英飞凌科技股份公司近日推出CoolGaN™ G5中压晶体管,它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓(GaN)功率晶体管。该产品系列通过减少不必要的死区损耗提高功率系统的性能,进一步提升整体系统效率。此外,该集成解决方案还简化了功率级设计,降低了用料成本。集成肖特基二极管的CoolGaN™ G5晶体管在硬开关应用中,由于GaN器件的有效体二极管电压(VSD )较大,基于GaN的拓扑结构可能产生较高的功率损耗。如果控制器的死区时间较长,那么这种情况就会更加严重,导致效率低于目标值。目前功率器件设
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英飞凌 肖特基二极管 工业用 GaN 晶体管
目前,许多工业应用正朝着更高功率水平、且功率损耗最小化的方向发展,实现这一目标的方法之一是提高直流母线电压。针对这一市场趋势,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)于 2024年9月推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5产品系列,这是首款击穿电压达到2000 V的碳化硅二极管分立器件。该产品系列目前扩展到TO-247-2封装,其引脚可与现有的大多数TO-247-2封装兼容。该产品系列非常适合最高直流母线电压为15
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英飞凌 CoolSiC 肖特基二极管
前言肖特基二极管是重要的电子元器件,因为其承载着保护电路的重要作用,所以显得格外的不可或缺,我们都知道在选择肖特基二极管时,主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的,在电路设计中知道这些关系对选择合适的肖特基二极管显得极为重要,尤其是在功率电路中。知道其特性,对于我们的使用也更加得心应手,下面这篇文章将带你一起去探索神秘的肖特基二极管特性。正向导通压降与导通电流的关系在肖特基二极管两端加正向偏置电压时,其内部电场区域变窄,可以
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肖特基二极管 二极管 无源器件
在高功率应用中,碳化硅(SiC)的许多方面都优于硅,包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是,与硅快速恢复二极管相比,纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia(安世半导体)如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起,以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。在高功率应用中,碳化硅(SiC)的许多方面都优于硅,包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是,与硅快速恢复二极管相比,纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia(安世半导体
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SiC 肖特基二极管
IT之家 12 月 12 日消息,据中国科大发布,第 68 届 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM, 国际电子器件大会) 近期在美国旧金山召开。IEEE IEDM 是年度微电子和纳电子学术会议,是报告半导体和电子器件技术、设计、制造、物理和建模等领域的关键技术突破的世界顶级论坛,其与 ISSCC、VLSI 并称为集成电路和半导体领域的“奥林匹克盛会”。中国科大国家示范性微电子学院龙世兵教授课题组两篇关于氧化镓器件的研究论文(高功率氧
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氧化镓 光电探测器 肖特基二极管
1. 前言近年来,随着电动汽车的加速以及物联网在工业设备、消费电子设备领域的普及,应用产品中搭载的半导体数量也与日俱增。其中,中等耐压的二极管因其能有效整流和保护电路,而被广泛应用在从手机到电动汽车动力总成系统等各种电路和领域中,半导体厂商罗姆在这些领域中已经拥有骄人业绩(图1)。 &
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Littelfuse, Inc.今日宣布推出两款二极管,进一步扩大了其二代650V、符合AEC-Q101标准的碳化硅肖特基二极管系列。
相比传统的硅基器件,两个系列均为电力电子系统设计人员提供多种优势,包括可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌保护能力以及175°C最高运行结温,因此是需要增强效率、可靠性与热管理的应用的理想选择。
这些产品将在加州安海姆举办的应用电力电子会议(APEC 2019)上亮相。Littelfuse展位号:253。 LSIC2SD065DxxA/LSIC2SD065Exx
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Littelfuse 肖特基二极管
