01、SiC MOSFET的体二极管及其关键特性无论是平面栅还是沟槽栅，SiC MOSFET都采用垂直导电结构，其纵向（从漏极到源极）的层状结构是通用的，如下图所示：图1. 沟槽型--英飞凌非对称沟栅CoolSiC™ MOSFET图2. 平面栅型MOSFETN+衬底(Substrate)：高掺杂，作为漏极。N-外延层(Drift Layer)：低掺杂，用于承受高阻断电压。P-body区：P型阱区，通过离子注入形成。其上方是源极的N+区。栅极(Gate)：在SiO2绝缘层（栅氧）之上，用于控制沟道导通。源极
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英飞凌
SiC MOSFET
二极管
据内江高新官微消息，近日，四川晶导微电子功率半导体（IDM）内江基地项目（一期）迎来最新进展。相关负责人表示，项目目前已完成施工进度的35%，正在进行6栋单体建筑的主体结构施工，预计8月底进入装饰装修阶段，力争今年10月底实体完工交付。据悉，四川晶导微电子功率半导体（IDM）内江基地是内江高新区引进的首个涵盖芯片设计、制造、封装及框架的IDM全产业链生产项目，由山东晶导微电子股份有限公司投资建设，分两期实施。其中一期项目投资6.5亿元，占地面积60余亩，将建设包括功率二极管生产线、功率整流桥生产线在内的多
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IDM
二极管
功率整流桥
在上期中，我们探讨了一种用于高速射频 ADC 前端进行窄带信号匹配的全新方法与步骤。本期，为大家带来的是《级联理想二极管：解决 48V EV 的电源难题》，介绍了一种用于 48V 电动汽车冗余电源的级联理想二极管与瞬态钳位网络的全新方案，以解决在高压故障和严苛瞬态环境下，实现可靠 ORing 功能需要依赖昂贵且难采购的高压器件的挑战。引言除了传统的 12V 网络外，48V 电池子系统的应用日益广泛，这导致 HEV/EV 电源系统的设计发生显著变化。48V 系统可以提供更大的功率，无需大量的布线，
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TI
二极管
48V
瞬态电压抑制器（TVS）二极管保护设计用于特定电压范围内工作的电子信号线和接口。超过这些限制会使敏感半导体面临干扰或永久性损伤。一种常见的保护方法是这种专用二极管，通常缩写为TVS。标准的静电静电保护设备设计用于高压、低能量脉冲，持续时间仅为几纳秒。而TVS二极管则用于在持续几毫秒的高能浪涌中分流并锁电压。TVS二极管与通用的静电保护有何不同？TVS二极管作为并联装置，与其保护的电路并联。在正常工作时，它呈现高阻抗，不会干扰系统。然而，在瞬态事件中，如外部浪涌或内部开关事件，二极管会进入雪崩击穿。区分通用
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瞬态电压抑制
二极管
对于Boost电路，跟Buck电路一样都有同步与非同步。如图6.19所示，非同步Boost是有一个开关管和一个二极管，而同步Boost是两个开关管。图6.19 DCM模式下Boost电路的电感的实测波形对于Boost电路，小电流场景下，有一些控制器还是非同步的Boost电路。所以会使用二极管作为电路的组成部分。分析二极管在Boost电路中的作用，首先分析在开关管导通和关闭时电流的路径。如图6.20所示，开关管关闭，电感储存的能量给输出电容和负载提供能量，电流路径为图6.20右图虚线箭头方向，此时二极管D1
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Boost电路
变换器
二极管
2025年12月3日 - Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，推出 5.0SMDJ 系列瞬态电压抑制 (TVS) 二极管。新系列采用节省空间的紧凑型 DO-214AB 封装，专为行动通讯、运算及影像设备应用提供有效的静电放电 (ESD) 保护而设计。Bourns® 5.0SMDJ 系列包含 13 款单向型号及 8 款双向型号。Bourns® 5.0SMDJ 系列 TVS 二极管该系列具备高效能能量吸收与箝位能力，使设计人员可在 12 V 至 30 V 的广泛工作峰值反向电
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Bourns
ESD
TVS
二极管
