基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出能量采集解决方案，进一步丰富其电源管理IC系列。该方案可简化低功耗物联网(IoT)及其嵌入式应用，并增强应用性能。NEH2000BY是高性能电源管理集成电路(PMIC)，可从环境中收集能源（例如借助光伏电池采集光能），并给电池或储能电容充电。凭借此特性，Nexperia的NEH2000BY可为开发体积更小、更环保的自供电式电子设备提供支持。此外，该能源采集解决方案还有助于减轻每年生产和废弃的数十亿电池对环境的影响。 NEH2000BY 可帮助简化能源采集
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Nexperia PMIC 低功耗器件
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V热插拔专用MOSFET(ASFET)，该系列产品采用紧凑型8x8 mm LFPAK88封装，且具有增强安全工作区(SOA)的特性。这些新型ASFET针对要求严格的热插拔和软启动应用进行了全面优化，可在175°C下工作，适用于先进的电信和计算设备。 凭借数十年开发先进晶圆和封装解决方案所积累的专业知识，Nexperia推出的这款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N沟道ASFET）作为其产品组合中的首选，
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Nexperia SMD 铜夹片 LFPAK88 MOSFET
奈梅亨，2023年3月6日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天推出符合AEC-Q101标准的产品组合，其中包含六个ESD保护器件(PESD2CANFD36XX-Q)，旨在保护LIN、CAN、CAN-FD、FlexRay和SENT等车载网络(IVN)中的总线免受静电放电(ESD)和其他瞬变造成的损坏。 随着数据传输速率的提高和车载电子含量的增加，ESD保护的需求变得越来越重要，提供正确的保护类型已成为设计工程师的巨大挑战。与汽车和小型车辆中的电池电压相比，24 V电源通常用于卡车和商用车
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Nexperia 24 V电源 车载网络 ESD保护
可通过基极电流开启或关闭双极结型晶体管(BJT)。但是，由于基极-发射极二极管两端的压降在很大程度上取决于温度，因而在许多应用中，需要一个串联电阻将基极电流保持在所需水平，从而确保BJT稳定安全地工作。阅读本文，了解如何使用RET来应对标准BJT的温度依赖性。为了减少元器件数量、简化电路板设计，配电阻晶体管将一个或两个双极性晶体管与偏置电阻组合在一起，集成在同一个晶片上。替代方案包括在基极-发射极路径上并联第二个集成电阻，以创建用于设置基极电压的分压器。这可以提供更精细的微调和更好的关断特性。由于这些内部
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Nexperia RET
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布Nexperia TrEOS产品组合再添新产品，即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM极低钳位电压ESD保护二极管。这些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的触发电压和极低的钳位电压以及宽通带，浪涌抗扰度出众，出众的IEC61000-4-5浪涌等级。 Nexperia高级产品经理Stefan Seider表示：“Nexperia开发了TrEOS产品组合，专门用于为我们的客户提供一系列适用于USB3.2、USB4™、Thunderbolt
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Nexperia 高速数据线 TrEOS ESD 保护器件
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布，旗下面向工业和汽车领域的铜夹片FlatPower (CFP)封装二极管系列产品组合再添新产品。新增产品包括4个采用CFP3和CFP5封装的650 V、1 A器件，可应用于车载充电器(OBC)和电动汽车逆变器，以及工业应用中的功率转换器、PV逆变器和电源。标准产品包括PNU65010ER (CFP3)和PNU65010EP (CFP5)，符合AEC-Q101标准的产品包括PNU65010ER-Q (CFP3)和PNU65010EP-Q (CFP5)
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Nexperia，650 V，超快恢复整流管
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其适用于热插拔和软启动的ASFET产品组合，推出10款全面优化的25V和30V器件。新款器件将业内领先的安全工作区(SOA)性能与超低的RDS(on)相结合，非常适合用于12V热插拔应用，包括数据中心服务器和通信设备。 多年来，Nexperia致力于将成熟的MOSFET专业知识和广泛的应用经验结合起来，增强器件中关键MOSFET的性能，满足特定应用的要求，以打造市场领先的ASFET。自ASFET推出以来，针对电池隔离(BMS)、直流
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Nexperia MOSFET ASFET SOA
全球供应品类丰富、发货快速的现货电子元器件产品分销商 Digi-Key Electronics，荣获 Nexperia 颁发的 2021 年度电子零售商奖，Nexperia 是半导体基础元器件生产领域的高产能权威专家之一。Digi-Key 荣获 Nexperia 颁发的 2021 年度电子零售商奖Digi-Key 全球供应商管理副总裁 David Stein 表示：“我代表整个 Digi-Key 团队，感谢 Nexperia 授予我们这一巨大荣誉。在这个前所未有的时刻，能得到