Littelfuse, Inc.,作为全球电路保护领域的领先企业,今日宣布新推出了四个隶属于其第2代产品家族的1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管系列产品,该产品家族最初于2017年5月发布。 第2代1200V碳化硅肖特基二极管 LSIC2SD120A08系列、LSIC2SD120A15系列和LSIC2SD120A20系列的额定电流分别为8A、15A、20A,并采用主流的TO-220-2L封装。 此外,LSIC2SD120C08系列的额定电流为8A,采用TO-252-2L封装
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英飞凌科技股份公司推出第六代650 V CoolSiC™肖特基二极管,是CoolSiC二极管产品系列的最新成员。它立足于第五代产品与众不同的特性,能确保可靠性、质量并提高效率。CoolSiC G6二极管是对600 V和650 V CoolMOS™ 7产品系列的完美补充。它们面向当前和未来的服务器和PC电源、电信设备电源和光伏逆变器应用。 第六代650 V CoolSiC肖特基二极管采用全新布局以及全新专有肖特基
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功率因数校正(PFC)市场主要受与降低谐波失真有关的全球性规定影响。欧洲的EN61000-3-2是交直流供电市场的基本规定之一,在英国、日本和中国也存在类似的标准。EN61000-3-2规定了所有功耗超过75W的离线设备的谐波标准。由于北美没有管理PFC的规定,能源节省和空间/成本的考虑成为在消费类产品、计算机和通信领域中必须使用PFC的
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-Littelfuse, Inc.,作为全球电路保护领域的领先企业,今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管,以配合2017年欧洲电力转换与智能运动(PCIM)展的开幕。 这种碳化硅二极管是通过Littelfuse与Monolith Semiconductor合作技术平台开发的产品系列中的首批产品。 其他基于该技术平台的碳化硅产品(包括1200V碳化硅金氧半场效晶体管)正在筹备中,预计于不远的将来推出。 GEN2系列碳化硅肖特基二极管
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Littelfuse 肖特基二极管
引言 虽然肖特基二极管已经上市有几十年了,新的发展和产品却不断增强了它的特性并扩展了应用的可能性。除了太阳能电池板和汽车,它们现在也被用于笔记本电脑、智能手机和平板电脑的电池充电器。 早在1938年,德国物理学家Walter Schottky开发了金属-半导体接触的模型。与半导体-半导体接触相反,肖特基二极管由于材料组成的选择方式在半导体的界面上形成了一个耗尽区而因此具有势垒。这防止了低于特定功率阈值的电功率在金属和半导体之间流通。肖特基二极管因此比其他金属-半导体二极管(例如:表现出欧
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肖特基二极管
汽车电子模块要求采取反向电池保护措施,以避免不良电池操作可能导致的损坏风险。肖特基二极管是这种应用的首选器件,因为它们具有很低的前向
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肖特基二极管 雪崩
肖特基二极管广泛应用于开关电源中,每一个从事电子行业的人都有听过肖特基,但我们是否真正了解,肖特基内部结构、应用范围以及为什么肖特基广泛应用于高频开关电源中?那么下面就让我们一起走进肖特基的世界寻找我们想要的答案。
二极管有多种类型:按材料分为锗二极管、硅二极管、砷化镓二极管等;按管芯结构可分为面接触二极管和点接触二极管;按用途不同又可分为整流二极管、检波二极管、稳压二极管、变容二极管、光电二极管、发光二极管、开关二极管、快速恢复二极管等;按照结类型又可分为半导体结型二极管和金属半导体结型二极管
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肖特基二极管
前言
全球知名半导体制造商ROHM利用多年来在消费电子领域积累的技术优势,正在积极推进面向工业设备领域的产品阵容扩充。在支撑“节能、创能、蓄能”技术的半导体功率元器件领域,ROHM实现了具有硅半导体无法得到的突破性特性的碳化硅半导体(SiC半导体)的量产。另外,在传统的硅半导体功率元器件领域,实现了从分立式半导体到IC全覆盖的融合了ROHM综合实力的复合型产品群。下面介绍这些产品中的一部分。
已逐步渗透到生活中的SiC功率元器件
SiC功率元器件是以碳和硅组成
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ROHM 功率元器件 肖特基二极管
肖特基二极管介绍
目录
简介
原理
优点
结构
特点
应用
其它
简介
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导 [
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