DO-214AB
封装
11月25日，总部位于中国的MTC宣布小批量出货其分布式反馈激光二极管（DFB）芯片，以满足光通信市场的需求。在今年早些时候的20周年大会上，MTC强调了对半导体激光市场的强烈信心——包括用于光通信的光子芯片——并将化合物半导体光子芯片、器件和模块列为未来二十年的关键战略支柱。目前，MTC已构建了从光子芯片、光学器件到光模块的垂直集成链覆盖。MTC基于其自有的LED光子芯片制造技术，通过其子公司IMTC推动其光通信芯片业务的发展。MTC计划于2026年推出EML芯片和CW光源。MTC还透露，已向微型LED
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二极管
MTC
光学
稳健的电子系统通常配备多个不同电源，且需通过开关实现电源间的隔离，避免相互干扰造成损坏。多数情况下，会在电源路径中设置多个二极管，确保各电源相互独立。但更灵活、高效的方案是采用理想二极管。这类场景中可使用多种理想二极管：一种允许输入电源轨的选择不受电压等级限制，另一种更简单的类型则始终由电压更高的电源为系统供电。各类电子系统都可能采用多电压源供电。例如，电池供电设备通常设计为可使用插入式电源适配器替代主电源（电池）；通过 USB 为主电源额外配备壁插式 AC-DC 转换器供电，也是常见设计。拥有多个电源不
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二极管
电源
学习如何利用变容二极管的可变电容，与 LC 谐振电路一起驱动压控振荡器（VCO），以产生调频波形。在上一篇文章中，我们考察了一种利用 BJT 的集电极-基极结电容的阻抗调制器。 该电路的核心思想是集电极-基极结反向偏置，其相关电容随结间偏置电压的变化而变化。沿着同样的思路，任何半导体二极管在反向偏置电压变化时都会表现出一些电容变化。在本文中，我们将使用变容二极管来构建一个可调谐振荡器，用于调频信号生成。 基于变容二极管的调制器变容二极管是专门设计用于提供最宽和最线性电容变化的半导体二极
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模拟电路
震荡电路
二极管
作为一名电子工程师，对于电路不说必须要非常精通，但至少能够看得懂电路，知道电路保护器件的作用，在客户提出防护需求时，及时给出有效且具有实施性的整改意见。电路保护元器件应用领域广泛，只要有电的地方就有安装电路保护元器件的必要，如各类家用电器、家庭视听及数码产品、个人护理等消费类电子产品、计算机及其周边、手机及其周边、照明、医疗电子、汽车电子、电力、工业设备等，涵盖人们生产生活的方方面面。电路保护主要有两种形式：过压保护和过流保护。选择适当的电路保护器件是实现高效、可靠电路保护设计的关键，涉及到电路保护器件的
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二极管
电路保护
InGaAs（铟镓砷）雪崩光电二极管（APD）是一种利用InGaAs半导体材料特性的光电探测器，主要用于检测红外光谱中的光信号。APD通过一种称为雪崩倍增的内部增益机制将光信号转换为电信号，从而放大微弱的光信号。这使得它们具有高灵敏度，适用于需要检测低光强的场合。InGaAs APD由多层结构组成（见图1），通常包括一个InGaAs吸收层和一个由不同材料（如AlGaAsSb）制成的倍增层，该材料与InP衬底晶格匹配。吸收层是光子被吸收并产生电子-空穴对的地方。InGaAs APD的工艺结构图1. InGa
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铟镓砷雪崩光电二极管
二极管
CoolSiC™肖特基二极管10-80A 2000V G5系列现在也采用TO-247-2封装。在高达1500V的高直流母线系统中，该二极管可实现更高的效率和设计简化。此外，由于采用了.XT互联技术，它们还具有一流的散热性能。该二极管与配套的CoolSiC™ MOSFET 2000V产品完美匹配。产品型号：■ IDWD10G200C5■ IDWD25G200C5■ IDWD40G200C5■ IDWD50G200C5■ IDWD80G200C5产品特点■ 无
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二极管
CoolSiC
