铟镓砷雪崩光电二极管 文章 进入铟镓砷雪崩光电二极管技术社区

理解并缓解InGaAs雪崩光电二极管（APDs）的温度效应

• InGaAs（铟镓砷）雪崩光电二极管（APD）是一种利用InGaAs半导体材料特性的光电探测器，主要用于检测红外光谱中的光信号。APD通过一种称为雪崩倍增的内部增益机制将光信号转换为电信号，从而放大微弱的光信号。这使得它们具有高灵敏度，适用于需要检测低光强的场合。InGaAs APD由多层结构组成（见图1），通常包括一个InGaAs吸收层和一个由不同材料（如AlGaAsSb）制成的倍增层，该材料与InP衬底晶格匹配。吸收层是光子被吸收并产生电子-空穴对的地方。InGaAs APD的工艺结构图1. InGa
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