基础半导体领域的高产能生产专家Nexperia近日宣布推出适用于电力应用的14款整流二极管，采用其新型CFP2-HP（铜夹片粘合FlatPower）封装。提供标准版和AECQ-101版，其中包括45 V、60 V和100 V Trench肖特基整流二极管（带1 A和2 A选项），例如PMEG100T20ELXD-Q就是一款100V、2 A的Trench肖特基整流二极管。针对要求超快速恢复的应用，Nexperia还在产品组合中增加了200 V、1 A PNE20010EXD-Q整流二极管。在现代汽车架构中，
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Nexperia CFP2-HP 二极管 FlatPower
基础半导体领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出适用于电力应用的14款整流二极管，采用其新型CFP2-HP（铜夹片粘合FlatPower）封装。提供标准版和AECQ-101版，其中包括45 V、60 V和100 V Trench肖特基整流二极管（带1 A和2 A选项），例如PMEG100T20ELXD-Q就是一款100V、2 A的Trench肖特基整流二极管。针对要求超快速恢复的应用，Nexperia还在产品组合中增加了200 V、1 A PNE20010EXD-Q整流二极管。 在现
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Nexperia CFP2-HP 二极管
基础半导体器件领域的专家Nexperia推出了用于自动化安全气囊应用的专用MOSFET (ASFET)新产品组合，重点发布的BUK9M20-60EL为单N沟道60 V、13 mOhm导通内阻、逻辑控制电平MOSFET，应用于LFPAK33封装。ASFET是专门为用于某一应用而设计并优化的MOSFET。此产品组合是Nexperia为电池隔离、电机控制、热插拔和以太网供电(PoE)应用提供的一系列ASFET中的最新产品。 BUK9M20-60EL采用Nexperia的新型增强安全工作区(SOA)技术
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Nexperia 自动安全气囊 MOSFET
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日公布2021年财务业绩，数据显示公司在所有领域均实现强劲增长。这家半导体制造公司专门供应分立器件、功率器件和逻辑IC，2021年总营收同比增长49%，达到21.4亿美元。这意味着Nexperia的业绩表现优于整个半导体市场，公司市场份额得以提高1%，达到9.4%。 过去五年，Nexperia的制造能力不断提升，目前已经处于行业前沿，完全符合汽车行业的最高标准，且能提供全面的产品组合。Nexperia首席财务官Stefan Tilger表示：“我们公司自
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Nexperia
基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia，今日宣布其分立式器件系列推出新品，新器件采用无引脚DFN封装，配有侧边可湿焊盘 (SWF)。这些器件坚固耐用，节省空间，有助于满足下一代智能电动汽车的应用需求。Nexperia的所有产品系列都符合AEC-Q101标准，包括： · 采用DFN1110D-3封装的BC817QBH-Q和BC807QBH-Q系列45V 500mA NPN/NPN通用三极管。· &nbs
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Nexperia 小型DFN封装 分立器件
Nexperia近日宣布，其位于德州达拉斯的全新设计中心正式启动。值此成为独立实体五周年之际，这一举措标志Nexperia朝着2030年成为全球基础半导体领军企业的既定目标又迈出了重要的一步。达拉斯设计中心是Nexperia在北美地区设立的第一家研发机构，专注于开发模拟信号转换和电源管理IC。新研发中心由Nexperia电源和信号转换业务部门总经理Irene Deng领导，她表示：“达拉斯设计中心代表了公司的一个关键里程碑，一方面是因为它体现了Nexperia在北美推进研究工作的决心，另一方面它还将助力N
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Nexperia 设计中心
基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布MOSFET器件推出全新增强型电热模型。半导体制造商通常会为MOSFET提供仿真模型，但一般仅限于在典型工作温度下建模的少量器件参数。Nexperia的全新先进模型可捕获-55℃至175℃的整个工作温度范围的一系列完整器件参数。这些先进模型中加入了反向二极管恢复时间和电磁兼容性(EMC)，大大提升了器件整体精度。参数可帮助工程师建立精确的电路和系统级仿真，并在原型设计前对电热及EMC性能进行评估。模型还有助于节省时间和资源，工程师此
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Nexperia 电热模型 MOSFET
Nexperia（安世半导体）今天隆重宣布 - 庆祝公司作为独立实体进入半导体行业五周年。Nexperia仍是一个较为年轻的品牌，但凭借过去几十年在半导体制造领域树立的良好口碑和强劲表现，经过五个春秋的不懈努力，已经在市场站稳脚跟。 回望2017年成立之初，Nexperia秉持满怀激情和专业精深的精神积极打造创新产品，既满足了客户需求，也实现了与客户的共同成长。 五年来，Nexperia展现了种种前瞻性理念和业绩增长，推出引领市场的产品，实现业界先进水平的产能开发，可在持续满足严苛的车规级标准