新技术在各种场景中广泛应用，包括我们所有人用来到达商业大楼、购物中心、公寓大楼和公寓楼层的电梯和自动扶梯。据估计，全球有近 2000 万台电梯和自动扶梯在运行，安装数量还在大幅增加。2021 年，新安装数量超过 100 万台。市场驱动因素包括城市人口的增长，这就需要更多的公寓楼和办公楼，其他驱动因素包括增加智能传感和无线连接，以减少意外停机时间，提高用户便利性。降低功耗的需求迫使我们不断创新。经过改进的新型电机驱动器和电子设备可以显著降低能耗和成本。例如，LED 照明可减少电梯照明所需的电力，而占用传感器
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202503
电梯设计
设计应用
二极管
Littelfuse
以下是关于肖特基二极管的一切知识。了解肖特基二极管在射频电路、发电机和电机驱动器中的工作原理，以及它们的低正向电压降和快速开关速度。与其他二极管一样，肖特基二极管控制电路中电流的流向。这些器件在电子世界中就像单行道，只允许电流从阳极流向阴极。然而，与标准二极管不同，肖特基二极管以其低正向电压和快速开关能力而闻名。这使得它们成为射频应用以及任何低电压需求设备的理想选择。肖特基二极管有多种用途，包括：1. 电源整流：由于低正向电压降，肖特基二极管可用于高功率应用。这些二极管会浪费更少的功率，并且可能减小散热器
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二极管
无源器件
整流是通过固态半导体器件将交流电源连接到直流负载的过程。整流通过二极管、晶闸管、晶体管或转换器将振荡的正弦交流电压源转换为恒定的直流电压供应。这一整流过程可以采取多种形式，包括半波、全波、不可控和全控整流器，将单相或三相电源转换为恒定的直流电平。在本教程中，我们将探讨单相整流及其所有形式。整流器是交流电源转换的基本构建模块之一，半波或全波整流通常由半导体二极管执行。二极管允许交流电流在正向流动，同时阻止反向电流流动，从而产生固定的直流电压电平，使其成为理想的整流器件。然而，通过二极管整流的直流电并不像从电
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单相整流，二极管，晶闸管，晶体管，转换器，整流器
二极管是主要构成是一个PN结，外加电极、外壳等组成。二极管种类很多，有肖特基二极管、稳压二极管、发光二极管等。电路设计中，二极管应用的非常多。因此，我们需要了解它的参数。参数符合电路需求，我们才会选择它。同一种型号的二极管，它可能有几种封装（包括SOT23、DO-15、SOT-323等），所对应的参数也有区别。一般数据手册上的参数，对应温度为25℃。温度对电子元器件的影响比较大。Vr:表示反向电压，在二极管阴极和阳极加的最大电压，大于这个电压值，二极管可能被击穿。IF（av）:平均整流电流，二极管加上正向
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二极管
参数
电路设计
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二极管
电路设计
现代脉冲电路中大量使用晶体管或二极管作为开关, 或者使用主要是由它们构成的逻辑集成电路。而作为开关应用的二极管主要是利用了它的通(电阻很小)、断(电阻很大) 特性, 即二极管对正向及反向电流表现出的开关作用。二极管和一般开关的不同在于,“开”与“关”由所加电压的极性决定, 而且“开”态有微小的压降Vf,“关”态有微小的电流I0。当电压由正向变为反向时, 电流并不立刻成为(-I0) , 而是在一段时间ts 内, 反向电流始终很大, 二极管并不关断。经过ts后, 反向电流才逐渐变小, 再经过tf 时间, 二极
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二极管
反向恢复
二极管钳位是什么意思？众所周知，二极管是一种由PN结制成的半导体，只要施加的电压大于结电压，电流就会流过二极管，在负偏压下，只要两端电压不超过击穿电压，二极管就会处于非导通状态。在这种状态下，二极管就像一个开路，因为反向偏置的PN结阻止电子流过。而钳位二极管就是在电路中应用这两种特性来操纵输入电压，也就是说将输入输出信号波形的某一部分固定在选定电平的这个电路就被叫做钳位电路。什么是二极管钳位电路？二极管钳位电路用于将信号的正峰值或负峰值置于所需要的电平。直流分量被简单地添加到输入信号中或从输入信号中减去，
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二极管
钳位
电路
