新型MOSFET，以进一步拓宽其分立开关解决方案的范围，可用于多个终端市场的各种应用。此次发布的产品包括用于PoE、eFuse和继电器替代产品的100 V 应用专用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封装，体积缩小60%，以及改进了电磁兼容性(EMC)的40 V NextPowerS3 MOSFETPoE交换机通常有多达48个端口，每个端口需要2个MOSFET提供保护。单个PCB上有多达96
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Nexperia APEC 2024 拓宽分立式FET MOSFET
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia近日宣布，现可提供采用CFP3-HP封装的22种新型平面肖特基二极管产品组合。该产品组合包括11种工业产品以及11种符合AEC-Q101标准的产品。本次产品发布是为了支持制造商以更小尺寸的CFP封装器件取代SMx型封装器件的发展趋势，特别是在汽车应用中。这些二极管适用于DC-DC转换、续流、反极性保护和OR-ing(打嗝)应用等。为尽可能实现设计灵活性，该产品组合中的器件选项提供30 V至100 V的反向电压VR(max)和1 A至3 A的正向电流IF(a
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Nexperia CFP3-HP 平面肖特基二极管
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，该器件采用新一代高压GaN HEMT技术和专有铜夹片CCPAK表面贴装封装，为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。经过二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大规模、高质量的铜夹片SMD封装方面积累了丰富的专业知识，如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管（GaN FET），Nexperia对此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化镓场效应管，采用CCP
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Nexperia SMD CCPAK GaN FET
奈梅亨，2023年11月30日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件，RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后Nexperia将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高，可满足电动
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Nexperia SiC MOSFET 工业电源开关
Nexperia近日宣布与三菱电机公司建立战略合作伙伴关系，共同开发碳化硅(SiC) MOSFET分立产品。Nexperia和三菱电机都是各自行业领域的领军企业，双方联手开发，将促进SiC宽禁带半导体的能效和性能提升至新高度，同时满足对高效分立式功率半导体快速增长的需求。三菱电机的功率半导体产品有助于客户在汽车、家用电器、工业设备和牵引电机等众多领域实现大幅节能。该公司提供的高性能SiC模块产品性能可靠，在业界享有盛誉。日本备受赞誉的高速新干线列车采用了这些模块，并以出色的效率、安全性和可靠性闻名遐迩。N
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Nexperia 三菱电机 SiC MOSFET
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