- 肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N-外延层（砷材
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肖特基二极管 封装
- 英飞凌科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会（APEC）上推出第三代thinQ!™ SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界最低的器件电容，可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率，从而帮助降低电源转换系统成本。此外，英飞凌推出的第三代SiC肖特基二极管是业界种类最为齐全的碳化硅肖特基二极管系列，不仅包括TO-220封装（真正的双管脚版本）产品，还包括面向高功率密度表面贴装设计的DPAK封装产品。
SiC肖特基
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英飞凌 thinQ 肖特基二极管
- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出低噪声升压型转换器 LT3495/-1，该器件具集成的电源开关、肖特基二极管和输出断接电路。LT3495 使用 650mA 开关，而 LT3495-1 使用 350mA 开关。这两款器件都采用 2mm x 3mm DFN-10 封装。2.3V 至 16V 的宽输入电压范围使它们能够用高达 12V 固定输入电源轨的单节锂离子电池工作，同时提供高达 40V 的输出。LT3495 可用单节锂离子电池在 16V 时提供超过 70
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凌力尔特 转换器 电源开关 肖特基二极管
- 什么是肖特基二极管? 新闻出处：电子市场肖特基二极管
基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。
肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)
它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料
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二极管 肖特基二极管 显示技术
- 凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出的双路理想二极管“或”控制器LTC4355允许在高可用性系统中用N沟道MOSFET取代肖特基二极管，并具有广泛的故障监视功能以诊断电源故障。以这种方式形成的输入电源二极管“或”电路可降低功耗、减小热耗散及所占用的印刷电路板面积。该器件9V至80V的宽工作电压范围支持具有两个正电源的二极管“或”应用，如12V分布式总线架构，或两个负电源的返回通路，如-48VAdvancedTCA(ATCA)应用。另外，LTC4355监视如下几种类型的
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LTC4355 电源技术 凌力尔特 模拟技术 肖特基二极管
- ROHM开发的最新「GMD2」系列产品，采用先进的齐纳二极管、肖特基势垒二极管封装技术，实现了当今世界上最小、最薄的封装尺寸，对于手机和数码相机等各种追求小型化、薄型化设计的电子产品，无疑是最佳选择。 0603尺寸「GMD2」封装系列的主要优点 0.6mm
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0603规格 ROHM 单片机 齐纳二极管 嵌入式系统 肖特基二极管
肖特基二极管介绍
目录
简介
原理
优点
结构
特点
应用
其它
简介
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导 [
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