今天给大家分享的是限幅电路。一、限幅是什么意思？限幅也就是，将电压限制在某个范围内，去除交流信号的一部分但不会对波形的剩余部分造成影响。通常来说，限幅电路主要是由二极管构成，波形的形状取决于电路的配置和设计。二、限幅电路工作原理基于二极管的限幅电路分为2种：串联二极管限幅电路并联二极管限幅电路三、串联二极管限幅电路在串联限幅电路中，二极管与输出串联。当二极管正向偏置时导通时，输入信号在输出端。相反，当二极管反向偏置/阻断时，串联限幅电路会传递输入信号。分为正/负限幅电路。1、正限幅电路串联正限幅去除波形的
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限幅电路
二极管
电路设计
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款采用易于吸附焊锡的侧边焊盘DFN1006-2B小型封装全新车规级双向单路ESD保护二极管---VETH100A1DD1。该器件节省空间，专门用于车载以太网，符合OPEN Alliance 100Base-T1和1000Base-T1规范，钳位电压、动态电阻和电容低，可保护高速数据线免受瞬态电压信号的影响。日前发布的器件占位面积和高度均小于其他标准封装器件。由于采用触发电压 > 100 V的回弹技术（snap-back
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Vishay
车载以太网
ESD保护
二极管
隔离作用：在开关管导通时，二极管能够隔离电感的储能过程，避免影响输出端电容供电给负载。这是因为当MOS开关管闭合时，电感能够将电能转换成磁场能并加以储存。而当MOS断开之后，电感又将储存的磁场能转化成电能，通过二极管和电容的滤波，得到平滑的直流电压提供给负载。在这个过程中，二极管的单向导通性发挥了关键作用，确保了电能的正确流向和电压的稳定输出。避免能量损失：如果没有二极管，当开关管导通时，电容的放电路径会增加，导致能量的不必要损失，降低电路效率。二极管的加入有效地阻止了这种能量损失，提高了电路的效率。规定
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boost电路
二极管
前言肖特基二极管是重要的电子元器件，因为其承载着保护电路的重要作用，所以显得格外的不可或缺，我们都知道在选择肖特基二极管时，主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的，在电路设计中知道这些关系对选择合适的肖特基二极管显得极为重要，尤其是在功率电路中。知道其特性，对于我们的使用也更加得心应手，下面这篇文章将带你一起去探索神秘的肖特基二极管特性。正向导通压降与导通电流的关系在肖特基二极管两端加正向偏置电压时，其内部电场区域变窄，可以
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肖特基二极管
二极管
无源器件
无论是硬件DIY爱好者还是维修技术人员，你能够说出主板、声卡等配件上那些小元件叫做什么，又有什么作用吗？如果想成为元件（芯片）级高手的话，掌握一些相关的电子知识是必不可少的。譬如在检修某硬件时用万用表测量出某个电阻的阻值已为无穷大，虽然可断定这个电阻已损坏，但由于电脑各板卡及各种外设均没有电路图（只有极少数产品有局部电路图），故并不知电阻在未损坏时的具体阻值，所以就无法对损坏元件进行换新处理。可如果您能看懂电阻上的色环标识的话，您就可知道这个已损坏电阻的标称阻值，换新也就不成问题，故障自然也就会随之排除。
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无源器件
电阻
二极管
三极管
二极管的参数解释常规参数：正向压降、反向击穿电压、连续电流、反向漏电等；交流参数：开关速度、反向恢复时间、截止频率、阻抗、结电容等；极限参数：最大耗散功率、工作温度、存贮条件、最大整流电流等。一、常规参数1、正向导通压降压降：二极管的电流流过负载以后相对于同一参考点的电势（电位）变化称为电压降，简称压降。导通压降：二极管开始导通时对应的电压。正向特性：在二极管外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零。当正向电压大到足以克服PN结电场时，二极管正
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二极管
无源器件