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Nexperia Digi-Key 电子零售商奖
奈梅亨，2022年10月12日：基础半导体器件领域的高性能生产专家Nexperia今天宣布推出其快速扩展的铜夹片FlatPower (CFP)封装二极管系列的最新产品，主要应用于工业和汽车领域。此最新产品含有32个平面肖特基二极管以及8个超快速恢复整流二极管，均封装在CFP15B中。包含通用型号和符合AEC-Q101车规标准的带Q的器件。通过将多种版本的器件推向市场，Nexperia强调了其扩大产能、加快向体积更小和热优化的封装过渡的承诺。让工程师仅从一家供应商即可获取市场上最为广泛的CFP封装二极管产品
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Nexperia CFP 功率二极管
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其超低钳位和超低电容ESD保护二极管系列产品组合。该产品组合旨在保护USB 3.2、HDMI 2.0、LVDS、汽车A/V监视器、显示器和摄像头等高速数据线。此外，该产品组合还旨在解决未来高速视频链路以及开放技术联盟MGbit以太网应用。 新晋产品包括2引脚单线器件PESD5V0C1BLS-Q和PESD5V0C1ULS-Q，采用超紧凑型DFN1006BD-2封装，同时优化了布线灵活性。此外，还有两款采用DFN1006-3封装的3引脚
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Nexperia 超低电容 ESD 保护二极管 汽车数据接口
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET，该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装，具有市场领先的RDS(on)特性，在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更为持久。新型MOSFET非常适合智能手机、智能手表、助听器和耳机等高度小型化电子产品，迎合了更智能、功能更丰富的趋势，满足了增加系统功耗的需求。 RDS(on)与竞争器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高负载开关
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Nexperia 晶圆级 MOSFET
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封装的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已经提供采用该封装的ESD保护器件，如今更进一步，Nexperia成功地将该封装技术运用到MOSFET产品组合中，成为行业竞争的领跑者。该系列小型MOSFET包括： 新一代可穿戴设备和可听戴设备正在融入新的人工智能(AI)和机器学习(ML)技术，这为产品设计带来了若干挑战。首先，随着功能的增加，可供使用的电路板空间变得十分宝贵，另外，随着
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Nexperia MOSFET
基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出其电平转换器系列的新晋产品：NXT4557GU和NXT4556UP。新器件可实现下一代低压手机基带处理器与用户身份模块(SIM)卡的无缝连接。随着处理器的几何尺寸向个位数纳米节点发展，先进SOC的核心电压也正逐渐下降。此发展趋势导致对电压转换器的需求日益增加，以将SOC连接到其他标准处理设备和I/O端口（如传统的Class B和Class C SIM卡）。 NXT4557GU和NXT4556UP是双电源转换器，支持主机处理器侧1.08 V至1
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Nexperia 电平转换器 手机SIM卡
基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出两款经优化的静电放电(ESD)保护二极管件，适用于高速数据线中的重定时器和信号中继器。PESD2V8Y1BSF专为保护USB4 (Thunderbolt)接口而设计，而PESD4V0Y1BCSF可适用于USB4以及HDMI 2.1。这两款产品均使用Nexperia的成熟TrEOS技术，集低钳位、低电容和高稳健性优势于一身。 重定时器和信号中继器是设计高速USB4接口常用的器件。它们需要电路板走线变更短，从而降低寄生电感，但也会意外地降低整体系统
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Nexperia USB4 ESD 二极管件
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia近日宣布与国际著名的为汽车行业提供先进电子器件的供应商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作关系，携手研发车规氮化镓(GaN)功率模块。双方长期保持着紧密的联系，此次进一步合作的目标是共同开发GaN功率器件在电动汽车(EV)上的应用。随着客运车辆日益电气化，市场对功率半导体的要求也在不断提高，需要在越来越高的功率密度下提供高效的功率转换。高压功率氮化镓场效应晶体管(GaN FET)与创新型封装技术相结合，可以满
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Nexperia KYOCERA 氮化镓 功率模块
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