- 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET，该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装，具有市场领先的RDS(on)特性，在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更为持久。新型MOSFET非常适合智能手机、智能手表、助听器和耳机等高度小型化电子产品，迎合了更智能、功能更丰富的趋势，满足了增加系统功耗的需求。 RDS(on)与竞争器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高负载开关
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Nexperia 晶圆级 MOSFET
- 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封装的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已经提供采用该封装的ESD保护器件，如今更进一步，Nexperia成功地将该封装技术运用到MOSFET产品组合中，成为行业竞争的领跑者。该系列小型MOSFET包括： 新一代可穿戴设备和可听戴设备正在融入新的人工智能(AI)和机器学习(ML)技术，这为产品设计带来了若干挑战。首先，随着功能的增加，可供使用的电路板空间变得十分宝贵，另外，随着
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Nexperia MOSFET
- 基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出其电平转换器系列的新晋产品：NXT4557GU和NXT4556UP。新器件可实现下一代低压手机基带处理器与用户身份模块(SIM)卡的无缝连接。随着处理器的几何尺寸向个位数纳米节点发展，先进SOC的核心电压也正逐渐下降。此发展趋势导致对电压转换器的需求日益增加，以将SOC连接到其他标准处理设备和I/O端口（如传统的Class B和Class C SIM卡）。 NXT4557GU和NXT4556UP是双电源转换器，支持主机处理器侧1.08 V至1
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Nexperia 电平转换器 手机SIM卡
- 基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出两款经优化的静电放电(ESD)保护二极管件，适用于高速数据线中的重定时器和信号中继器。PESD2V8Y1BSF专为保护USB4 (Thunderbolt)接口而设计，而PESD4V0Y1BCSF可适用于USB4以及HDMI 2.1。这两款产品均使用Nexperia的成熟TrEOS技术，集低钳位、低电容和高稳健性优势于一身。 重定时器和信号中继器是设计高速USB4接口常用的器件。它们需要电路板走线变更短，从而降低寄生电感，但也会意外地降低整体系统
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Nexperia USB4 ESD 二极管件
- 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia近日宣布与国际著名的为汽车行业提供先进电子器件的供应商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作关系，携手研发车规氮化镓(GaN)功率模块。双方长期保持着紧密的联系，此次进一步合作的目标是共同开发GaN功率器件在电动汽车(EV)上的应用。随着客运车辆日益电气化，市场对功率半导体的要求也在不断提高，需要在越来越高的功率密度下提供高效的功率转换。高压功率氮化镓场效应晶体管(GaN FET)与创新型封装技术相结合，可以满
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Nexperia KYOCERA 氮化镓 功率模块
- 基础半导体领域的高产能生产专家Nexperia近日宣布推出适用于电力应用的14款整流二极管，采用其新型CFP2-HP（铜夹片粘合FlatPower）封装。提供标准版和AECQ-101版，其中包括45 V、60 V和100 V Trench肖特基整流二极管（带1 A和2 A选项），例如PMEG100T20ELXD-Q就是一款100V、2 A的Trench肖特基整流二极管。针对要求超快速恢复的应用，Nexperia还在产品组合中增加了200 V、1 A PNE20010EXD-Q整流二极管。在现代汽车架构中，
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Nexperia CFP2-HP 二极管 FlatPower
- 基础半导体领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出适用于电力应用的14款整流二极管，采用其新型CFP2-HP（铜夹片粘合FlatPower）封装。提供标准版和AECQ-101版，其中包括45 V、60 V和100 V Trench肖特基整流二极管（带1 A和2 A选项），例如PMEG100T20ELXD-Q就是一款100V、2 A的Trench肖特基整流二极管。针对要求超快速恢复的应用，Nexperia还在产品组合中增加了200 V、1 A PNE20010EXD-Q整流二极管。 在现
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Nexperia CFP2-HP 二极管