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Nexperia
基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出全系列低电流稳压器二极管。50µA齐纳二极管系列提供3种不同的表贴(SMD)封装选项，采用超小型分立式扁平无引脚(DFN)封装以及符合AEC-Q101标准的器件，为客户提供了更多选择和灵活性。这些高效率二极管采用在低测试电流(50μA)下的性能工作，非常适合移动、可穿戴、汽车和工业应用中的低偏置电流和便携式电池供电设备。 Nexperia产品经理Paula Stümer表示：“DFN1006BD-2封装器件配有可湿锡焊接侧侧边可湿锡
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Nexperia 齐纳二极管
基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）今天宣布推出业内首批A-selection齐纳二极管。BZT52H-A(SOD123F)和BZX384-A(SOD323)系列的容差仅有±1%，相比B(±2%)和C(±5%)版本，可提供更高精度的基准电压。这两个系列不仅可以满足日渐增长的移动便携式和可穿戴应用、汽车和工业应用的需求及监管要求，也可以支持Q产品组合器件。 “Nexperia的A-selection齐纳二极管涵盖从1.8V至75V的各种应用，提供高精度、低容差基准电压
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Nexperia A-selection 齐纳二极管
基础半导体元器件领域的专家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管，正式进军高功率碳化硅(SiC)二极管市场。这对于高效功率氮化镓(GaN) FET的可靠供应商Nexperia而言是一项战略性举措，旨在扩展高压宽禁带半导体器件产品范围。 Nexperia的首款SiC肖特基二极管为工业级器件，重复反向峰值电压为650V(VRRM)，持续正向电流为10A(IF)，旨在为功率转换应用实现超高性能、高效率、低损耗。以及兼容高压的具有更高爬电距离的纯双引脚(R2P)封装，使该系列
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Nexperia 碳化硅 SiC 二极管
基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布，公司研发的表面贴装器件-铜夹片FlatPower封装CFP15B首次通过领先的一级供应商针对汽车应用的板级可靠性 (BLR)测试。该封装将首先应用于发动机控制单元。 BLR是一种评估半导体封装坚固性和可靠性的方法。测试遵循极为严格的程序，在十分注重安全性和可靠性的汽车应用中具有重要的指导意义。随着汽车行业向电动和车联网转型，车载电子系统越来越复杂，因此该认证至关重要。 Nexperia双极性功率分立器件产品经理Guido Söh
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Nexperia 表面贴装器件
基础半导体器件领域的专家Nexperia，今日宣布将于9月21日至23日举办‘Power Live’，这是其第二次举办此年度虚拟会议。鉴于去年首届活动取得圆满成功，本届为期三天的活动将扩大规模，涵盖与功率电子元件相关的众多主题，包括面向汽车和工业应用的GaN、MOSFET、功率二极管和双极性晶体管。 会议重点将包括：l MOSFET全电热模型Nexperia新款MOSFET电热模型的详细预览，该模型可以在仿真中准确呈现器件的静态和动态特性，并降低在设计过程后期发现EMC问题的风险。 l
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Nexperia Power Live
基础半导体器件领域的专家Nexperia非常荣幸地宣布，公司荣获博世全球供应商荣誉大奖“采购直接材料 - 移动解决方案”。连续两次获得这一殊荣足以证明Nexperia与全球领先的技术和服务供应商博世已建立长期协作关系，包括合作进行早期阶段的产品开发，以应对汽车行业面临的挑战。 博世供应链管理主管Arne Flemming博士表示：“博世全球供应商大奖旨在表彰全球各地的最佳供应商。作为开发和创新领域的合作伙伴，他们在帮助博世保持竞争力方面发挥了重要作用。” 每隔两年，博世会从全球各地的供应商中挑
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Nexperia 博世 供应商大奖
新推出的80 V和100 V器件最大限度降低额定值，并改善均流，从而提供最佳性能、高可靠性并降低系统成本。基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增强了SOA性能，适用于5G电信系统和48 V服务器环境中的热插拔与软启动应用以及需要e-fuse和电池保护的工业设备。 ASFET是一种新型MOSFET，经过优化，可用于特定应用场景。通过专注于对某一应用至关重要的特定参数，有时需要牺牲相同设计中其他较不重要的参数，以实现全新性能水平。新款热插拔ASFET
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Nexperia MOSFET
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