⼆极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗⼆极管（Ge管）和硅⼆极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波⼆极管、整流⼆极管、稳压⼆极管、开关⼆极管等。按照管芯结构，⼜可分为点接触型⼆极管、⾯接触型⼆极管及平⾯型⼆极管。点接触型⼆极管是⽤⼀根很细的金属丝压在光洁的半导体晶⽚表⾯，通以脉冲电流，使触丝⼀端与晶⽚牢固地烧结在⼀起，形成⼀个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较⼩的电流（不超过⼏⼗毫安），适⽤于⾼频⼩电流电路，如收⾳机的检波等。面接触型⼆极管的“PN结”⾯积较⼤，允许通过较⼤的电流（⼏安到
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二极管
无源器件
1、二极管的定义二极管是一种具有两端（阳极和阴极）的电子元件，它允许电流在一个方向上流动，而在另一个方向上阻止电流流动。这种特性使二极管在电路中起到整流、保护、开关等作用。二极管（英语：diode）又称二极体，是一种具有不对称电导的两个端子（阴阳二极接线端，故名“二极”）的电子器件；此二极使其原则上仅允许电流作单方向传导，它在一个方向为低电阻（理想情况下是零），高电流，而在另一个方向为高电阻。现今，二极用半导材料。 借由二极管的特性，在电力工程上常用作整流器（将交流电变成直流电）；在电子工程上常
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二极管
无源器件
今天来给大家分享一下二极管限幅电路的知识，主要是二极管限幅原理分析。一、什么是二极管限幅电路？二极管限幅什么意思？在某些电路中，交流信号用于某个特定电平为了该电平交流输入信号被限制在某些值，用于将信号限制在指定值的电路称为二极管限幅电路。二极管限幅电路由一个或者多个二极管组成，二极管一般与输入信号并联，主要是用来限制或者切断输入信号。二极管限幅电路的输出取决于二极管的方向和输入信号。在某些电路中，只有一半的波被限制，因此一个二极管与输入交流电源相连。但是，如果要限制一个完整的信号或正弦波形的两半，则使用两
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二极管
限幅电路
电路设计
大家好，我是蜗牛兄，今天跟大家分享几个低成本电平转换电路。一、什么是电平转换比如两个芯片之间的供电电压不一样，一个是5V，另一个是3.3V，那么在两者之间进行通讯建立连接关系时，就需要进行电平转换。以TTL 5V和CMOS 3.3V为例，他们的高低电平范围不一样，如果不进行电平转换，逻辑则是混乱的。二、电平转换电路举例2.1、单向电平转换电路上面数据传输方向是从右到左，即TXD-2传到RXD-1①当TXD-2为低电平时，D1导通，RXD-1被拉低；②当TXD-2为高电平5V时，D1截止，RXD-1被拉高到
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二极管
电平转换
电路设计
关于二极管的原理来自于PN结，下图为本征半导体：1.空穴与电子动画中空穴是红的，电子是蓝的，其实我一直对空穴这个概念很抵触，因为从这个动画上来看空穴是不动的。但讲PN结、三极管的时候都会把空穴当成运动的载流子，虽然似乎也不是很难理解。P型半导体空穴多，容易吸引电子但原子核电荷不够，会形成负电荷。N型半导体电子多，电子容易逃跑且原子核电荷太多，会形成正电荷。2.PN结P(Positive)型半导体和N(Negative)型半导体构成PN结以后，会扩散出一个内电场，也叫PN结、阻挡层、耗尽层、空间电荷区。电子
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二极管
PN结
二极管介绍
二极管（diode）又叫两极管， 整流的半导体; 只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个PN接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。
二极管的特性与应用
几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。
二极管的应用
1、整流二极管
利用二极管单向 [
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