- 基础半导体器件领域的专家Nexperia推出了用于自动化安全气囊应用的专用MOSFET (ASFET)新产品组合，重点发布的BUK9M20-60EL为单N沟道60 V、13 mOhm导通内阻、逻辑控制电平MOSFET，应用于LFPAK33封装。ASFET是专门为用于某一应用而设计并优化的MOSFET。此产品组合是Nexperia为电池隔离、电机控制、热插拔和以太网供电(PoE)应用提供的一系列ASFET中的最新产品。 BUK9M20-60EL采用Nexperia的新型增强安全工作区(SOA)技术
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Nexperia 自动安全气囊 MOSFET
- 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日公布2021年财务业绩，数据显示公司在所有领域均实现强劲增长。这家半导体制造公司专门供应分立器件、功率器件和逻辑IC，2021年总营收同比增长49%，达到21.4亿美元。这意味着Nexperia的业绩表现优于整个半导体市场，公司市场份额得以提高1%，达到9.4%。 过去五年，Nexperia的制造能力不断提升，目前已经处于行业前沿，完全符合汽车行业的最高标准，且能提供全面的产品组合。Nexperia首席财务官Stefan Tilger表示：“我们公司自
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Nexperia
- 基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia，今日宣布其分立式器件系列推出新品，新器件采用无引脚DFN封装，配有侧边可湿焊盘 (SWF)。这些器件坚固耐用，节省空间，有助于满足下一代智能电动汽车的应用需求。Nexperia的所有产品系列都符合AEC-Q101标准，包括： · 采用DFN1110D-3封装的BC817QBH-Q和BC807QBH-Q系列45V 500mA NPN/NPN通用三极管。· &nbs
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Nexperia 小型DFN封装 分立器件
- Nexperia近日宣布，其位于德州达拉斯的全新设计中心正式启动。值此成为独立实体五周年之际，这一举措标志Nexperia朝着2030年成为全球基础半导体领军企业的既定目标又迈出了重要的一步。达拉斯设计中心是Nexperia在北美地区设立的第一家研发机构，专注于开发模拟信号转换和电源管理IC。新研发中心由Nexperia电源和信号转换业务部门总经理Irene Deng领导，她表示：“达拉斯设计中心代表了公司的一个关键里程碑，一方面是因为它体现了Nexperia在北美推进研究工作的决心，另一方面它还将助力N
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Nexperia 设计中心
- 基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布MOSFET器件推出全新增强型电热模型。半导体制造商通常会为MOSFET提供仿真模型，但一般仅限于在典型工作温度下建模的少量器件参数。Nexperia的全新先进模型可捕获-55℃至175℃的整个工作温度范围的一系列完整器件参数。这些先进模型中加入了反向二极管恢复时间和电磁兼容性(EMC)，大大提升了器件整体精度。参数可帮助工程师建立精确的电路和系统级仿真，并在原型设计前对电热及EMC性能进行评估。模型还有助于节省时间和资源，工程师此
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Nexperia 电热模型 MOSFET
- Nexperia（安世半导体）今天隆重宣布 - 庆祝公司作为独立实体进入半导体行业五周年。Nexperia仍是一个较为年轻的品牌，但凭借过去几十年在半导体制造领域树立的良好口碑和强劲表现，经过五个春秋的不懈努力，已经在市场站稳脚跟。 回望2017年成立之初，Nexperia秉持满怀激情和专业精深的精神积极打造创新产品，既满足了客户需求，也实现了与客户的共同成长。 五年来，Nexperia展现了种种前瞻性理念和业绩增长，推出引领市场的产品，实现业界先进水平的产能开发，可在持续满足严苛的车规级标准
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Nexperia
- 基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出全系列低电流稳压器二极管。50µA齐纳二极管系列提供3种不同的表贴(SMD)封装选项，采用超小型分立式扁平无引脚(DFN)封装以及符合AEC-Q101标准的器件，为客户提供了更多选择和灵活性。这些高效率二极管采用在低测试电流(50μA)下的性能工作，非常适合移动、可穿戴、汽车和工业应用中的低偏置电流和便携式电池供电设备。 Nexperia产品经理Paula Stümer表示：“DFN1006BD-2封装器件配有可湿锡焊接侧侧边可湿锡
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Nexperia 齐纳二极管
- 基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）今天宣布推出业内首批A-selection齐纳二极管。BZT52H-A(SOD123F)和BZX384-A(SOD323)系列的容差仅有±1%，相比B(±2%)和C(±5%)版本，可提供更高精度的基准电压。这两个系列不仅可以满足日渐增长的移动便携式和可穿戴应用、汽车和工业应用的需求及监管要求，也可以支持Q产品组合器件。 “Nexperia的A-selection齐纳二极管涵盖从1.8V至75V的各种应用，提供高精度、低容差基准电压
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Nexperia A-selection 齐纳二极管
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